半導体プロセスにおけるイオン注入の低エネルギー化・極浅化に伴い、イオン照射による表面欠陥のアニール過程を原子レベルで理解する必要がある。今回1keVのXeイオンを室温で照射したSi(111)表面を室温及び高温でSTM観察し、表面欠陥の回復過程を解明した。照射直後はvacancyや再付着したSi原子が多数観察され、その後基板温度を600℃にしたところ、再付着したSi原子は見られなくなり、7×7再構成面の中にvacancy clusterが観察された。さらに600℃において連続的にSTM観察したところ、vacancy clusterと7×7構造の境界にあるSi原子のみが移動し、大きなvacancy clusterはほとんど変化しなかった。これらのことは再付着Si原子は600℃において速い速度で移動し、vacancyにトラップされ表面の再構成に寄与するが、表面でのvacancyの変化は非常に遅いことを示している。