草場彰 (Akira KUSABA) - 講演・口頭発表等

Bayesian optimization and Ising model in DFT calculations of surface reconstruction

Akira Kusaba

24th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (ASIAN-24) 2023年10月招待有り

Data Assimilation in Semiconductor Crystal Growth: Chemical Reaction Network Modeling

Akira Kusaba

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月16日招待有り

InN MOVPE成長におけるTMI分解経路の理論的解析

長嶋佑哉, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日

反応経路自動探索によるトリメチルガリウム分解過程の理論解析

杉山佳奈美, 草場彰

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日

Theoretical exploration of widegap materials with the corundum structure for heteroepitaxy on α-Ga2O3

Shun Yamakawa, Hirofumi Akamatsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023年8月3日

Ising model-based analysis of the GaN(0001) surface reconstructed structures sampled from Bayesian optimization

Karol Kawka, Paweł Kempisty, Stanisław Krukowski, Michał Boćkowski, David Bowler, Akira Kusaba

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023年7月31日

スパッタAlN膜の高温アニールプロセスにおけるスパースモデリング

原太一, 草場彰, 寒川義裕, 三宅秀人

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2023年6月16日

Bayesian optimization and data assimilation in crystal growth

Akira Kusaba

Numerical Analysis Seminar at Faculty of Mathematics, Informatics and Mechanics, University of Warsaw. 2023年3月16日招待有り

Improvement of gas-phase reaction model and surface structure model for precise prediction of doping in GaN MOCVD

Akira Kusaba

IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors 2023年3月15日招待有り

データ科学による結晶成長モデリングの高度化

草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳

第2回スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム研究交流会 2023年3月8日

ベイズ最適化による半導体表面混合状態の研究

草場彰

第2回スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム研究交流会 2023年3月7日

窒化物半導体MOVPEにおける表面相図：不純物混入の寄与

木原楓太, 草場彰, 寒川義裕

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月25日

AlN・InN MOVPE成長におけるTMA・TMI分解経路の理論的解析

長嶋佑哉, 赤石大地, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月24日

Growth Simulation of GaN MOVPE Based on Rate Equation Analysis

Masaki Sano, Yuya Nagashima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日

Ab Initio Studies on TMA and TMI Decomposition during MOVPE Growth

Yuya Nagashima, Daichi Akaishi, Shugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日

Modelling interlayer diffusion in III-nitride hetero interface

Koyo Miyamoto, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

第41回電子材料シンポジウム 2022年10月20日

Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning

Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama

第41回電子材料シンポジウム 2022年10月19日

Tuning of Ab Initio Reaction Rate in GaN Metalorganic Vapor Phase Epitaxy by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data

Akira Kusaba, Zheng Ye, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) 2022年10月11日

Data-driven approach to predict growth conditions of compound semiconductor nanowires for optical devices by molecular beam epitaxy

Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama

IUMRS-ICYRAM 2022 2022年8月6日

熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

長嶋佑哉, 木村友哉, 洗平昌晃, 長川健太, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日

草場彰

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