高純度六方晶窒化ホウ素(hBN)単結晶の創製と、これを利用した新たな機能発現を目的とした。hBNのバンドギャップが約6.4eVであること、炭素不純物と高輝度紫外線バンド端発光との相関を実験的に明らかにした。更にグラフェン基板材料として、hBN-グラフェン積層構造に加え、MoS2系等の新たな2次元電子系デバイス用基板、絶縁膜としての有用性を各国の研究機関との連携で明らかにした。不純物制御のための基礎研究として、BN多形及びAlNにおける希土類元素の配位環境を理論と微構造解析により明らかにした。