2012年 ナノエレクロノニクスにおける絶縁超薄膜技術—成膜技術と膜・界面の物性科学 廣瀬和之, 小林大輔 担当区分 共著 担当範囲 X線光電子分光と第一原理分子軌道計算によるMOS界面局所構造の物性研究 誘電率と絶縁破壊 出版者・発行元 株式会社エヌ・ティー・エス 総ページ数 担当ページ 第2編1章3節 記述言語 日本語 著書種別 学術書