黒瀬範子 (Noriko Kurose) - マイポータル

基本情報

所属: 京都大学化学研究所環境物質化学研究系特定研究員

学位: 工学博士(立命館大学)

連絡先: kurose.noriko.6ukyoto-u.ac.jp
J-GLOBAL ID: 201901008577724691
researchmap会員ID: B000376887

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年6月 - 現在

京都大学化学研究所, 長谷川研究室, 研究員
2019年6月 - 2022年5月

国立精神・神経医療研究センター, 神経研究所疾病研究第七部
2018年10月 - 2019年3月

理化学研究所
2011年5月 - 2018年9月

立命館大学, 総合科学技術研究機構
2003年5月 - 2011年4月

立命館大学, 理工学部ロボティクス学科
1989年1月 - 1992年8月

京セラ株式会社, APS事業部
1986年4月 - 1988年12月

富士通ビジネスシステム株式会社, システム部

学歴

1982年4月 - 1986年3月

同志社大学, 文学部

論文

198

Formation of conductive AlN buffer layer using spontaneous via-holes and realization of vertical AlGaN Schottky diode on a Si substrate,

J. Appl. Phys 125 205110 2019年5月査読有り
94

Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices

Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, Yoshinobu Aoyagi

AIP Advances 8(1) 015329 2018年1月1日査読有り
Development of High Power, Large Area, Deep Ultraviolet Light Emitting Devices Using Dynamic Microplasma Excitation (MIPE) of AlGaN Multiple Quantum Wells

Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN 99(7) 3-11 2016年7月査読有り
Realization of Conductive AIN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET

Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り
マイクロプラズマ励起深紫外発光素子の開発と深紫外線の医療応用

黒瀬範子, 青柳克信

レーザー研究 43(10) 677-682 2015年
51

Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n(+)Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor

N. Kurose, N. Iwata, I. Kamiya, Y. Aoyagi

AIP ADVANCES 4(12) 123007-1-123007-7 2014年12月査読有り
120

Development of substrate-removal-free vertical ultraviolet light-emitting diode (RefV-LED)

N. Kurose, K. Shibano, T. Araki, Y. Aoyagi

AIP ADVANCES 4(2) 027122-1-027122-6 2014年2月査読有り
ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN高出力大面積深紫外発光素子(MIPE)の開発

黒瀬範子, 青柳克信

電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） 134(5) 307-314 2014年
Development of high power, large area, deep ultraviolet light emitting device using dynamic micro-plasma excitation of AlGaN multi-quantum wells (MIPE)

Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi

IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 134(5) 307-314 2014年査読有り
123

A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN

Y. Aoyagi, N. Kurose

APPLIED PHYSICS LETTERS 102(4) 041114-1-041114-3 2013年1月査読有り
Large Area Micro-plasma Excited AlGaN Deep Ultraviolet Light Emitter

Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi

IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 2 19 1441-1442 2012年査読有り

講演・口頭発表等

縦型GaNデバイスに向けたレーザ誘起高性能・局所オーミック電極形成法の開発

川崎輝尚, 黒瀬範子, 荒木努, 青柳克信

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年
Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices

N.Kurose, Y. Aoyagi

SPIE Photonics West 2019 2019年招待有り
レーザを用いた局所p-GaNオーミック電極形成法の開発 − Laser Induced Ohmic Contact Formation（LOC）− Laser Induced Formation of Local Ohmic Contact on p-GaN

川_輝尚, 黒瀬範子, 松本晃太, 岩田直高, 青柳克信, 住友重機械工業株式会社

応用物理学会秋季学術講演会2018 シンポジウム第79回応用物理学会秋季講演会 2018年
Realization of conductive aluminum nitride epitaxial layer on silicon substrate by forming spontaneous nano size via-holes

N.Kurose

International Conference on Advanced Materials & Nanotechnology 2018年
MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御 - LILA法 : Laser Induced Local Activation method(局所活性化と結晶性のその場観測法)の開発 -

松本滉太, 黒瀬範子, 下野貴史, 岩田直高, 山田郁彦, 神谷格, 青柳克信

応用物理学会秋季学術講演会2017 シンポジウム第78回応用物理学会秋季講演会 2017年
Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層（v-AlN層）の形成 Formation of conductive AlN buffer layer toward vertical high powerAlGaN FET on Si substrate

松本滉太, 黒瀬範子, 岩田直高, 山田郁彦, 神谷格, 青柳克信

応用物理学会秋季学術講演会2016 シンポジウム第77回応用物理学会秋季講演会 2016年
Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to high power vertical AlGaN devices on Si substrate

N.Kurose, Y.Aoyagi

Energy Materials Nanotechnology Meeting on Epitaxy 2016年招待有り
Formation of spontaneous nano-size via-holes to grow conductive AlN buffer layer on Si substrate for vertical AlGaN high power FET

Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi

18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2016年
Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET

Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi

the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors 2016年
Fabrication of Nonlinear Photonic Crystal and Its Application to UV Laser

Y.Aoyagi, N.Kurose, S.Inoue

The 22nd International Display Workshops 2015年招待有り
A New Technique to Make an Insulating AlN Thin Film to be Conductive by Spontaneous Via Holes formed by MOCVD and its Application to realize Vertical UV LED on n+Si Substrate

N.Kurose, Y.Aoyagi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition 2015年
Si上縦型深紫外LED(Ref-V DUV LED)の開発(2)

柴野謙太朗, 黒瀬範子, 荒木努, 青柳克信

第61回応用物理学会春期学術講演会 2014年
Development of new type vertical deep ultra-violet light emitting Device（RefV-LED）

N.Kurose, Y.Aoyagi

The 21th International Display Workshops 2014年招待有り
Novel Vertical AlGaN Deep Ultra Violet Photo-detector on n+Si Substrate using Spontaneous Via Holes Growth Technique

Kota Ozeki, Noriko Kurose, Naotaka Iwata, Kentaro Shibano, Tsutomu Araki, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi

Solid State Device and Materials 2014年
"Formation of High Conductive n-AlN using Spontaneous Via Holes and Development of Substrate-removal-free Vertical DUV LED (RefV-LED)"

N.Kurose, Y.Aoyagi

5th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2014年
Si上縦型深紫外LEDの開発と応用

柴野謙太朗, 黒瀬範子, 荒木努, 青柳克信

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年
マイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の開発と応用

黒瀬範子, 青柳克信

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年
マイクロプラズマ励起高出力大面積深紫外発光素子（MIPE)の開発と応用

黒瀬範子, 青柳克信

平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2013年
Development of Removal Free Vertical Deep Ultraviolet Light Emitting Diode (Ref-V-DUVLED) Using AlGaN Nitride Semiconductors on Si+(111) Substrate

Noriko Kurose, Kentaro Shibano, Tsutomu Araki, Yoshinobu Aoyagi

_the 2013 MRS Spring Meeting 2013年
Microplasma excited deep UV light emitter(MIPE) using AlGaN quantum wells:Development and applications

N.kurose

Laserion 2013 2013年招待有り

もっとみる

所属学協会

応用物理学会

黒瀬範子

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

論文

講演・口頭発表等

所属学協会

メニュー

共著者の一覧