角度分解光電子分光によるThRu$_{2}$Si$_{2}$の電子状態
20th International Conference on Magnetism (ICM 2015)
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- 開催年月日
- 2015年7月
- 記述言語
- 英語
- 会議種別
- 国・地域
- スペイン
ThRu$_{2}$Si$_{2}$2の電子状態について角度分解光電子分光法を用いて研究を行った。ThRu$_{2}$Si$_{2}$は隠れた秩序転移を示すURu$_{2}$Si$_{2}$と同じ結晶構造を持つが、5f電子を持たないことからURu$_{2}$Si$_{2}$におけるU 5f電子状態を理解するための参照系である。ARPESによる測定の結果、ThRu$_{2}$Si$_{2}$の電子構造は特にEF付近においてURu$_{2}$Si$_{2}$と大きく異なっていることが明らかとなった。これは、URu$_{2}$Si$_{2}$において、5f電子がフェルミ準位に寄与し、遍歴的な性質を持っていることを示している。