2017年4月 - 2020年3月
めっきにおける水素共析と水素誘起現象の機構解明
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C)
本研究では、電解および無電解めっきおける水素共析と水素誘起現象の機構を昇温脱離スペクトル、X線回折および透過電子顕微鏡を用いて調べた。高水素濃度のPtおよびPd電析膜には超多量空孔が形成され、低温粒成長などの金属原子拡散の促進が観察された。無電解Ni-P/Auめっき膜中の多量の共析水素は、エレクトロニクス実装用の鉛フリーはんだの濡れ性を向上した。超化学量論的水素化物PdHx (1 < x ≦ 2)の電気化学合成に成功し、その結晶構造を解析した。これらの結果は金属-水素系の研究においてきわめて重要であり、様々な応用が期待される。
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- 課題番号 : 17K06864
- 体系的課題番号 : JP17K06864
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Journal of Alloys and Compounds 825 2020年 査読有り最終著者