2015年4月 - 2018年3月
新規IV族系二次元物質の創製
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
シリセン、ゲルマネンの電子構造と原子構造を第一原理計算で行った。まず、絶縁体であるAl2O3上のシリセンとゲルマネンの電子構造を計算した。その結果、バンド構造はK点でディラックコーンを持つフリースタンディングのシリセン、ゲルマネンのバンド構造を保存することがわかった。しかし、細かく見ると表面への吸着構造に依存してシリセン、ゲルマネンのバンド構造が微妙に変わることを明らかにした。
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- 課題番号 : 15H03564
- 体系的課題番号 : JP15H03564