2009年 - 2011年
窒化物半導体ナノウォール結晶のヘテロ構造制御と光・電子デバイス応用技術の開発
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
- 課題番号
- 21310087
- 体系的課題番号
- JP21310087
- 担当区分
- 研究代表者
- 配分額
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- (総額)
- 19,370,000円
- (直接経費)
- 14,900,000円
- (間接経費)
- 4,470,000円
- 資金種別
- 競争的資金
人為的に形状制御が可能な薄膜板状GaNナノ結晶であるGaNナノウォールのRF-MBE選択成長技術を確立し、ナノウォール結晶は貫通転位抑制機構により高品質結晶成長が可能であることを見出した。また、GaNナノウォール上部形状制御技術、InGaN発光層の内在条件と発光特性のナノウォール形状依存性を明らかにした。GaNナノウォールからの室温光励起発振の観測および世界に先駆けてのAlGaN/GaNヘテロ構造ナノFETの動作検証により、光・電子デバイス応用の可能性を実証した。
- ID情報
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- 課題番号 : 21310087
- 体系的課題番号 : JP21310087