2018年
Germanane MOSFET for sub-deca nanometer high performance technology nodes
IEEE Trans. Electron Devices
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- 巻
- 65
- 号
- 開始ページ
- 1198
- 終了ページ
- 1204
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1109/TED.2017.2788463
- ID情報
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- DOI : 10.1109/TED.2017.2788463