玄地真悟 (Shingo Genchi) - マイポータル

基本情報

学位: 博士（理学）(2023年3月大阪大学)
修士（工学）(2020年3月大阪大学)
学士（工学）(2018年3月大阪大学)

ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-5458-2825
J-GLOBAL ID: 202001000427871718
researchmap会員ID: R000007842

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年8月 - 2023年3月

国立研究開発法人物質・材料研究機構研修生
2020年4月 - 2023年3月

独立行政法人日本学術振興会特別研究員DC1
2020年9月 - 2020年12月

国立研究開発法人物質・材料研究機構研修生

学歴

2020年4月 - 2023年3月

大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻未来物質領域
2018年4月 - 2023年3月

インタラクティブ物質科学・カデットプログラム
2018年4月 - 2020年3月

大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻未来物質領域
2014年4月 - 2018年3月

大阪大学基礎工学部電子物理科学科

受賞

2019年11月

Best Poster Presentation Award International Symposium for Nano Science
2019年10月

2019年度後期国際会議論文発表者助成公益財団法人NEC C&C財団
2019年10月

海外論文発表奨励賞一般社団法人生産技術振興協会

論文

Step electrical switching in VO₂ on hexagonal boron nitride using confined individual metallic domains

Shingo Genchi, Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka

Japanese Journal of Applied Physics 62 SG1008 2023年1月26日査読有り筆頭著者
Noncontact evaluation of the interface potential in VO₂/Si heterojunctions across metal–insulator phase transition

Dongxun Yang, Fumikazu Murakami, Shingo Genchi, Hidekazu Tanaka, Masayoshi Tonouchi

Applied Physics Letters 122(4) 041601-041601 2023年1月23日査読有り
Crystal orientation dependence of metal–insulator transition for VO₂ microwires fabricated on TiO₂(110) substrates with step and terrace structures

Kyungmin Kim, Shingo Genchi, Shiro Yamazaki, Hidekazu Tanaka, Masayuki Abe

Applied Physics Express 15(4) 045503-045503 2022年3月22日査読有り
Step-like resistance changes in VO2 thin films grown on hexagonal boron nitride with in situ optically observable metallic domains

Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Hidekazu Tanaka

Applied Physics Letters 120(5) 053104-053104 2022年2月1日査読有り筆頭著者
Prominent Verway Transition of Fe3O4 Thin Films Grown on Transferable Hexagonal Boron Nitride

Shingo Genchi, Ai I. Osaka, Azusa N. Hattori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka

ACS Applied Electronic Materials 3(11) 5031-5036 2021年11月23日査読有り筆頭著者
Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors

Yuto Anzai, Mahito Yamamoto, Shingo Genchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Hidekazu Tanaka

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12(5) 2019年5月査読有り
Growth of vanadium dioxide thin films on hexagonal boron nitride flakes as transferrable substrates

Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Koji Shigematsu, Shodai Aritomi, Ryo Nouchi, Teruo Kanki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yasukazu Murakami, Hidekazu Tanaka

SCIENTIFIC REPORTS 9 2019年2月査読有り筆頭著者

MISC

六方晶窒化ホウ素を用いた自由自在な機能性酸化物薄膜成長と素子応用展開への可能性

玄地真悟, 田中秀和

生産と技術 74(3) 59-62 2022年6月30日筆頭著者
六方晶窒化ホウ素上におけるFe₃O₄薄膜の成長と評価

玄地真悟, 大坂藍, 服部梓, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
六方晶窒化ホウ素を基板としたVO₂薄膜の成長とデバイス応用

山本真人, 玄地真悟, 神吉輝夫, 野内亮, 野内亮, 谷口尚, 渡邊賢司, 田中秀和

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
六方晶窒化ホウ素上VO₂の金属絶縁体相転移に伴う抵抗変化の素子サイズ依存性

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
六方晶窒化ホウ素上のVO₂における抵抗跳躍の電極間距離依存性

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価(II)

玄地真悟, 重松晃次, 有冨翔大, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 村上恭和, 田中秀和

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

書籍等出版物

いざ、世界の舞台へ

生産技術振興協会季刊誌「生産と技術」 Vol.72, No.2 2020年4月

講演・口頭発表等

Step-like electric current switching in VO2/hBN device using individual metallic domains

Shingo Genchi, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Hidekazu Tanaka

35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022年11月10日
CVD成長大面積hBNシートへの遷移金属酸化物薄膜結晶の成長

玄地真悟, 深町悟, 大坂藍, 服部梓, 吾郷浩樹, 田中秀和

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
Growth of Fe₃O₄ thin films on hBN showing prominent Verway transition

Shingo Genchi, Ai I. Osaka, Azusa N. Hattori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka

Materials Research Meeting 2021 2021年12月16日
Characterization of Verway transition property in Fe₃O₄ thin films growth on transferable hBN substrate

Shingo Genchi, Ai I. Osaka, Azusa N. Hattori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka

International Workshop on Oxide Electronics 2021年10月14日
転写可能hBN剥片上でのFe₃O₄薄膜成長の実現

玄地真悟, 大坂藍, 服部梓, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

日本金属学会 2021年秋期第169回公演大会 2021年9月15日
六方晶窒化ホウ素上におけるFe₃O₄薄膜の成長と評価

玄地真悟, 大坂藍, 服部梓, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
Scaling Effects in the Resistance-Temperature Characteristics of VO₂ on hBN

Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Teruo Kanki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka

Materials Research Society 2019年12月5日
Scaling effects in the resistance-temperature characteristics of VO2 on hBN

Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Teruo Kanki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka

The international symposium for nano science (ISNS) 2019年11月28日
Growth and characterization of VO₂ thin films on hexagonal boron nitride

Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Koji Shigematsu, Shodai Aritomi, Ryo Nouchi, Teruo Kanki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yasukazu Murakami, Hidekazu Tanaka

International Workshop on Oxide Electronics 2019年9月30日
六方晶窒化ホウ素上のVO₂における抵抗跳躍の電極間距離依存性

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
六方晶窒化ホウ素上VO₂の金属絶縁体相転移に伴う抵抗変化の素子サイズ依存性

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月10日
六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価（Ⅱ）

玄地真悟, 重松晃次, 有冨翔大, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 村上恭和, 田中秀和

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
六方晶窒化ホウ素上でのVO₂の薄膜成長と評価

玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月20日

所属学協会

2018年3月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

遷移金属酸化物/2次元層状物質ファンデルワールス構造・機能インテグレーション

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2020年4月 - 2023年3月

玄地真悟

学術貢献活動

International Symposium for Nano Science

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 監修, 査読

Osaka University Interactive Materials Science Cadet Program 2019年11月27日 - 2019年11月28日

メディア報道

阪大、六方晶窒化ホウ素上でマグネタイト薄膜作製他材料に貼り付け実証

日刊工業新聞 2021年12月9日新聞・雑誌
どこにでも貼り付けられる機能性酸化物薄膜ー万能成長基板を用いた新たな薄膜成長と素子応用展開ー

Research at Osaka University 2021年12月7日インターネットメディア
Stable and moveable; is hexagonal boron nitride the universal foundation?

EurekAlert! 2021年12月インターネットメディア

玄地真悟

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

学術貢献活動

メディア報道

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