草場彰 - マイポータル

基本情報

所属: 学習院大学計算機センター JSPS特別研究員PD

学位: 博士(工学)(2019年3月九州大学)

連絡先: 20199028gakushuin.ac.jp
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-1296-9180

外部リンク: https://scholar.google.co.jp/citations?user=xO1LXsAAAAAJ

研究キーワード

研究分野

経歴

2019年4月 - 現在

日本学術振興会特別研究員PD
2016年4月 - 2019年3月

日本学術振興会特別研究員DC

学歴

2014年4月 - 2019年3月

九州大学工学府航空宇宙工学専攻
2010年4月 - 2014年3月

九州大学工学部機械航空工学科

受賞

2020年2月

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
2019年11月

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
2019年5月

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) CSW Best Student Paper Award

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
2018年4月

6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18) Student's Paper Award (Yamaguchi Masahito Award)

Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu
2017年12月

第46回結晶成長国内会議学生ポスター賞

草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一

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論文

Sparsity-Promoting Dynamic Mode Decomposition of Plasma Turbulence

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Shigeru Inagaki

Plasma and Fusion Research 15 1301001:1 - 1301001:4 2020年1月査読有り
Thermodynamic analysis for nonpolar III-nitride surfaces under metalorganic vapor-phase epitaxy conditions

Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics 59(2) 2020年1月査読有り
Time Series Electricity Consumption Analysis using Non-negative Matrix Factorization

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Takako Hashimoto

Proceedings of the 10th International Conference on Awareness Science and Technology (iCAST 2019) 1 - 6 2019年10月査読有り
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth conditions

Yuki Seta, Abdul Muizz, Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SC1014:1 - SC1014:9 2019年5月査読有り
CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films

Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von, Spakovsky, Yoshihiro Kangawa

Materials 12(6) 972:1 - 972:14 2019年3月査読有り

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MISC

III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 45(1) 45-1-03:1 - 45-1-03:8 2018年4月査読有り招待有り
窒化物半導体MOVPEの熱力学解析～面方位依存性～

寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

日本結晶成長学会誌 43(4) 233 - 238 2017年8月査読有り招待有り

講演・口頭発表等

GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年2月1日
気相反応の観点から見たGaN MOVPE中の炭素混入の原因の解明

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年1月31日
DMD法を用いたPANTAプラズマ乱流データの非定常解析

草場彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマの複雑現象を対象としたデータマイニングの活用」 2019年12月12日
スパース動的モード分解によるプラズマ乱流データの解析

草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕, 稲垣滋

第36回プラズマ・核融合学会年会 2019年12月1日
Theoretical Study of the Origins of Carbon Impurities on GaN MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective ~ Incorporation of Ga and C Related Molecules ~

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019) 2019年11月14日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

結晶成長プロセス・インフォマティクスの創出による宇宙用パワー半導体の研究開発

日本学術振興会科学研究費補助金特別研究員奨励費

草場彰
窒化ガリウム結晶成長プロセスの理論データベース構築とデータ科学への応用

九州大学応用力学研究所共同利用研究若手キャリアアップ支援研究

草場彰
耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発

日本学術振興会科学研究費補助金特別研究員奨励費

草場彰