内藤泰久 (Yasuhisa Naitoh) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 201801005148572224
researchmap会員ID: B000328955

研究分野

ナノテク・材料 / ナノ構造物理 /

論文

105

Conductance Switching in an Asymmetric Single-Molecule Junction

Masato Takei, Akira Takatsuki, Katsunori Wakabayashi, Satoshi Kaneko, Hiroshi Suga, Yasuhisa Naitoh, Kazuhito Tsukagoshi

ACS Applied Materials & Interfaces 2025年10月13日
Current response design via functional group substitution for cation structure in high-performance ionic liquid-based physical reservoir device

Yuki Kubo, Shunsuke Miyamoto, Hisashi Shima, Toshiki Nokami, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Tomoyuki Mochida, Yumeng Zheng, Kentaro Kinoshita

Japanese Journal of Applied Physics 64(3) 030903-030903 2025年3月1日
Characterization of Information-Transmitting Materials Produced in Ionic Liquid-based Neuromorphic Electrochemical Devices for Physical Reservoir Computing

Dan Sato, Hisashi Shima, Takuma Matsuo, Masaharu Yonezawa, Kentaro Kinoshita, Masakazu Kobayashi, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Shunsuke Miyamoto, Toshiki Nokami …

ACS Applied Materials and Interfaces 15(42) 49712-49726 2023年10月25日
Visualizing the Local Composition Changes during Resistive Switching in Planar TaOx-ReRAMs

Naitoh, Yasuhisa, Shima, Hisashi, Akinaga, Hiroyuki

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 2023年
Reservoir computing with dielectric relaxation at an electrode–ionic liquid interface

Sang-Gyu Koh, Hisashi Shima, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Kentaro Kinoshita

Scientific Reports 12(1) 2022年12月
High-speed hydrogen sensor fabricated using a platinum/titanium oxide nanocontact

Yasuhisa Naitoh, Touru Sumiya, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga

SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL 371 2022年11月
Operando observation of analog resistance change in a buried metal/oxide interface by a laser-excited photoemission electron microscope

Y. Okuda, J. Kawakita, T. Taniuchi, H. Shima, A. Shimizu, Y. Naitoh, K. Kinoshita, H. Akinaga, S. Shin

Japanese Journal of Applied Physics 61(SM) 2022年10月1日
Low-Frequency-Noise Spectroscopy of TaOx-based Resistive Switching Memory

Kota Sugawara, Hisashi Shima, Makoto Takahashi, Yasuhisa Naitoh, Hiroshi Suga, Hiroyuki Akinaga

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS 8(8) 2022年8月
Dynamic Nonlinear Behavior of Ionic Liquid-Based Reservoir Computing Devices

Takuma Matsuo, Dan Sato, Sang-Gyu Koh, Hisashi Shima, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Toshiyuki Itoh, Toshiki Nokami, Masakazu Kobayashi, Kentaro Kinoshita

ACS Applied Materials & Interfaces 14(32) 36890-36901 2022年7月26日
Fullerene Nanostructure-Coated Channels Activated by Electron Beam Lithography for Resistance Switching

Mihiro Takeuchi, Yukiya Umeta, Hiroshi Suga, Takatsugu Wakahara, Ying-Chiao Wang, Yasuhisa Naitoh, Katsunori Wakabayashi, Kazuhito Tsukagoshi

ACS applied nano materials 5(5) 6430-6437 2022年4月15日査読有り
Modular Redox Switching of Dinuclear Organometallic Molecular Junctions

Yuya Tanaka, Naoki Morozumi, Tatsuhiko Ohto, Satoshi Kaneko, Yasuhisa Naitoh, Hirokazu Tada, Shintaro Fujii, Tomoaki Nishino, Munetaka Akita

2022年2月16日
Temperature Dependence of Current-Voltage Characteristics of Ionic Liquid Type Intelligent Connection Device

Masakazu Kobayashi, Yasumitsu Orii, Hisashi Shima, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Dan Sato, Takuma Matsuo, Kentaro Kinoshita, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh

6TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2022) 282-284 2022年
Temperature Driven Current–Voltage Characteristics of Ionic Liquid Type Intelligent Connection Device

Masakazu Kobayashi, Yasumitsu Orii, Hisashi Shima, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Dan Sato, Takuma Matsuo, Kentaro Kinoshita, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh

IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 893-897 2022年査読有り
Stable Resistance Switching in Lu3N@C80 Nanowires Promoted by the Endohedral Effect: Implications for Single-Fullerene Motion Resistance Switching

Yukiya Umeta, Hiroshi Suga, Mihiro Takeuchi, Shushu Zheng, Takatsugu Wakahara, Ying-Chiao Wang, Yasuhisa Naitoh, Xing Lu, Akichika Kumatani, Kazuhito Tsukagoshi

ACS Applied Nano Materials 2021年8月10日
Control of the data-retention characteristics of ionic-liquid conducting-bridge memory by designing device structures based on corrosion mechanisms

Hiroshi Sato, Hisashi Shima, Yusei Honma, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh, Dan Sato, Kentaro Kinoshita

Applied Physics Express 14(8) 084005-084005 2021年8月1日
Memristors With Controllable Data Volatility by Loading Metal Ion-Added Ionic Liquids

Hiroshi Sato, Hisashi Shima, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh, Yusei Honma, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Kentaro Kinoshita

Frontiers in Nanotechnology 3 2021年3月31日
C60-Nanowire Two-State Resistance Switching Based on Fullerene Polymerization/Depolymerization

Yukiya Umeta, Hiroshi Suga, Mihiro Takeuchi, Shushu Zheng, Takatsugu Wakahara, Yasuhisa Naitoh, Kazuhito Tsukagoshi

ACS Applied Nano Materials 4(1) 820-825 2021年1月22日
Liquid-Solid Hybrid Memory Device Achieved by Unique Features of Ionic Liquids

Hiroshi Sato, Hisashi Shima, Yusei Honma, Yasuhisa Naitoh, Hiroyuki Akinaga, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh, Kentaro Kinoshita

IEEE Access 9 71013-71021 2021年
Formation and dissolution of conductive channels in an Ag2S-islands network

Keita Ojima, Tsuyoshi Hasegawa, Yasuhisa Naitoh, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年8月
Investigation of Statistical Metal-Insulator Transition Properties of Electronic Domains in Spatially Confined VO2 Nanostructure

Azusa N. Hattori, Ai I. Osaka, Ken Hattori, Yasuhisa Naitoh, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga, Hidekazu Tanaka

Crystals 10(8) 631-631 2020年7月22日

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MISC

196

非線形電子物性を有する分子ネットワークの化学的構築

宇佐美雄生, 福丸知世, 三坂朝基, 大塚洋一, 内藤泰久, 松本卓也

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
脳神経型情報処理を目指した非線形電子物性を有する分子ネットワークの化学的構築

宇佐美雄生, 宇佐美雄生, 宇佐美雄生, 川嶋悠哉, 福丸知世, 三坂朝基, 琴岡匠, 大塚洋一, 内藤泰久, 大山浩 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
金微粒子とPOMコンポジットの電気伝導

斉藤明弘, 宇佐美雄生, 大塚洋一, 内藤泰久, 松本卓也

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐231B‐5 2018年9月5日
合成領域の微細化による高品質MOF結晶の選択成長

清水敦史, 清水敦史, 木下健太郎, 中畝悠介, 島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20a‐222‐8 2018年9月5日
動作電圧制御によるTaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性の向上

島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18p‐432‐5 2018年9月5日
化学状態の非破壊ナノイメージングを可能にする光電子顕微鏡開発

奥田裕司, 奥田裕司, 奥田裕司, 川北純平, 川北純平, 谷内敏之, 谷内敏之, 島久, 島久, 清水敦史, 清水敦史 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20a‐222‐9 2018年9月5日
エレクトロマイグレーション法によるシングルドメイン金ナノギャップ電極の作製

鈴木博也, 菅洋志, 角谷透, 島久, 内藤泰久

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐PB3‐4 2018年9月5日
招待講演酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 : 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 (シリコン材料・デバイス)

島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(172) 59-64 2018年8月7日
酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向―不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用―

島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸

電子情報通信学会技術研究報告 118(173(ICD2018 14-38)) 59‐64 2018年7月31日
アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発

秋永広幸, 島久, 内藤泰久, 浅井哲也

電子情報通信学会技術研究報告 118(10(ICD2018 1-13)) 15 2018年4月12日
Ag₂Sアイランドのネットワークを用いたリザーバコンピューティングの基礎研究

尾島慶太, 内藤泰久, 長谷川剛

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19p‐P5‐17 2018年3月5日
Ta₂O₅抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性

島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐C102‐6 2018年3月5日
sub1nmナノギャップ電極を用いたベンゼンジチオールの電気特性評価

内藤泰久, 中村徹, Albrecht K, Albrecht K, WEI Q, 山元公寿, 山元公寿, 島久, 石田敬雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐F210‐8 2018年3月5日
Ptナノギャップを用いた,対温度抵抗不変メモリの開発

内藤泰久, 阿部卓也, 乙津和希, 角谷透, 島久, 菅洋志, 塚越一仁, 秋永広幸

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐F210‐11 2018年3月5日
二次元分子/微粒子ネットワークの微粒子間距離制御

斉藤明弘, 宇佐美雄生, 大塚洋一, 内藤泰久, 松本卓也

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐F104‐8 2018年3月5日
金微粒子―ポリアニリンネットワークの非線形電気特性

宇佐美雄生, 大塚洋一, 内藤泰久, 松本卓也

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐F104‐4 2018年3月5日
レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊operando観測

川北純平, 川北純平, 島久, 島久, 内藤泰久, 内藤泰久, 秋永広幸, 秋永広幸, 谷内敏之, 谷内敏之, SHIN Shik …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐C102‐9 2018年3月5日
c‐AFMおよびPEEMによるTaO_x膜の抵抗変化記録スポット観察

三沢源人, 川北純平, 川北純平, 谷内敏之, 谷内敏之, SHIN Shik, SHIN Shik, 内藤泰久, 内藤泰久, 島久, 島久 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐C102‐7 2018年3月5日
Ta₂O₅の抵抗変化を利用した水素ガスセンサー素子

島久, 内藤泰久, WEI Z, 本間運也, 藤井覚, 角谷透, 秋永広幸

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.5p‐A202‐13 2017年8月25日
レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊観測

川北純平, 川北純平, 島久, 島久, 内藤泰久, 内藤泰久, 秋永広幸, 秋永広幸, 谷内敏之, 谷内敏之, SHIN Shik …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.5p‐A202‐10 2017年8月25日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

エレクトロマイグレーション現象を用いた極微細3端子ナノデバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

内藤泰久, 菅洋志
ギャップ部近傍が単一金属ドメインで構成されたナノギャップ電極の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

内藤泰久
低コストナノギャップ電極作製手法と単一分子ガスセンサの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年4月 - 2018年3月

内藤泰久
ナノギャップ電極を用いた分子ReRAMの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2014年4月 - 2016年3月

内藤泰久
錯体分子超構造膜の構築と量子効果発現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2016年3月

石田敬雄, 芳賀正明, 内藤泰久
ナノギャップ電極を用いた単一及び少数結合型ハーフメタル・ナノ微粒子の物性計測

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2009年 - 2011年

小堀裕己, 清水哲夫, 内藤泰久

産業財産権

特開2018-124170 気体センサ

藤井覚, 魏志強, 本間運也, 米田慎一, 内藤泰久, 島久, 秋永広幸
特許第6278400号熱電特性の向上した有機熱電材料及びその製造方法

向田雅一, 石田敬雄, 桐原和大, 内藤泰久, 衛慶碩
特許第5967676号熱電材料の製造方法および熱電モジュールの製造方法

向田雅一, 衛慶碩, 石田敬雄, 内藤泰久
特許第5900872号電子デバイスおよび電子デバイスの作製方法

菅洋志, 内藤泰久, 堀川昌代, 清水哲夫, 古田成生, 角谷透, 増田雄一郎, 高橋剛, 小野雅敏
特許第5804415号ナノギャップ電極及びその製造方法

内藤泰久, 堀川昌代, 王東方, 大畑達彦
特開2015-090881 記憶素子

古田成生, 増田雄一郎, 高橋剛, 小野雅敏, 林豊, 板谷太郎, 内藤泰久, 清水哲夫
特許第5526341号スイッチング素子

増田雄一郎, 古田成生, 高橋剛, 小野雅敏, 内藤泰久
特許第5499364号メモリ素子の駆動方法及びメモリ素子を備える記憶装置

高橋剛, 増田雄一郎, 古田成生, 角谷透, 小野雅敏, 林豊, 福岡敏美, 清水哲夫, ソム, クマラグルバラン, 菅洋志, 内藤泰久
特許第5312782号ナノギャップスイッチング素子の駆動方法及びナノギャップスイッチング素子を備える記憶装置

増田雄一郎, 古田成生, 高橋剛, 清水哲夫, 内藤泰久, 堀川昌代
特許第5273518号微粒子の捕獲方法、配置方法及びこれに使用するプローブ

清水哲夫, 菅洋志, 内藤泰久
特許第5190924号 2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス

菅洋志, 内藤泰久, 堀川昌代, 清水哲夫
特許第5120883号ナノギャップ素子の駆動方法及びナノギャップ素子を備える記憶装置

増田雄一郎, 古田成生, 高橋剛, 内藤泰久, 清水哲夫, 堀川昌代
特許第4873463号ナノギャップ電極を有する検出素子及びこれを用いた検出方法

鈴木靖三, 谷田部哲夫, 舩木敬, 川西祐司, 堀川昌代, 水谷亘, 梁天賜, 内藤泰久
特許第4604176号表面電位測定型センサー装置

中村徹, 小山恵美子, 徳久英雄, 水谷亘, 塚越清美, 内藤泰久, 石田敬雄, フィファデン, 金里雅敏, 鈴木靖三, 川西祐司
特許第4446054号不揮発性記憶素子

内藤泰久, 清水哲夫, 堀川昌代, 阿部秀和
特開2008-311449 シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス

内藤泰久, 森田行則, 堀川昌代, 清水哲夫
特許第4224579号電極架橋型分子素子の電極製造方法及び電極架橋型分子素子の製造方法

内藤泰久, 水谷亘, 川西祐司
特開2008-241277 プローブと顕体試料の電気的接触検出方法及びその装置

加藤木克也, 川上辰男, 新堀俊一郎, 横須賀, 俊太郎, 樫村健太, 菊池明日香, 勝田禎治, 清水哲夫, 内藤泰久, 安藤淳, 大平恒公
特許第3864232号ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子

内藤泰久, 水谷亘, 川西祐司, 大塚洋一, 松本卓也, 田畑仁, 川合知二
特許第3864229号ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子

内藤泰久, 水谷亘, 川西祐司

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内藤泰久

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