草場彰 (Akira KUSABA) - マイポータル

基本情報

所属: 九州大学応用力学研究所助教

学位: 博士 (工学)(2019年3月九州大学)

連絡先: kusabariam.kyushu-u.ac.jp
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-1296-9180

外部リンク: https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K007621/index.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年12月 - 現在

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業（ACT-X）個人研究者
2020年6月 - 現在

九州大学情報基盤研究開発センター附属汎オミクス計測・計算科学センター協力教員
2020年6月 - 現在

九州大学応用力学研究所助教
2019年4月 - 2020年5月

日本学術振興会特別研究員（PD）
2016年4月 - 2019年3月

日本学術振興会特別研究員（DC1）

学歴

2014年4月 - 2019年3月

九州大学工学府航空宇宙工学専攻
2010年4月 - 2014年3月

九州大学工学部機械航空工学科

受賞

2021年1月

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) Outstanding Poster Award Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
2020年2月

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
2019年11月

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
2019年5月

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) CSW Best Student Paper Award Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
2018年4月

6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18) Student's Paper Award (Yamaguchi Masahito Award) Formation Mechanism of Singular Structure in AlInN Layer Grown on M-GaN Substrate by MOVPE

Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu
2017年12月

第46回結晶成長国内会議学生ポスター賞 GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析

草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一
2017年10月

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) Outstanding Presentation Award Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
2016年3月

九州大学学生表彰 (学術研究活動表彰)

草場彰
2015年11月

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) Young Scientist Award Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto
2015年9月

5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) Poster Prize of Italian Association of Crystallography Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto
2015年5月

第7回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞 InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析

草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一
2014年3月

日本航空宇宙学会西部支部優秀学生賞

草場彰

論文

Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 60(4) 045507:1 - 045507:6 2021年4月8日査読有り
Unsupervised Feature Value Selection Based on Explainability

Kilho Shin, Kenta Okumoto, David Lawrence Shepard, Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Jorge Amari, Keisuke Murota, Junnosuke Takai, Tetsuji Kuboyama, Hiroaki Ohshima

Revised Selected Papers of the 12th International Conference on Agents and Artificial Intelligence (ICAART 2020) 421 - 444 2021年2月13日査読有り
Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

Crystal Growth & Design 21(3) 1878 - 1890 2021年2月1日査読有り
Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach

Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu

CrystEngComm 23(6) 1423 - 1428 2021年1月15日査読有り
Unsupervised Clustering based on Feature-value / Instance Transposition Selection

Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Kilho Shin, David Shepard, Tetsuji Kuboyama

Proceedings of the IEEE Region 10 Conference 2020 (TENCON 2020) 1192 - 1197 2020年11月19日査読有り筆頭著者責任著者
Predictive Nonlinear Modeling by Koopman Mode Decomposition

Akira Kusaba, Kilho Shin, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama

Proceedings of the International Conference on Data Mining Workshops 2020 (ICDMW 2020) 811 - 819 2020年11月17日査読有り筆頭著者責任著者
Twitter Topic Progress Visualization using Micro-Clustering

Takako Hashimoto, Akira Kusaba, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Takeaki Uno

Proceedings of the 9th International Conference on Pattern Recognition Applications and Methods (ICPRAM 2020) 585 - 592 2020年2月22日査読有り
Thermodynamic analysis for nonpolar III-nitride surfaces under metalorganic vapor-phase epitaxy conditions

Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics 59(2) 028003:1 - 028003:4 2020年1月27日査読有り
Sparsity-Promoting Dynamic Mode Decomposition of Plasma Turbulence

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Shigeru Inagaki

Plasma and Fusion Research 15 1301001:1 - 1301001:4 2020年1月6日査読有り筆頭著者責任著者
Time Series Electricity Consumption Analysis using Non-negative Matrix Factorization

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Takako Hashimoto

Proceedings of the 10th International Conference on Awareness Science and Technology (iCAST 2019) 1 - 6 2019年10月23日査読有り筆頭著者責任著者
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth conditions

Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SC1014:1 - SC1014:9 2019年5月1日査読有り
CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films

Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa

Materials 12(6) 972:1 - 972:14 2019年3月23日査読有り筆頭著者責任著者
DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy

Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 111(14) 141602:1 - 141602:5 2017年10月2日査読有り
Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics

Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

Materials 10(8) 948:1 - 948:13 2017年8月15日査読有り筆頭著者責任著者
Thermodynamic analysis of (0001) and (000-1) GaN metalorganic vapor phase epitaxy

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Hubert Valencia, Kenji Shiraishi, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

Japanese Journal of Applied Physics 56(7) 070304:1 - 070304:4 2017年6月8日査読有り筆頭著者責任著者
Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

Applied Physics Express 9(12) 125601:1 - 125601:4 2016年11月17日査読有り筆頭著者責任著者
Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto

Japanese Journal of Applied Physics 55(5S) 05FM01:1 - 05FM01:4 2016年2月26日査読有り筆頭著者責任著者
Real-time observation system development for high-temperature liquid/solid interfaces and its application to solid-source solution growth of AlN

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Hiroaki Sumiyoshi, Hideto Miyake, Michał Boćkowski, Koichi Kakimoto

Applied Physics Express 8(6) 065601:1 - 065601:3 2015年6月1日査読有り
ナノスケールの親水部を有する撥水面での凝縮に関する研究

山田寛, 草場彰, 生田竜也, 西山貴史, 高橋厚史, 高田保之

日本機械学会論文集 81(823) 14-00495:1 - 14-00495:7 2015年3月25日査読有り
Wettability-Driven Water Condensation at the Micron and Submicron Scale

Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata

Proceedings of the 15th International Heat Transfer Conference (IHTC-15) 827 - 834 2014年8月12日査読有り

MISC

データ駆動アプローチを用いた動的乱流現象の解析（小特集：磁場閉じ込め核融合プラズマにおけるデータ駆動アプローチによる物理モデリングの進展）

佐々木真, 河原吉伸, 草場彰

プラズマ・核融合学会誌 97(2) 79 - 85 2021年2月25日査読有り
Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations

Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski

日本結晶成長学会誌 47(3) 47-3-05:1 - 47-3-05:9 2020年10月30日査読有り
窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究

草場彰

九州大学学位論文 2019年3月20日査読有り
III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 45(1) 45-1-03:1 - 45-1-03:8 2018年4月27日査読有り
窒化物半導体MOVPEの熱力学解析～面方位依存性～

寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

日本結晶成長学会誌 43(4) 233 - 238 2017年8月23日査読有り

講演・口頭発表等

First-principles study of Mg and O co-doping mechanism in the growth surface during GaN(0001) and AlN(0001) metalorganic vapor phase epitaxy

Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

32nd IUPAP Conference on Computational Physics (CCP 2021) 2021年8月
Prediction of plasma turbulence using Hankel and sparsity-promoting dynamic mode decomposition

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Makoto Sasaki, Shigeru Inagaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021) 2021年3月10日
プラズマ乱流データにおけるDMD固有値の高精度推定

草場彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマインフォマティクス研究会」 2021年1月29日
ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川善裕, 白石賢二

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2021年1月23日
More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) 2021年1月21日招待有り
Ab initio-based approach to GaN HVPE and THVPE processes: p-type doping and facet stability

Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Pawel Kempisty, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) 2021年1月21日
Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) 2021年1月20日
Unsupervised Clustering based on Feature-value / Instance Transposition Selection

Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Kilho Shin, David Shepard, Tetsuji Kuboyama

IEEE Region 10 Conference 2020 (TENCON 2020) 2020年11月19日
Predictive Nonlinear Modeling by Koopman Mode Decomposition

Akira Kusaba, Kilho Shin, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama

15th International Workshop on Spatial and Spatiotemporal Data Mining (SSTDM '20) In Cooperation with IEEE ICDM 2020 2020年11月17日
機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索

草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人

第49回結晶成長国内会議 2020年11月10日
GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第49回結晶成長国内会議 2020年11月9日
Long-Time Dynamic Mode Decomposition of Plasma Turbulence

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Shigeru Inagaki

29th International Toki Conference on Plasma and Fusion Research (ITC-29) 2020年10月29日
Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Norimatsu, Hideto Miyake

第39回電子材料シンポジウム 2020年10月8日
らせん転位とMg不純物との複合体を含むGaNの第一原理電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月13日招待有り
Twitter Topic Progress Visualization using Micro-Clustering

Takako Hashimoto, Akira Kusaba, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Takeaki Uno

9th International Conference on Pattern Recognition Applications and Methods (ICPRAM 2020) 2020年2月22日
GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年2月1日
気相反応の観点から見たGaN MOVPE中の炭素混入の原因の解明

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年1月31日
DMD法を用いたPANTAプラズマ乱流データの非定常解析

草場彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマの複雑現象を対象としたデータマイニングの活用」 2019年12月12日
スパース動的モード分解によるプラズマ乱流データの解析

草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕, 稲垣滋

第36回プラズマ・核融合学会年会 2019年12月1日
Theoretical Study of the Origins of Carbon Impurities on GaN MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective ~ Incorporation of Ga and C Related Molecules ~

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019) 2019年11月14日

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所属学協会

Works(作品等)

[Cover Art] Crystal Growth & Design 21(3)

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

2021年2月1日
[表紙の絵] プラズマ・核融合学会誌 96(2)

草場彰, 久保山哲二, 稲垣滋

2020年2月25日

共同研究・競争的資金等の研究課題

炭素ポンプを用いた水素循環制御の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究 (A) 2021年4月 - 2026年3月

花田和明, 大宅諒, 草場彰
表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2020年4月 - 2024年3月

草場彰
次世代半導体開発におけるプロセス設計の革新

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 ACT-X 2020年12月 - 2023年3月

草場彰
省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション

文部科学省「富岳」成果創出加速プログラム 2020年4月 - 2023年3月

押山淳
結晶成長プロセス・インフォマティクスの創出による宇宙用パワー半導体の研究開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2019年4月 - 2022年3月

草場彰
窒化ガリウム結晶成長プロセスの理論データベース構築とデータ科学への応用

九州大学応用力学研究所共同利用研究若手キャリアアップ支援研究 2018年4月 - 2019年3月

草場彰
耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2016年4月 - 2019年3月

草場彰

草場彰

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論文

MISC

講演・口頭発表等

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

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