坂下満男 (Mitsuo Sakashita) - マイポータル

Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi …

2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series, SUM 2016 37-38 2016年8月22日
招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (シリコン材料・デバイス)

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 23-26 2016年4月8日
Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

信学技報 IEICE Technical Report 116(2) 23-26 2016年4月1日
招待講演エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 (シリコン材料・デバイス)

中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(469) 17-22 2015年3月2日
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 (シリコン材料・デバイス)

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 11-16 2014年6月19日
依頼講演絶縁膜上におけるⅣ族半導体多結晶薄膜の低温形成 : 低融点Snの活用 (シリコン材料・デバイス)

黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 91-95 2014年6月19日
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 (電子部品・材料)

竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 113-118 2014年5月28日
Defects induced by reactive ion etching in Ge substrate

Kusumandari, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Advanced Materials Research 896 241-244 2014年
Al₂O₃/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 13-18 2013年6月18日
テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO₂膜の形成 (シリコン材料・デバイス)

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 7-11 2013年6月18日
Suppressive effect of interface reaction and water absorption by Al incorporation into Pr-oxide film

W. Takeuchi, K. Furuta, K. Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, S. Zaima

Journal of Physics: Conference Series 417(1) 2013年
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92) 37-42 2012年6月14日
Effect of gate metal electrode on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure

Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings 68-69 2012年
Evaluation of light induced damages in plasma process on electrical properties of Al2O3/Ge gate stack structure (シリコン材料・デバイス)

Kusumandari, Takeuchi Wakana, Kato Kimihiko, SHIBAYAMA Shigehisa, SAKASHITA Mitsuo, NAKATSUKA Osamu, ZAIMA Shigeaki

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 41-46 2011年6月27日
Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 51-56 2011年6月27日
Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 57-62 2011年6月27日
原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性

古田和也, 竹内和歌奈, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90) 39-42 2010年6月15日
Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成

近藤博基, 古田和也, 松井裕高, 坂下満男, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 81-85 2009年6月12日
ラジカル窒化法による High-k/Ge 界面構造制御

加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 39-44 2009年6月12日
LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果

坂下満男, 加藤亮祐, 京極真也, 近藤博基, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 61-66 2009年6月12日

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講演・口頭発表等

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Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method

Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111)substrate

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1-x-ySixSny thin films

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, Masashi Kurosawa

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111)

Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日招待有り
Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures

Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月21日招待有り
Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月21日招待有り
Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka

ECS PRiME2024 2024年10月10日招待有り
Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer

S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

ECS PRiME2024 2024年10月10日
Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy

Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日 JSAP
Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient

Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Masashi Kurosawa

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日 JSAP
Impacts of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC Trench MOSFET

Momoko Inayoshi, Naotoshi Hikosaka, Ryuki Kamiya, Eiji Kagoshima, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, Osamu Nakatsuka, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月3日 JSAP
Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月2日 JSAP
Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月15日
Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, Masashi Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月14日
A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing

Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月14日招待有り
Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC) 2023年11月10日招待有り
Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate

Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月25日

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担当経験のある科目(授業)

2022年 - 2022年

物理工学実験第3 (名古屋大学)
2022年 - 2022年

物理工学実験第2 (名古屋大学)
2022年 - 2022年

物理工学実験第1 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイス工学特別実験及び演習B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイス工学特別実験及び演習A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2E (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2D (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2C (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1D (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1C (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第3 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第2 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第1 (名古屋大学)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2014年4月 - 2015年3月

財満鎭明, 坂下満男, 竹内和歌奈
省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究特別推進研究 2010年 - 2013年

財満鎭明, 竹中充, 坂下満男, 田中信夫, 竹内和歌奈, 中塚理, 高木信一
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2009年 - 2011年

財満鎭明, 中塚理, 坂下満男, 近藤博基
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2009年

財満鎭明, 小川正毅, 酒井朗, 渡部平司, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理
ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2007年 - 2008年

坂下満男, 酒井朗, 酒井朗
熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 特定領域研究(A) 2001年 - 2001年

酒井朗, 坂下満男

産業財産権

特許公開2006-245133 半導体素子用基材及びその製造方法

近藤博基, 財満鎭明, 小川正毅, 酒井朗, 坂下満男, 内藤慎哉, 上山知紀, 安田幸夫
特許公開2006-40977 絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 坂下満男, 高橋亮也
特許公開2005-129708 シリコンナノ結晶の作製方法、シリコンナノ結晶、フローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法、及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造

近藤博基, 安田幸夫, 財満鎭明, 酒井朗, 坂下満男, 内藤慎哉, 佐竹正城
特許第3831764号高誘電率金属酸化物膜の作製方法、高誘電率金属酸化物膜、ゲート絶縁膜、及び半導体素子

酒井朗, 安田幸夫, 財満鎭明, 坂下満男, 近藤博基, 坂下真介
特許公開2001-339061 ＭＯＳデバイス及びその製造方法

安田幸夫, 財満鎭明, 酒井明, 坂下満男

坂下満男

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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