草場 彰

J-GLOBALへ         更新日: 19/10/01 18:05
 
アバター
研究者氏名
草場 彰
 
クサバ アキラ
URL
https://scholar.google.co.jp/citations?user=xO1LXsAAAAAJ
所属
学習院大学
部署
計算機センター
職名
JSPS特別研究員PD
学位
博士 (工学) (九州大学)
ORCID ID
0000-0002-1296-9180

研究分野

 
 

経歴

 
2019年4月
 - 
現在
学習院大学 計算機センター JSPS特別研究員PD
 
2016年4月
 - 
2019年3月
九州大学 工学府 JSPS特別研究員DC1
 

学歴

 
2014年4月
 - 
2019年3月
九州大学 工学府 航空宇宙工学専攻
 
2010年4月
 - 
2014年3月
九州大学 工学部 機械航空工学科
 

受賞

 
2018年4月
6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18) Student's Paper Award (Yamaguchi Masahito Award)
受賞者: Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu
 
2017年12月
第46回結晶成長国内会議 学生ポスター賞
受賞者: 草場彰,李冠辰,マイケル・ヴォン・スパコフスキー,寒川義裕,柿本浩一
 
2017年10月
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) Outstanding Presentation Award
受賞者: Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
 
2016年3月
九州大学 学生表彰 (学術研究活動表彰)
 
2015年11月
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) Young Scientist Award
受賞者: Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto
 
2015年9月
5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) Poster Prize of Italian Association of Crystallography
受賞者: Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto
 
2015年5月
第7回窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞
受賞者: 草場彰,寒川義裕,柿本浩一
 
2014年3月
日本航空宇宙学会西部支部 優秀学生賞
 

論文

 
Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
Japanese Journal of Applied Physics   58(SC) SC1014:1-SC1014:9   2019年5月   [査読有り]
Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa
Materials   12(6) 972:1-972:14   2019年3月   [査読有り]
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, Hiroshi Amano
Applied Physics Letters   111(14) 141602:1-141602:5   2017年10月   [査読有り]
Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Materials   10(8) 948:1-948:13   2017年8月   [査読有り]
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Hubert Valencia, Kenji Shiraishi, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics   56(7) 070304:1-070304:4   2017年6月   [査読有り]
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
Applied Physics Express   9(12) 125601:1-125601:4   2016年11月   [査読有り]
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto
Japanese Journal of Applied Physics   55(5S) 05FM01:1-05FM01:4   2016年2月   [査読有り]
Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Hiroaki Sumiyoshi, Hideto Miyake, Michał Boćkowski, Koichi Kakimoto
Applied Physics Express   8(6) 065601:1-065601:3   2015年6月   [査読有り]
山田寛,草場彰,生田竜也,西山貴史,高橋厚史,高田保之
日本機械学会論文集   81(823) 14-00495:1-14-00495:7   2015年3月   [査読有り]
Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata
Proceedings of the 15th International Heat Transfer Conference (IHTC-15)   827-834   2014年8月   [査読有り]

Misc

 
草場 彰
九州大学学位論文      2019年3月
秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕
日本結晶成長学会誌   45(1) 45-1-03:1-45-1-03:8   2018年4月   [査読有り][依頼有り]
寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯
日本結晶成長学会誌   43(4) 233-238   2017年8月   [査読有り][依頼有り]

講演・口頭発表等

 
動的モード分解におけるモード数低減手法の実験的比較
草場彰,久保山哲二
人工知能学会第110回人工知能基本問題研究会   2019年9月24日   
らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析
中野崇志,原嶋庸介,長川健太,洗平昌晃,白石賢二,押山淳,草場彰,寒川義裕,田中敦之,本田善央,天野浩
第80回応用物理学会秋季学術講演会   2019年9月21日   
MOVPE条件下におけるIII族窒化物半導体無極性面の熱力学解析
清水紀志,秋山亨,アブドルムィッツプラディプト,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕
第80回応用物理学会秋季学術講演会   2019年9月18日   
プラズマ乱流データの動的モード分解
草場 彰
プラズマインフォマティクス研究会   2019年9月18日   
Microscopic Reason for the Leakage Current due to the Mg-Attached Dislocation in GaN
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM 2019)   2019年9月5日   
第一原理計算と熱力学的解析によるGaN MOVPE成長中の炭素取り込みの考察
大河内勇斗,長川健太,洗平昌晃,草場彰,寒川義裕,柿本浩一,Zheng Ye,本田善央,新田州吾,天野浩,白石賢二
ポスト「京」プロジェクト重点課題(7)「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム   2019年8月9日   
第一原理計算によるGaNらせん転位中のMg不純物の研究
中野崇志,原嶋庸介,長川健太,洗平昌晃,白石賢二,押山淳,草場彰,寒川義裕,田中敦之,本田善央,天野浩
ポスト「京」プロジェクト重点課題(7)「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム   2019年8月9日   
STUDY OF THE ORIGINS OF CARBON IMPURITIES ON GAN MOVPE FROM A GAS PHASE REACTION PERSPECTIVE
Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi
19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)   2019年7月30日   
Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with M-Plane Surface
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)   2019年7月8日   
Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)   2019年5月22日   
MOVPE法のGaN結晶成長3次元マルチフィジックスシミュレーション
川上賢人,高村昴,草場彰,芳松克則,岡本直也,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月10日   
化学反応を含むGaN結晶成長流体シミュレーション手法の開発
榊原聡真,川上賢人,高村昴,洗平昌晃,草場彰,岡本直也,芳松克則,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月10日   
縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーション
富澤巧,川上賢人,櫻井照夫,草場彰,岡本直也,芳松克則,醍醐佳明,⽔島⼀郎,依⽥孝,寒川義裕,柿本浩⼀,白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月10日   
気相反応から考えるGaN MOVPEにおける炭素混入機構
大河内勇斗,長川健太,洗平昌晃,草場彰,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月10日   
GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析
中野崇志,長川健太,洗平昌晃,白石賢二,押山淳,宇佐美茂佳,草場彰,寒川義裕,田中敦之,本田善央,天野浩
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月9日   
GaNにおける貫通転位およびナノパイプm壁面の電子状態解析
中野崇志,長川健太,大河内勇斗,洗平昌晃,白石賢二,押山淳,草場彰,寒川義裕,田中敦之,本田善央,天野浩
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-   2019年1月25日   
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition
Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)   2018年11月15日   
Multiphysics simulation of GaN MOVPE: Flow influence on GaN growth-orientation
Subaru Komura, Kento Kawakami, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)   2018年11月15日   
Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000-1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration
Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)   2018年11月12日   
Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer
Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Yoshihiro Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)   2018年11月12日   
表面再構成構造を考慮したGaN MOVPEのマルチフィジックス流動シミュレーション
川上賢人,高村昴,草場彰,芳松克則,岡本直也,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第47回結晶成長国内会議   2018年11月1日   
GaN結晶成長過程における炭素混入メカニズムの理論的解明
大河内勇斗,長川健太,洗平昌晃,草場彰,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第47回結晶成長国内会議   2018年11月1日   
Flow influence on GaN MOVPE growth-orientation
Subaru Komura, Kento Kawakami, Yoshihiro Yamamoto, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi
9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)   2018年10月23日   
Methodology for Multiphysics Flow Simulation in GaN MOVPE using Thermodynamic Analysis and First Principles Calculations for GaN Deposition
Kento Kawakami, Subaru Komura, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi
9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)   2018年10月22日   
窒化ガリウム極性面におけるメタン吸着確率と炭素不純物取り込み [招待有り]
草場彰,李冠辰,パヴェウ・ケンピスティ,マイケル・フォン・スパコフスキー,寒川義裕
日本学術振興会第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』   2018年9月27日   
有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析:半極性面の検討
瀬田雄基,アブドルムィッツプラディプト,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月19日   
Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System
Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa
7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)   2018年8月7日   
Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE
Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa
7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)   2018年8月7日   
GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性
草場彰,李冠辰,パヴェウ・ケンピスティ,マイケル・フォン・スパコフスキー,寒川義裕
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   2018年7月12日   
Formation Mechanism of Singular Structure in AlInN Layer Grown on M-GaN substrate by MOVPE [招待有り]
Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu
6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18)   2018年4月27日   
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)
稲富悠也,草場彰,柿本浩一,寒川義裕,小島一信,秩父重英
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
Driving force for m-plane GaN MOVPE: a new thermodynamic modeling
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2018)   2018年3月5日   
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響I
川上賢人,高村昴,山本芳裕,草場彰,芳松克則,岡本直也,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第46回結晶成長国内会議   2017年11月29日   
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響II
高村昴,川上賢人,山本芳裕,草場彰,芳松克則,岡本直也,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二
第46回結晶成長国内会議   2017年11月29日   
GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析
草場彰,李冠辰,マイケル・ヴォン・スパコフスキー,寒川義裕,柿本浩一
第46回結晶成長国内会議   2017年11月28日   
Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics
Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)   2017年11月16日   
Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)   2017年9月30日   
Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic behavior of ammonia chemical adsorption on GaN(0001) surfaces under MOVPE
Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
E-MRS 2017 Fall Meeting   2017年9月18日   
NH3化学吸着の非平衡状態発展:最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング
草場彰,Guanchen Li,Michael R. von Spakovsky,寒川義裕,柿本 浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   2017年7月14日   
Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Michael R. von Spakovsky, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
International Workshop on Ntride Semiconductors 2016 (IWN 2016)   2016年10月4日   
Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi, Hiroshi Amano, Akinori Koukitu
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月9日   
Contribution of lattice constraint to indium incorporation into coherently grown InGaN
Takuya Tamura, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Tadeusz Suski, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月9日   
InおよびN極性InN有機金属気相成長の熱力学解析
草場彰,寒川義裕,柿本浩一,白石賢二,纐纈明伯
第35回電子材料シンポジウム   2016年7月7日   
InN(0001)面および(000-1)面MOVPE成長の熱力学解析
草場彰,寒川義裕,白石賢二,柿本浩一,纐纈明伯
第8回窒化物半導体結晶成長講演会   2016年5月9日   
Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)   2015年11月11日   
Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto
5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5)   2015年9月9日   
Surface Energy and Facet Formation in InN films grown by Pressurized-Reactor MOVPE
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Koichi Kakimoto
第34回電子材料シンポジウム   2015年7月15日   
InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入:表面エネルギーの理論解析
草場彰,寒川義裕,柿本浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会   2015年5月8日   
AlN固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察
草場彰,住吉央朗,寒川義裕,三宅秀人,柿本浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会   2015年5月7日   
Wettability-Driven Water Condensation at the Micron and Submicron Scale
Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata
15th International Heat Transfer Conference (IHTC-15)   2014年8月12日   
グラファイト面上におけるサブミクロンスケールの液滴核生成と成長
山田寛,草場彰,生田竜也,西山貴史,高橋厚史,高田保之
第51回日本伝熱シンポジウム   2014年5月22日   
Growth and Coalescence of Condensed Microdroplets on Graphite Surface
Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata
5th International Conference on Heat Transfer and Fluid Flow in Microscale (HTFFM-V)   2014年4月22日   
ESEMを用いたグラファイト面上の液滴凝縮過程に関する研究
山田寛,草場彰,生田竜也,西山貴史,高橋厚史,高田保之
日本機械学会熱工学コンファレンス2013   2013年10月20日   
Microscopic Mechanism of Water Condensation on HOPG
Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata
International Symposium on Innovative Materials for Processes in Energy Systems 2013 (IMPRES 2013)   2013年9月6日   

競争的資金等の研究課題

 
日本学術振興会: 科学研究費補助金 特別研究員奨励費
研究期間: 2019年4月 - 2022年3月    代表者: 草場 彰
九州大学応用力学研究所: 共同利用研究 若手キャリアアップ支援研究
研究期間: 2018年4月 - 2019年3月    代表者: 草場 彰
日本学術振興会: 科学研究費補助金 特別研究員奨励費
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月    代表者: 草場 彰