蔭浦泰資 (taisuke kageura) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所エレクトロニクス・製造領域　センシング技術研究部門　センシングデバイス研究グループ主任研究員

学位: 博士（工学）(早稲田大学)

連絡先: kageura.taisukeaist.go.jp
研究者番号: 20801202
J-GLOBAL ID: 201801004093818990
researchmap会員ID: B000310333

研究キーワード

研究分野

経歴

2025年10月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域センシング技術研究部門センシングデバイス研究グループ, 主任研究員
2025年4月 - 2025年9月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域センシング技術研究部門センシングデバイス研究グループ, 研究員
2022年4月 - 2025年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域センシングシステム研究センターセンシングマテリアル研究チーム, 研究員
2021年4月 - 2022年3月

独立行政法人日本学術振興会, 特別研究員PD （受入：物質・材料研究機構）
2019年4月 - 2021年3月

国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ポスドク研究員
2017年4月 - 2019年3月

早稲田大学, 基幹理工学部電子物理システム学科, 助手

学歴

2016年4月 - 2019年3月

早稲田大学大学院, 先進理工学研究科, ナノ理工学専攻（博士）
2014年4月 - 2016年3月

早稲田大学大学院, 先進理工学研究科, ナノ理工学専攻（修士）
2010年4月 - 2014年3月

早稲田大学, 基幹理工学部, 電子光システム学科

委員歴

2019年2月 - 2021年3月

応用物理学会, 代議員

受賞

2024年11月

最優秀ポスター賞, ピコ秒レーザーとイオン注入法を利用したNVセンター形成の位置制御, ニューダイヤモンドフォーラム

蔭浦泰資
2019年2月

Best Poster Award, Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit, The First International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019)

蔭浦泰資
2017年9月

Outstanding Presentation Award, Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices, ICMaSS2017 (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017) /iLIM-2

蔭浦泰資
2016年11月

最優秀賞, 超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層, 第3回ZAIKENフェスタ（早稲田大学）

蔭浦泰資

論文

Atomic imaging for hydrogen and boron aggregates in boron-doped diamond by spectro-photoelectron holography

Hiroto Tomita, Wataru Hosoda, Takumi Taniguchi, Hirokazu Fujiwara, Noriyuki Kataoka, Taisuke Kageura, Yoshihiko Takano, Hiroshi Kawarada, Tamio Oguchi, Takayoshi Yokoya …

Nature Communications 2026年3月5日
Tuning sp³/sp² carbon ratio of heavily boron-doped diamond electrodes fabricated via hot-filament chemical vapour deposition with CO₂ addition

Taisuke Kageura, Kenshin Takemura, Michiko Maeda, Atsushi Otake, Yasuaki Einaga, Shinya Ohmagari

SCIENTIFIC REPORTS 15(1) 2025年11月20日
Harsh Environment-Immune All-Carbon Visible Light Photodetector: Sensitivity Improvement by Nitrogen-Vacancy Center Density Enhancement Through Electron Irradiation

Sreenath Mylo Valappil, Taisuke Kageura, Shinya Ohmagari, Shinobu Onoda, Phongsaphak Sittimart, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake

SMALL 21(12) 2025年3月
Enhancing the piezoelectric performance of nitride thin films through interfacial engineering

Kenji Hirata, Kodai Niitsu, Sri Ayu Anggraini, Taisuke Kageura, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama

Materials Today 83 85-95 2025年3月1日
Surface transfer doping of hydrogen-terminated diamond probed by shallow nitrogen-vacancy centers

Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Keisuke Yamada, Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide

Carbon 229 2024年10月
Spin-State Control of Shallow Single NV Centers in Hydrogen-Terminated Diamond

Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keisuke Yamada, Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide

ACS Applied Materials and Interfaces 16(10) 13212-13218 2024年3月13日
Heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films on singlecrystalline diamond (111) substrates by radio frequency magnetron sputtering

Takafumi Kusaba, Phongsaphak Sittimart, Yuki Katamune, Taisuke Kageura, hiroshi naragino, Shinya Ohmagari, Sreenath Mylo Valappil, Satoki Nagano, abdelrahman Zkria, Tsuyoshi YOSHITAKE

Applied Physics Express 2023年9月25日
Band Alignment and Quality of Al0.6ga0.4n/Aln Films Grown on Diamond (111) Substrate by Remote N-Plasma Assisted Mbe

shozo kono, Kohei Shima, Shigefusa Chichibu, Masaru Shimomura, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada

SSRN Electronic Journal 2023年
Charge stability of shallow single nitrogen-vacancy centers in lightly boron-doped diamond

Kageura Taisuke, Sasama Yosuke, Shinei Chikara, Teraji Tokuyuki, Yamada Keisuke, Onoda Shinobu, Yamaguchi Takahide

CARBON 192 473-481 2022年6月査読有り筆頭著者
High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures

Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide

NATURE ELECTRONICS 5(1) 37-44 2022年1月査読有り
Highly aligned 2D NV ensemble fabrication from nitrogen-terminated (111) surface

Tetsuya Tatsuishi, Kyotaro Kanehisa, Taisuke Kageura, Takahiro Sonoda, Yuki Hata, Kazuto Kawakatsu, Takashi Tanii, Shinobu Onoda, Alastair Stacey, Shozo Kono …

CARBON 180 127-134 2021年8月査読有り
Crystal analysis of grain boundaries in boron-doped diamond superconducting quantum interference devices operating above liquid helium temperature

Aoi Morishita, Shotaro Amano, Ikuto Tsuyuzaki, Taisuke Kageura, Yasuhiro Takahashi, Minoru Tachiki, Shuuichi Ooi, Miwako Takano, Shunichi Arisawa, Yoshihiko Takano …

Carbon 181 379-388 2021年8月査読有り
Charge-carrier mobility in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors

Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Jun-ichi Inoue, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 127(18) 2020年5月査読有り
Over 12000 A/cm2 and 3.2 mΩ cm2 Miniaturized Vertical-Type Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFET

Masayuki Iwataki, Nobutaka Oi, Kiyotaka Horikawa, Shotaro Amano, Jun Nishimura, Taisuke Kageura, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE Electron Device Letters 41(1) 111-114 2020年1月査読有り
Single-crystalline boron-doped diamond superconducting quantum interference devices with regrowth-induced step edge structure

Kageura Taisuke, Hideko Masakuni, Tsuyuzaki Ikuto, Morishita Aoi, Kawano Akihiro, Sasama Yosuke, Yamaguchi Takahide, Takano Yoshihiko, Tachiki Minoru, Ooi Shuuichi …

SCIENTIFIC REPORTS 9 15214 2019年10月査読有り
Carbon 1s X-ray photoelectron spectra of realistic samples of hydrogen-terminated and oxygen-terminated CVD diamond (111) and (001)

Shozo Kono, Taisuke Kageura, Yuya Hayashi, Sung-Gi Ri, Tokuyuki Teraji, Daisuke Takeuchi, Masahiko Ogura, Hideyuki Kodama, Atsuhito Sawabe, Masafumi Inaba …

Diamond and Related Materials 93 105-130 2019年3月査読有り
Nitrogen-Terminated Diamond Surface for Nanoscale NMR by Shallow Nitrogen-Vacancy Centers

Kawai Sora, Yamano Hayate, Sonoda Takahiro, Kato Kanami, Buendia Jorge J, Kageura Taisuke, Fukuda Ryosuke, Okada Takuma, Tanii Takashi, Higuchi Taisei …

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 123(6) 3594-3604 2019年2月14日査読有り
3.8W/mm RF Power Density for ALD Al2O3-Based Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFET Operating at Saturation Velocity

Imanishi Shoichiro, Horikawa Kiyotaka, Oi Nobutaka, Okubo Satoshi, Kageura Taisuke, Hiraiwa Atsushi, Kawarada Hiroshi

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 40(2) 279-282 2019年2月査読有り
Superconductivity in nano- and micro-patterned high quality single crystalline boron-doped diamond films

Kageura Taisuke, Hideko Masakuni, Tsuyuzaki Ikuto, Amano Shotaro, Morishita Aoi, Yamaguchi Takahide, Takano Yoshihiko, Kawarada Hiroshi

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 90 181-187 2018年11月査読有り
Ionic-liquid-gating setup for stable measurements and reduced electronic inhomogeneity at low temperatures

Takahide Yamaguchi, Sasama Yosuke, Takeya Hiroyuki, Takano Yoshihiko, Kageura Taisuke, Kawarada Hiroshi

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 89(10) 2018年10月査読有り

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MISC

Siドーピングが単結晶ダイヤモンド(111)基板上に成膜したβ-Ga₂O₃膜の結晶性に与える影響

池上悠登, M. V. Sreenath, WANG Y., 御園樹, 片宗優貴, 楢木野宏, 大曲新矢, 蔭浦泰資, ZKRIA A., 吉武剛

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
高濃度ボロンドープダイヤモンド結晶中に形成される欠陥構造の観測

富田広人, 谷口拓海, 藤原弘和, 片岡範行, 蔭浦泰資, 高野義彦, 川原田洋, 横谷尚睦, 松下智裕

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 79(1) 2024年
タングステン原子添加ダイヤモンドエピタキシャル薄膜の応力分布

大曲新矢, 蔭浦泰資, 大谷亮太

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
熱フィラメントCVD法による超高濃度(>10²²cm^-3)ボロンドープダイヤモンド膜の実現

大谷亮太, 蔭浦泰資, 大曲新矢

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
水素終端ダイヤモンド表面下で生じるバンドベンディングのNVセンターを利用した律速要因解析

蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 山田圭介, 木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, 山口尚秀, 山口尚秀

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
リモートプラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるCO₂添加の影響評価

桂健斗, 桂健斗, 楢木野宏, 大曲新矢, 吉武剛, 蔭浦泰資

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 50 2024年
ダイヤモンドヘテロエピ基板上に作製したショットキーバリアダイオード特性:デバイスキラー欠陥低減の効果

笹栗優, 笹栗優, 蔭浦泰資, SITTIMART Phongsaphak, SREENATH Valappil Mylo, 吉武剛, 大曲新矢

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 49 2023年
尖端放電型プラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるCO2添加の影響評価

桂健斗, 桂健斗, 笹栗優, 笹栗優, 大曲新矢, 吉武剛, 蔭浦泰資

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 49 2023年
C-Si-Oチャネルと超伝導ソースドレインを用いたダイヤモンドクライオMOSFETの極低温環境下における動作

竹内雅治, 若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 成田憲人, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 有沢俊一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドへの電子照射による高濃度NVアンサンブルの作製

淺野雄大, 早坂京祐, 上田真由, 木村晃介, 金久京太郎, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 谷井孝至, 小野田忍, 榎本心平 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作

蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 寺地徳之, 渡邊賢司, 谷口尚, 山田圭介, 小野田忍, 山口尚秀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
ボロンドープ・ダイヤモンドの角度分解共鳴光電子分光

脇田高徳, 寺嶋健成, 竹田彩, 福良哲司, PLUMB Nicholas Clark, SHI Ming, 高野義彦, 蔭浦泰資, 川原田洋, 小口多美夫 …

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 77(2) 2022年
超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製したNVアンサンブルのスピン特性評価

淺野雄大, 上田真由, 早坂京祐, 金久京太郎, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 谷井孝至, 小野田忍, 榎本心平, 河野省三 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
稜線伝導構造ジョセフソン接合によるダイヤモンドSQUIDの作製

橋本裕太郎, 若林千幸, 高橋泰裕, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 有沢俊一, 川原田洋 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
超伝導ソース・ドレイン間のチャネル微細化と極低温(1.6K)でのドレイン電流変調

竹内雅治, 若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 有沢俊一 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドの作製と物性評価

上田真由, 早坂京祐, 金久京太郎, 高橋泰裕, 若林千幸, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
超伝導ソースドレインを有する2DHGダイヤモンドMOSFETの低温動作

若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 新倉直弥, 荒井雅一, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET

笹間陽介, 蔭浦泰資, 井村将隆, 渡邊賢司, 谷口尚, 内橋隆, 山口尚秀, 山口尚秀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
低濃度ホウ素ドープダイヤモンド中における単一NV中心の電荷安定性

蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 真栄力, 寺地徳之, 山田圭介, 小野田忍, 山口尚秀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ

笹間陽介, 蔭浦泰資, 井村将隆, 渡邊賢司, 谷口尚, 内橋隆, 山口尚秀, 山口尚秀

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

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講演・口頭発表等

RF窒素プラズマ支援MBE成長によるダイヤモンド(111)基板上のAlN薄膜の質とバンドオフセット

河野省三, 蔭浦泰資, 梶家美貴, 加藤かなみ, BUENDIA Jorge J, 河合空, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
水素終端ダイヤモンド表面上のSiO₂薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響

矢部太一, 工藤拓也, 大井信敬, 大久保智, 堀川清貴, 天野勝太郎, 日出幸昌邦, 露崎活人, 蔭浦泰資, 河野省三, 平岩篤, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
(111)ボロンドープダイヤモンドの薄層での超伝導転移温度の向上

天野勝太郎, 日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 露崎活人, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定

薗田隆弘, 河合空, 山野颯, 加藤かなみ, BUENDIA J. J, 蔭浦泰資, 石井邑, 福田諒介, 岡田拓真, 春山盛善, 春山盛善, 谷井孝至, 山田圭介, 小野田忍, 加田渉, 花泉修, STACEY A, 寺地徳之, 河野省三, 磯谷順一, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

岩瀧雅幸, 大井信敬, 牟田翼, 堀川清貴, 天野勝太郎, 日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 稲葉優文, 平岩篤, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
成膜後熱処理の最適化による原子層堆積Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

堀川清貴, 平岩篤, 平岩篤, 大久保智, 蔭浦泰資, 川原田洋, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
窒素終端およびシリコン終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターのスピン特性

薗田隆弘, 河合空, 山野颯, 加藤かなみ, 蔭浦泰資, 福田諒介, 岡田拓真, 春山盛善, 春山盛善, 谷井孝至, 山田圭介, 小野田忍, 寺地徳之, 加田渉, 花泉修, 河野省三, 河野省三, 磯谷順一, 川原田洋, 川原田洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年8月25日

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

二次元・高密度ダイヤモンドNV電子スピン集団形成と量子センサの非連続的な高度化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2026年4月 - 2030年3月

蔭浦泰資
超高密度電子スピン集団による量子もつれセンシングの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

蔭浦泰資, 小野田忍, 川原田洋, 大曲新矢
室温で動作する電子スピンの多量子ビットの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2022年2月 - 2026年3月

小野田忍, 蔭浦泰資, 加田渉
h-BNヘテロ構造を利用したダイヤモンドスピン量子ビットの特性向上と独立制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2021年4月 - 2024年3月

蔭浦泰資
2DHGダイヤモンドNano-Fin構造における量子伝導機構の解明とFET応用

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2019年4月 - 2021年3月

蔭浦泰資
電子スピンの量子状態変化を検出原理に持つカロリーメータの開発

日本学術振興会: 科学研究費助成事業基盤研究（B）基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

小野田忍
ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用

日本学術振興会: 科学研究費助成事業基盤研究（S）基盤研究(S) 2018年4月 - 2019年3月

川原田洋
物理接触・発熱・酸化耐性のある堅牢なホウ素添加ダイヤモンド超伝導量子干渉計の開発

日本学術振興会: 科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2017年8月 - 2019年3月

蔭浦泰資
液体ヘリウム温度以上の動作温度を有する堅牢なホウ素添加ダイヤモンド超伝導量子干渉素子（SQUID)の開発

三菱マテリアル株式会社－早稲田大学理工学術院包括協定にともなう2017年度研究助成 2017年4月 - 2018年3月

蔭浦泰資
超伝導ボロンドープダイヤモンドによる半導体と超伝導体の性質を融合した超伝導デバイスの開発

三菱マテリアル株式会社－早稲田大学理工学術院包括協定にともなう2016年度研究助成

蔭浦泰資

産業財産権

特開2024-023101 量子素子およびその製造方法

山口尚秀, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 谷口尚, 渡邊賢司, 小野田忍
特許第7096143号ダイヤモンド半導体基板の製造方法

関章憲, 川原田洋, 平岩篤, 蔭浦泰資

蔭浦泰資

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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