草場彰 - 講演・口頭発表等

GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年2月1日

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 2020年1月31日

DMD法を用いたPANTAプラズマ乱流データの非定常解析

草場彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマの複雑現象を対象としたデータマイニングの活用」 2019年12月12日

スパース動的モード分解によるプラズマ乱流データの解析

草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕, 稲垣滋

第36回プラズマ・核融合学会年会 2019年12月1日

Theoretical Study of the Origins of Carbon Impurities on GaN MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective ~ Incorporation of Ga and C Related Molecules ~

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019) 2019年11月14日

The Electronic State Behavior of the Mg-Segregated Dislocation in GaN

Takashi Nakano, Yosuke Harashima, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019) 2019年11月11日

GaN Crystal Growth Multi Physics Simulation With Gas Phase Chemical Reaction

Souma Sakakibara, Akira Kusaba, Masaaki Araidai, Naoya Okamoto, Katsunori Yoshimatsu, H Watanabe, Shugo Nitta, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 2019年11月3日

Study of the Origins of Carbon Impurities on Gallium Nitride MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 2019年11月2日

Theoretical Study about the Leakage Current due to the Dislocation of Mg Segregation in GaN

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019) 2019年11月2日

Time Series Electricity Consumption Analysis using Non-negative Matrix Factorization

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Takako Hashimoto

10th IEEE International Conference on Awareness Science and Technology (iCAST 2019) 2019年10月23日

動的モード分解におけるモード数低減手法の実験的比較

草場彰, 久保山哲二

人工知能学会第110回人工知能基本問題研究会 2019年9月24日

らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月21日

プラズマ乱流データの動的モード分解

草場彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマインフォマティクス研究会」 2019年9月18日

MOVPE条件下におけるIII族窒化物半導体無極性面の熱力学解析

清水紀志, 秋山亨, アブドルムィッツプラディプト, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日

Microscopic Reason for the Leakage Current due to the Mg-Attached Dislocation in GaN

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM 2019) 2019年9月5日

第一原理計算と熱力学的解析によるGaN MOVPE成長中の炭素取り込みの考察

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, Zheng Ye, 本田善央, 新田州吾, 天野浩, 白石賢二

ポスト「京」プロジェクト重点課題（7）「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム 2019年8月9日

第一原理計算によるGaNらせん転位中のMg不純物の研究

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

ポスト「京」プロジェクト重点課題（7）「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム 2019年8月9日

STUDY OF THE ORIGINS OF CARBON IMPURITIES ON GAN MOVPE FROM A GAS PHASE REACTION PERSPECTIVE

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) 2019年7月30日

Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with M-Plane Surface

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) 2019年7月8日

Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) 2019年5月22日