本研究では、機構論的研究として、実機環境に比べて速い照射速度が応力腐食割れ(SCC)き裂先端変形挙動に及ぼす影響について明らかにすることを目的とした。照射量が約1dpa、照射速度が1.8$\times$10$^{-7}$-2.8$\times$10$^{-8}$dpa/sの範囲では、SCC進展速度と応力拡大係数の関係から高照射速度の方がSCC進展速度がやや速くなる傾向が見られるが、影響は小さい。電子線後方散乱回折パターン(EBSD)観察の結果、SCCき裂先端近傍の局所変形に及ぼす照射速度の影響は小さいことがわかった。また、結晶塑性モデルによる評価において、照射速度の影響を考慮しても相当塑性ひずみの最大値及び分布の傾向はほぼ同じであり、照射速度の影響は小さいことが示唆された。