三島 友義

2015年4月～（法政大学イオンビーム工学研究所）,1．産学共同研究によるGaNパワー半導体とパワーデバイスの研究を実施中。,２．環境省国家プロジェクトを実施（2014年4月～2022年3月）。世界最高耐圧の縦型GaN p-nダイオードの研究などをけん引。,３．複数の国内企業とGaNパワーデバイス技術の開発を実施中（2022年4月～）。,,2003年4月～2015年3月（日立電線－日立金属在職中）,１．GaN自立基板およびそれを用いた高効率パワーデバイスの研究,　2003年からGaN自立基板の研究立案と推進を実施、独自のボイドアシスト剥離（VAS）法を発展させ２インチ径の高均一低転位欠陥基板の安定生産技術を確立。この基板を用いてSiCデバイスを凌駕する高耐圧（＞3kV）・超低オン抵抗のGaN電力変換用ダイオードの試作にも法政大学との共同研究で成功し、高効率パワーデバイスへの応用展開を実施。これらの成果により、2014年度の環境省の国家プロジェクト「未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事業」に参画。法政大学を再委託先に指定。,２．鉛フリー圧電膜の研究,　Si基板上に(001)配向したニオブ酸カリウムナトリウム(KNN)膜の形成に成功。これにより、鉛を高濃度含有するPZT圧電膜の代替を初めて可能とする高圧電特性を有する環境に優しい圧電膜を実現。,３．GaN HEMTエピの研究,　ギガヘルツ帯で実用化されたSiC基板上GaN HEMTエピ結晶の改良に従事。,,1983年4月～2003年3月（日立製作所中央研究所在職中）,１．PHEMTエピの研究,　疑似格子整合InGaAs層を利用したPHEMTの開発。当初の応用はBSアンテナの低雑音増幅器用、その後携帯端末用や車載レーダ用に展開。,２．InP HEMT、InP HBT、MHEMTの研究,　ミリ波通信および40GBS光ファイバ通信用InP HEMT、MHEMT（Metamorphic HEMT）、InP HBTの開発に従事。　,３．Si/SiGe変調ドープヘテロ構造の研究（1989年4月～1990年4月フィリップス交換研究員）,　フィリップス中央研究所(オランダ)にて高い正孔濃度と移動度を有するSi/SiGe変調ドープヘテロ構造を分子線エピタキシー法で実現。SiGe-FETの要素技術となるナノサイズの積層構造を開発。