2012年2月
大きな格子不整合系での埋もれたヘテロ界面水素層の解析
Thin Solid Films
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- 巻
- 520
- 号
- 8
- 開始ページ
- 3300
- 終了ページ
- 3303
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.1016/j.tsf.2011.10.081
Si基板との格子不整合の緩衝域として水素単原子バッファー層を挿入し、大きな格子不整合を克服した薄膜成長に成功した。このユニークな薄膜成長を可能にする界面の構造解析を目的とし、薄膜成長後の界面における水素層の存在を、中性子反射率測定と共鳴核反応分析法により捉えることができたので、それら複合解析の結果を発表する。
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1016/j.tsf.2011.10.081
- ISSN : 0040-6090