結晶中の一次元欠陥の一つである転位は、転位コアを中心とした数ナノメートルの領域に応力場が存在するため、転位線に沿って高速な拡散を示すことが知られている。この特異な現象を利用して転位コアへ添加物などを優先的に拡散させるとバルク中に転位コアを中心としたナノ細線を作製することが可能となる。本研究では、この現象を利用してチタン酸ストロンチウムや化合物半導体の転位へドーパントを添加してナノ細線を作製し、その物性について調べた。