草場彰 - MISC - researchmap

MISC

III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 45(1) 45-1-03:1 - 45-1-03:8 2018年4月査読有り招待有り
窒化物半導体MOVPEの熱力学解析～面方位依存性～

寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

日本結晶成長学会誌 43(4) 233 - 238 2017年8月査読有り招待有り