2016年11月17日
Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy
Applied Physics Express
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- 巻
- 9
- 号
- 12
- 開始ページ
- 125601:1
- 終了ページ
- 125601:4
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.7567/APEX.9.125601
- 出版者・発行元
- IOP Publishing
- ID情報
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- DOI : 10.7567/APEX.9.125601