基本情報

所属
上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授
(兼任)半導体研究所所長
学位
工学士(上智大学)
工学修士(上智大学)
博士（工学）(上智大学)
研究者番号
90266073
J-GLOBAL ID
200901002456943226
researchmap会員ID
1000167938

1992年 4月～1994年 3月　日本学術振興会 特別研究員
1992年 4月～1994年 3月　上智大学 理工学部 客員研究員
1994年 4月～2006年 3月　上智大学 理工学部 助手
2006年 4月～2008年 3月　上智大学 理工学部 講師
2008年 3月～2015年 3月　上智大学 理工学部 准教授
2015年 4月～現在　　　　 上智大学 理工学部 教授

1995年11月～1996年 7月　通産省 電子技術総合研究所 通商産業技官（非常勤）
1996年 8月～1998年 3月　通産省 電子技術総合研究所 外来研究員（非常勤）

専門領域：半導体工学、光･量子エレクトロニクス、ナノ結晶工学、有機半導体デバイス
担当科目：アナログ電子回路、光エレクトロニクス、光デバイス工学（院）、機能創造理工学実験・演習１、機能創造理工学実験・演習２、情報フルエンシー「HTMLとCSSを用いたWEBページ作成技法」

(研究テーマ)
窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新しい機能性デバイス材料の開発
InGaNナノコラムの多色発光機構の解明とデバイス応用に関する研究
短波長半導体レーザに関する研究

研究キーワード

  14

研究分野

  3

経歴

  1

学歴

  1

受賞

  2

論文

  221
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MISC

  87
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書籍等出版物

  17

講演・口頭発表等

  899
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所属学協会

  6

主要な共同研究・競争的資金等の研究課題

  24
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産業財産権

  40
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その他

  16
  • 2006年10月
    当日の授業内容に関する小テストを行って授業内容の理解度を確認している。講義時間が若干減るが、むしろ授業に対する学生の集中度が増して講義の効率が高まっている。\n小テストは採点して次回の授業で返却している。回答率の悪い問題に対しては復習を兼ねた解説を行っている。
  • 2006年4月
    授業（講義により頻度は異なる）において、進行速度、理解度、取り上げてほしいテーマなどを記述できるリアクションペーパを配布してその場で回収し、次回の授業計画にフィードバックしている。\n特に、学生の理解度を把握をする上で効果が高い。理解度の低いと思われる内容については次回の授業の初めに復習を行っている。
  • 2006年4月
    授業で使用したpdfファイルを若干の修正を行った後、学内ネットワーク上のレポート提出システムを利用して配布し、授業の復習が行いやすいように配慮している。
  • 2006年4月
    授業終了時に課題を与え、提出期限を次回の授業前日と設定し、次回の授業で課題の解説を行っている。\n授業時間後の復習効果が高まり、復習として効果的である。
  • 2006年4月
    コンピュータを用いた授業では、重要なテーマ毎に簡単な演習課題を与え、着実に理解できるような授業構成を心がけている。\n演習時にはTAが個別に対応することで、理解度の異なる学生に対しても綿密な指導ができるよう配慮している。
  • 2006年2月 - 2006年2月
    Alan Mills,Expanding horaizons for nitride devices & materials,Ⅲ-Ⅴ Review,Vol.19,No.1,February 2006,Elsevier Publication,ISSN 0961-1290
  • 2005年4月 - 2005年4月
    化学工業日報 新材料/機能製品、ナノコラム結晶でLED 上智大が開発
  • 2005年 - 2005年
    電子情報通信学会誌Vol.88,No.85,2005 ニュース解説「｢｣柱状ナノ結晶を用いた新しい窒化ガリウム系LEDwo開発」
  • 2004年12月 - 2004年12月
    日刊工業新聞（朝刊）Business&Technology、数百培に高輝度化 上智大、柱状ナノ結晶で実現
  • 2004年12月 - 2004年12月
    応用物理 第74巻第1号（2005）最新論文紹介JJAP Express Letters "Jpn.J.Appl.Pys.43(2004)L1524 Pt.2,N0.12A,Dec.2004.Si(111)基盤上InGaN/GaN多重量子ディスクナノコラム発光ダイオード
  • 2002年5月 - 2002年5月
    日刊工業新聞（朝刊）Business&Technology、セレン化亜鉛系半導体InP基板で復活の兆し
  • 2002年4月 - 2002年4月
    日刊工業新聞（朝刊）Business&Technology、1.15-1.6マイクロメートル帯のISBT吸収 窒化物半導体で観測
  • 2002年4月 - 2002年4月
    日刊工業新聞（朝刊）Business&Technoloy、共鳴トンネルダイオード 窒化物半導体で室温動作
  • 1997年6月 - 1997年6月
    日刊工業新聞（朝刊）Business&Technology ナノ構造に自己形成 窒化ガリウムを柱状に
  • 1995年6月 - 1995年6月
    日本工業新聞テクノヒューマン、第8回安藤博記念学術賞を受賞