産業財産権

特許権

磁気抵抗素子および磁気メモリ

株式会社東芝, 国立大学法人東北大学, 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • 大 坊
  • ,
  • 忠 臣
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  • 伊 藤
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  • 順 一
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  • 甲 斐
  • ,
  • ,
  • 天 野
  • ,
  • ,
  • 與 田
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  • 博 明
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  • 宮▲崎▼照 宣
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  • 水 上
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  • 成 美
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  • 窪 田
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  • ,
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  • 薬師寺
  • ,
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  • 湯 浅
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  • 新 治
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  • 久保田
  • ,
  • ,
  • 福 島
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  • 章 雄
  • ,
  • 長 浜
  • ,
  • 太 郎
  • ,
  • 安 藤 功

出願番号
特願2011-068868
出願日
2011年3月25日
公開番号
特開2012-204683
公開日
2012年10月22日
特許番号/登録番号
特許第5761788号
登録日
2015年6月19日
発行日
2015年6月19日

リンク情報
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201503007534689185
URL
http://jglobal.jst.go.jp/public/201503007534689185
ID情報
  • J-Global ID : 201503007534689185