本稿では、バックゲート正面電位固構造を用いた新しい定完全空乏化SOIピクセル検出器を提案する。提案する検出器ではSOI層の回路動作を安定的に保ちながら、変換ゲインを高めることができる。また、2重ドーピング技術はバックゲート表面付近でのホールに対するポテンシャルバリアを形成し、裏面電圧の変動に対して安定性を高めることができる。提案するピクセル検出器の構造のポテンシャル分布のシミュレーション結果、測定結果を報告する。