草場彰 (Akira KUSABA) - MISC

GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状（特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開：シミュレーションからデジタルツインへ」）

草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳

日本結晶成長学会誌 50(1) 50-1-05 2023年4月28日査読有り筆頭著者責任著者

窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展（特集「結晶成長ダイナミクスの展望－平衡過程と非平衡過程の協奏－」）

寒川義裕, 草場彰

表面と真空 66(4) 227-232 2023年4月10日査読有り

データ駆動アプローチを用いた動的乱流現象の解析（小特集「磁場閉じ込め核融合プラズマにおけるデータ駆動アプローチによる物理モデリングの進展」）

佐々木真, 河原吉伸, 草場彰

プラズマ・核融合学会誌 97(2) 79-85 2021年2月25日査読有り

Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations（特集「深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展」）

Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski

日本結晶成長学会誌 47(3) 47-3-05 2020年10月30日査読有り

窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究

草場彰

九州大学学位論文 2019年3月20日

III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析（特集「特異構造の結晶科学～結晶成長と構造・物性相関～」）

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 45(1) 45-1-03 2018年4月27日査読有り

窒化物半導体MOVPEの熱力学解析～面方位依存性～（特集「エピタキシーの基礎～ステップダイナミクスと熱力学的考察～」）

寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

日本結晶成長学会誌 43(4) 233-238 2017年8月23日査読有り

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