論文

査読有り

2018年8月

Characterization of SiO2 reduction reaction region at void periphery on Si(110)

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

Yano Masahiro
Uozumi Yuki
Yasuda Satoshi
Tsukada Chie
Yoshida Hikaru
Yoshigoe Akitaka
Asaoka Hidehito

巻: 57
号: 8
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.7567/JJAP.57.08NB13

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.57.08NB13
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000443890500015&DestApp=WOS_CPL

ID情報

DOI : 10.7567/JJAP.57.08NB13
ISSN : 0021-4922
eISSN : 1347-4065
Web of Science ID : WOS:000443890500015

エクスポート: BibTeX RIS

論文リストへ