草場彰 (Akira KUSABA) - 受賞

2021年1月

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) Outstanding Poster Award Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

2020年2月

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

2019年11月

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

2019年5月

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) CSW Best Student Paper Award Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

2018年4月

6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18) Student's Paper Award (Yamaguchi Masahito Award) Formation Mechanism of Singular Structure in AlInN Layer Grown on M-GaN Substrate by MOVPE

Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

2017年12月

第46回結晶成長国内会議学生ポスター賞 GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析

草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一

2017年10月

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) Outstanding Presentation Award Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

2016年3月

九州大学学生表彰 (学術研究活動表彰)

草場彰

2015年11月

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) Young Scientist Award Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto

2015年9月

5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) Poster Prize of Italian Association of Crystallography Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto

2015年5月

第7回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞 InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析

草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一

2014年3月

日本航空宇宙学会西部支部優秀学生賞

草場彰