生田目俊秀 (Toshihide Nabatame) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構ナノファブリケーショングループ

J-GLOBAL ID: 201901016601074086
researchmap会員ID: B000381177

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 薄膜作製・評価

経歴

学歴

1985年4月 - 1987年3月

東北大学大学院, 工学研究科, 応用化学専攻
1982年4月 - 1985年3月

東北大学, 工学部, 応用化学科

受賞

2020年6月

JVST A 2019 Best ALD Paper Award, Correlation Between SiO2 Growth Rate and Difference in Electronegativity of Metal–Oxide Underlayers for Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using Tris(dimethylamino)silane Precursor, Journal of Vacuum Science & Technology A

Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Hajime Kiyono
2018年10月

The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018 Poster Award, High breakdown voltage of n-GaN MOS capacitors with HfSiOx insulator, The Japan Society of Applied Physics

Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji shiozaki, Tomoji Ohishi
2018年9月

応用物理学会フェロー, 応用物理学会

生田目俊秀
2005年5月

論文賞, 0.10 μm DRAM用MIM/Ta2O5キャパシタプロセスの開発, 電子情報通信学会

生田目俊秀
2004年6月

第65回半導体集積回路技術シンポジウムアワード賞, 電気化学会電子材料委員会

生田目俊秀

論文

169

Role of Interface Reaction Layer between Ferroelectric Hfxzr1−Xo2 Thin Film and Tin Electrode on Endurance Properties

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Koji Kita

2023年
Wake-up-free properties and high fatigue resistance of Hf<inf>x </inf>Zr<inf>1- x </inf>O<inf>2</inf>-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO<inf>2</inf>nucleation layer at low thermal budget (300 °c)

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

APL Materials 10(5) 2022年5月1日
Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1-xO2-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 degrees C)

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

APL MATERIALS 10(5) 2022年5月
Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e385" altimg="si20.svg"><mml:msup><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mo>+</mml:mo></mml:mrow></mml:msup></mml:math>-Si stacks

Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Applied Surface Science 153272-153272 2022年4月
Influence of HfO<inf>2</inf> and SiO<inf>2</inf> interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 39(6) 2021年12月1日
Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 39(6) 2021年12月
(Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Yasuo Koide

ECS Transactions 104(4) 113-120 2021年10月1日
Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures

Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi

ECS Transactions 104(4) 121-128 2021年10月1日
Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) 2021年6月
Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf>thin films using synchrotron x-ray analysis

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura

APL Materials 9(3) 2021年3月1日
Insight into traps at Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/p-GaN metal-oxide-semiconductor interface fabricated on free-standing GaN substrate

Liwen Sang, Bing Ren, Toshihide Nabatame, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao

Journal of Alloys and Compounds 853 2021年2月5日
Insight into traps at Al2O3/p-GaN metal-oxide-semiconductor interface fabricated on free-standing GaN substrate

Liwen Sang, Bing Ren, Toshihide Nabatame, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 853 2021年2月
Comparison of characteristics of thin film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro NAGATA, Kazuhito TSUKAGOSHI, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2021年1月21日
Study of SiO 2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric Hf xZr 1-XO 2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

ECS Transactions 104(4) 129-135 2021年
Highly-crystalline 6 inch free-standing GaN observed using X-ray diffraction topography

Jaemyung Kim, Okkyun Seo, L. S. R. Kumara, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata

CrystEngComm 2021年
HfSiO<inf>x</inf>-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor

Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11686 2021年
Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing

Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Hajime Kiyono

Journal of Vacuum Science & Technology A 39(1) 012401-012401 2021年1月
Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1-xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 117(23) 2020年12月
Correlation between SiO<inf>2</inf> growth rate and difference in electronegativity of metal-oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor

Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Hajime Kiyono

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 38(3) 2020年5月1日
Correlation between SiO2 growth rate and difference in electronegativity of metal-oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor

Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Hajime Kiyono

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 38(3) 2020年5月

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MISC

GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価

色川芳宏, 鈴木拓, 弓削雅津也, 大井暁彦, 生田目俊秀, 木本浩司, 大西剛, 三石和貴, 小出康夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18p‐PA6‐20 2018年9月5日
ZrO₂シード層がHf[x]Zr1-xO₂薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 (シリコン材料・デバイス)

女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(260) 39-44 2017年10月25日
ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl₂O₃層が電気特性に及ぼす効果 (シリコン材料・デバイス)

女屋崇, 生田目俊秀, 澤田朋実, 栗島一徳, 澤本直美, 大井暁彦, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(118) 27-32 2016年6月29日
IGZO薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすCu（Ti）電極/IGZO接合界面の影響

伊藤和博, 小濱和之, 西端惇, 佐野貴之, 生田目俊秀, 大井暁彦

（一社）溶接学会平成28年度春季全国大会, 大阪 2016 160-161 2016年4月
Characterization of Cu(Ti)-electrode formation on IGZO

Ito K., Kohama K., Nishibata T., Nabatame T., Ohi A.

Annual report of Quantum Science and Engineering Center 18 100-105 2016年4月
ガルバニ作用に基づく結露応答センサ

川喜多仁, 知京豊裕, 生田目俊秀

Proceedings of the Chemical Sensor Symposium 59 46-48 2015年9月
ALD法で作製したAl₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 (シリコン材料・デバイス)

生田目俊秀, 大井暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京豊裕

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 31-35 2014年6月19日
Thin-film transistor and method for manufacturing same

Nabatame Toshihide, Tsukagoshi Kazuhito, Aikawa Shinya, Chikyo Toyohiro

2014年5月査読有り
Organic el element and method for manufacturing same

Nabatame Toshihide, Tsukagoshi Kazuhito, Aikawa Shinya

2014年3月査読有り
HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)

小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 25-28 2013年6月18日
招待講演先端CMOS向けメタル/High-kゲートスタック技術

生田目俊秀, 大井暁彦, 知京豊裕

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 76 27-30 2012年7月5日
ITO/HfO_2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響

生田目俊秀, 山田博之, 大井暁彦, 大石知司, 知京豊裕

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 81-85 2011年6月27日
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate

A. Ogawa, K. Iwamoto, H. Ota, Y. Morita, A. Ikeda, T. Nabatame, A. Toriumi

MICROELECTRONIC ENGINEERING 84(9-10) 1861-1864 2007年9月査読有り
Symmetrical threshold voltage in complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfAlOx(N) achieved by adjusting Hf/Al compositional ratio

M Kadoshima, A Ogawa, H Ota, K Iwamoto, M Takahashi, N Mise, S Migita, M Ikeda, H Satake, T Nabatame, A Toriumi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 99(5) 054506-1-054506-6 2006年3月
Silicon-atom induced fermi-level pinning of fully silicided platinum gates on HfO(2) dielectrics

M Kadoshima, K Akiyama, N Mise, S Migita, K Iwamoto, N Yasuda, K Tominaga, M Ikeda, H Satake, T Nabatame, A Toriumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(4B) 2267-2272 2005年4月
Fabrication of Hf(C)N Films on SiO_2 by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Using TDEAHf Precursor

Wang Wenwu, Nabatame Toshihide, Shimogaki Yukihiro

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 44(8) L348-L351 2005年3月10日
Role of nitrogen incorporation in HfAlO_x(N) gate dielectrics for suppression of boron penetration

NABATAME T.

J. Vac. Sci. Technol. B 22 2128-2131 2004年
HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成

宮田典幸, Kundu Manisha, 市川昌和, 生田目俊秀, 堀川剛, 鳥海明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(260) 63-68 2003年8月15日
TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学

平谷正彦, 門島勝, 嶋本泰洋, 生田目俊秀, 木村紳一郎

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101(107) 43-48 2001年5月31日

産業財産権

特許第4416354号半導体装置の製造方法とその製造装置

鈴木孝明, 生田目俊秀, 門島勝, 村田康彦
特許第3931647号半導体装置の製造方法

生田目俊秀, 門島勝, 鈴木孝明, 村田康彦, 平谷正彦
特許第3838239号薄膜コンデンサおよび電子回路部品

荻野雅彦, 佐藤俊也, 三輪崇夫, 生田目俊秀, 天羽悟
特開2003-124061 薄膜コンデンサとそれを用いたチップコンデンサ及びLCフィルタ並びにその製造方法

綿引誠次, 元脇成久, 生田目俊秀, 久保征治, 三輪崇夫
特開2003-115586 半導体装置とその製造法

門島勝, 生田目俊秀, 鈴木孝明, 村田康彦
特開2003-031757 ハイブリッドモジュール

三輪崇夫, 佐藤俊也, 荻野雅彦, 生田目俊秀, 元脇成久, 綿引誠次, 福本英士, 古川陽子, 赤嶺均, 遠藤恒雄, 久保征治
特開2003-031756 ハイブリッドモジュール

三輪崇夫, 佐藤俊也, 荻野雅彦, 生田目俊秀, 元脇成久, 綿引誠次, 福本英士, 古川陽子, 赤嶺均, 遠藤恒雄, 久保征治
WO2003-007379 電子回路部品

佐藤俊也, 荻野雅彦, 三輪崇夫, 内藤孝, 滑川孝, 生田目俊秀, 元脇成久
WO2003-007320 薄膜コンデンサおよび電子回路部品

荻野雅彦, 佐藤俊也, 三輪崇夫, 生田目俊秀, 天羽悟
特開2002-353216 半導体装置とその製造方法

生田目俊秀, 門島勝, 鈴木孝明, 村田康彦, 平谷正彦

生田目俊秀

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経歴

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