2017年10月2日
DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy
Applied Physics Letters
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- 巻
- 111
- 号
- 14
- 開始ページ
- 141602
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1063/1.4991608
- 出版者・発行元
- AIP Publishing
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1063/1.4991608