稲見栄一 (Eiichi Inami) - マイポータル

基本情報

所属: 高知工科大学システム工学群准教授

学位: 博士(工学)(2009年7月大阪大学)

研究者番号: 40420418
J-GLOBAL ID: 201401056348218909
researchmap会員ID: B000242876

外部リンク: http://www.sceng.kochi-tech.ac.jp/e_inami/

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年4月 - 現在

高知工科大学, システム工学群, 准教授
2017年4月 - 2018年3月

千葉大学, 大学院工学研究院, 特任講師
2016年4月 - 2017年3月

千葉大学, 大学院融合科学研究科, 特任講師
2015年4月 - 2016年3月

法政大学, マイクロナノテクノロジー研究センター, ポスト・ドクター
2013年4月 - 2015年3月

大阪大学, 工学研究科, 特任講師
2012年3月 - 2013年3月

大阪大学, 工学研究科, 特任助教
2007年11月 - 2012年2月

大阪大学, 産業科学研究所, 助教
2005年4月 - 2007年10月

大阪大学, 産業科学研究所, 特任助教

学歴

2002年4月 - 2005年3月

大阪大学, 大学院工学研究科, 原子力工学専攻博士後期課程
2000年4月 - 2002年3月

名古屋大学, 大学院理学研究科, 物質理学専攻博士前期課程
1996年4月 - 2000年3月

関西学院大学, 理学部, 物理学科
1993年4月 - 1996年3月

西大和学園高等学校

受賞

2017年12月

APSMR Contribution Award, for outstanding research achievement and contribution to GREEN 2017 Invited Presentation., Asia Pacific Society for Materials Research

稲見栄一
2017年5月

第36回表面科学学術講演会講演奨励賞若手研究者部門, ナノクラスターを利用した室温スイッチ素子の創成, 日本表面科学会

稲見栄一
2009年3月

Selected in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, vol.19, Issue 10, Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite, 米国物理学協会、米国物理学会

Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami, Katsumi Tanimura, Hiromasa Ohnishi, Keiichiro Nasu
2007年7月

Selected in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, vol.16, Issue 4 (2007), Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by valence excitation, 米国物理学協会、米国物理学会

稲見栄一

論文

Method and Applications for New Material Science on Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores

Masayuki Abe, Daiki Katsube, Hayato Yamashita, Eiichi Inami, Oscar Custance

Materia Japan 61(10) 645-650 2022年10月1日
Oxidation of Anatase TiO2(001) Surface Using Supersonic Seeded Oxygen Molecular Beam

Daiki Katsube, Shinya Ohno, Shuhei Takayanagi, Shoki Ojima, Motoyasu Maeda, Naoki Origuchi, Arata Ogawa, Natsuki Ikeda, Yoshihide Aoyagi, Yuito Kabutoya …

Langmuir 37(42) 12313-12317 2021年10月26日査読有り
Atomic-resolution imaging of rutile TiO2(110)-(1 × 2) reconstructed surface by non-contact atomic force microscopy

Daiki Katsube, Shoki Ojima, Eiichi Inami, Masayuki Abe

Beilstein Journal of Nanotechnology 11 443-449 2020年3月10日査読有り
Direct Imaging of Precursor Adcomplex States during Cryogenic-Temperature On-Surface Metalation: Scanning Tunneling Microscopy Study on Porphyrin Array with Fe Adsorption at 78.5 K

Eiichi Inami, Masataka Yamaguchi, Ryohei Nemoto, Hideki Yorimitsu, Peter Krüger, Toyo Kazu Yamada

Journal of Physical Chemistry C 124(6) 3621-3631 2020年1月23日査読有り筆頭著者責任著者
Fabrication of tungsten tip probes within 3 s by using flame etching

Takayuki Yamaguchi, Eiichi Inami, Yuto Goto, Yuta Sakai, Satoru Sasaki, Teruaki Ohno, Toyo Kazu Yamada

Review of Scientific Instruments 90 063701:1-063701:8 2019年6月査読有り
Sol-gel processed niobium oxide thin-film for a scaffold layer in perovskite solar cells

Eiichi Inami, Takamasa Ishigaki, Hironori Ogata

Thin Solid Films 674 7-11 2019年1月査読有り筆頭著者責任著者
Controlled deposition number of organic molecules using quartz crystal microbalance evaluated by scanning tunneling microscopy single-molecule-counting

Eiichi Inami, Masataka Yamaguchi, Takayuki Yamaguchi, Mikio Shimasaki, Toyo Kazu Yamada

Analytical Chemistry 90 8954-8959 2018年6月査読有り筆頭著者責任著者
Room temperature stable film formation of π-conjugated organic molecules on 3d magnetic substrate

Eiichi Inami, Mikio Shimasaki, Hideki Yorimitsu, Toyo Kazu Yamada

Scientific Reports 8 353:1-353:12 2018年1月査読有り筆頭著者責任著者
Investigation of atomic species in Pt-induced nanowires on Ge(001) surface by combined atomic force and scanning tunneling microscopy

Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, Takuya Shinozaki, Oguzhan Gurlu, Ayhan Yurtsever

PHYSICAL REVIEW B 96(15) 155415:1-155415:7 2017年10月査読有り筆頭著者責任著者
Straight imaging and mechanism behind grain boundary electron emission in Pt-doped ultrananocrystalline diamond films

Kalpataru Panda, Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, K. J. Sankaran, I-Nan Lin

CARBON 111 8-17 2017年1月査読有り
Combined atomic force microscopy and voltage pulse technique to accurately measure electrostatic force

Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 08NB05:1-08NB05:8 2016年8月査読有り筆頭著者責任著者
Accurate Extraction of Electrostatic Force by a Voltage-Pulse Force Spectroscopy

Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto

PHYSICAL REVIEW LETTERS 114(24) 246102:1-246102:5 2015年6月査読有り筆頭著者
Room-temperature-concerted switch made of a binary atom cluster

Eiichi Inami, Ikutaro Hamada, Keiichi Ueda, Masayuki Abe, Seizo Morita, Yoshiaki Sugimoto

NATURE COMMUNICATIONS 6 6231:1-6231:7 2015年2月査読有り筆頭著者責任著者
Direct observation and mechanism for enhanced field emission sites in platinum ion implanted/post-annealed ultrananocrystalline diamond films

Kalpataru Panda, Kamatchi J. Sankaran, Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, Nyan Hwa Tai, I-Nan Lin

APPLIED PHYSICS LETTERS 105(16) 163109:1-163109:5 2014年10月査読有り
Crucial roles of holes in electronic bond rupture on semiconductor surfaces

J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

SURFACE SCIENCE 626 49-52 2014年8月査読有り
Role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite

G. Teobaldi, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura, A. L. Shluger

PHYSICAL REVIEW B 85(8) 085433:1-085433:15 2012年2月査読有り
Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite

H. Ohnishi, E. Inami, J. Kanasaki

SURFACE SCIENCE 605(15-16) 1497-1502 2011年8月査読有り
半導体再構成表面における電子励起誘起原子過程の研究

稲見栄一

大阪大学 2009年7月査読有り
Local bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2×1) induced by the surface π-π* excitation

Eiichi Inami, Katsumi Tanimura

Surface Science 603(9) L63-L65 2009年5月査読有り筆頭著者
Formation of sp(3)-Bonded Carbon Nanostructures by Femtosecond Laser Excitation of Graphite

J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Ohnishi, K. Nasu

PHYSICAL REVIEW LETTERS 102(8) 087402:1-087402:4 2009年2月査読有り

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MISC

磁石でつくる室温でも安定な世界最薄の有機分子膜 - 磁性3d電子状態と分子π軌道との強固な結合

山田豊和, 稲見栄一

月刊化学 73(8) 44-48 2018年7月招待有り
薄さは分子1個分! 室温でも「超安定」な極薄有機分子膜 -磁気メモリの高密度化・省エネ化を促進

稲見栄一, 山田豊和

academist Journal 2018年3月招待有り
10aPS-23 グラファイトにおけるフェムト秒レーザー誘起sp^3ドメイン形成のパルス幅依存性(10aPS 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形光学,フォトニック結晶),領域5(光物性))

西岡圭太, 稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 69(2) 541-541 2014年8月22日
24pBL-8 VO_2における光誘起相転移 : フェムト秒時間分解吸収分光II(24pBL 光誘起相転移(酸化物・金属錯体など),領域5(光物性))

稲見栄一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 67(1) 771-771 2012年3月5日
23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同光誘起相転移,領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 66(2) 785-785 2011年8月24日
25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 66(1) 739-739 2011年3月3日
23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 65(2) 671-671 2010年8月18日
25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 64(2) 619-619 2009年8月18日
21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 63(2) 637-637 2008年8月25日
23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 63(1) 857-857 2008年2月29日
26pYC-6 キャリア注入によるInP(110)-(1×1)表面におけるボンド切断(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

金崎順一, 稲見栄一, 鶴田淳二, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 61(2) 772-772 2006年8月18日
27aXJ-1 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構VI(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))

稲見栄一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 61(1) 860-860 2006年3月4日
20pXA-9 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構V(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))

稲見栄一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 60(2) 745-745 2005年8月19日
13aXF-12 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構 IV(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)

稲見栄一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 59(2) 800-800 2004年8月25日
28pWR-2 Si(111)-(2x1)表面における光誘起構造変化機構III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)

稲見栄一, 石川憲一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 59(1) 915-915 2004年3月3日
20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構

稲見栄一, 石川憲一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 58(2) 790-790 2003年8月15日
28aZF-9 Si(111)-(2×1) 表面における光誘起構造変化機構 II

稲見栄一, 石川憲一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 58(1) 840-840 2003年3月6日
27pWD-4 si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構(27pWD 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

稲見栄一, 石川憲一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 57(1) 869-869 2002年3月1日
19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割

稲見栄一, 石川憲一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 56(2) 751-751 2001年9月3日

講演・口頭発表等

超短光パルスおよび単一原子操作を活用した新規ナノ構造の創製

稲見栄一

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日招待有り
Fabrication and control of atom switch by atom manipulation

Eiichi Inami

2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 2017年12月24日招待有り
Accurate extraction of electrostatic force by a voltage-pulse force spectroscopy

Eiichi Inami

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015年12月11日招待有り
Switching behaviors of atom clusters created by inter-nanospace atom manipulation

Yoshiaki Sugimoto, Shiro Yamazaki, Eiichi Inami, Ayhan Yurtsever, Masayuki Abe, Seizo Morita

Symposium on Surface and Nano Science 2015 (SSNS'15) 2015年1月14日招待有り
光パルス制御による新規炭素ナノ構造創製の効率化

稲見栄一

第10回励起ナノプロセス研究会 2014年9月22日招待有り
Atom-Gating of Nano-Space Controlling Thermally Diffusing Single Atoms Confined in Si(111)7x7 Half Unit Cell at Room Temperature

Yoshiaki Sugimoto, Shiro Yamazaki, Eiichi Inami, Ayhan Yurtsever, Masayuki Abe, Seizo Morita

Symposium on Surface and Nano Science 2014 (SSNS' 2014) 2014年1月17日招待有り
Photoexcitation of graphite creates a novel carbon phase of sp3-bonded carbon

Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami, Katsumi Tanimura, Hiromasa Ohnishi, Keiichiro Nasu

International Symposium on the Physics of Excitation-assisted Nano-processes (ISPEN-2009) 2009年11月21日招待有り
Nano-scaled sp3-bond carbon phase on graphite induced by femtosecond laser excitation

Jun'ichi Kanasaki, Eiichi Inami, Katsumi Tanimura, Hiromasa Ohnishi, Keiichiro Nasu

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium 2009年9月1日招待有り

所属学協会

2021年7月 - 現在

日本機械学会
2020年6月 - 現在

日本金属学会
2015年12月 - 現在

日本化学会
2013年4月 - 現在

応用物理学会
2010年11月 - 現在

日本表面真空学会
2001年8月 - 現在

日本物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

2原子間の化学結合に伴う分子軌道形成過程の直接観察

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2024年3月

稲見栄一
表面機能コア解析

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2019年6月 - 2024年3月

阿部真之, 山下隼人, 稲見栄一
キラルナノクラスターの自己組織化による超大容量不揮発性メモリの創製

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2017年4月 - 2019年3月

稲見栄一
ペロブスカイト太陽電池を構成するヘテロ接合薄膜の構造と電子物性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

緒方啓典, 稲見栄一
AFM/STMを用いた局所キャリアダイナミクスの時間分解測定

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2016年4月 - 2018年3月

稲見栄一
スピン偏極ＳＴＭによる単一分子の磁気伝導特性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2013年6月 - 2018年3月

山田豊和, 中村浩次, 稲見栄一
極短光パルス励起によるグラファイト構造相転移の核形成過程に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2012年4月 - 2014年3月

稲見栄一
半導体再構成表面における電子励起誘起構造不安定性

その他の研究制度
Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces

The Other Research Programs
Structural changes on graphite surfaces by femtosecond laser excitation
フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化

稲見栄一

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学歴

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論文

MISC

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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