MISC

2011年8月18日

細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
  • 新居 浩二
  • ,
  • 薮内 誠
  • ,
  • 藤原 英弘
  • ,
  • 中野 博文
  • ,
  • 石原 和哉
  • ,
  • 河合 浩行
  • ,
  • 有本 和民

111
188
開始ページ
103
終了ページ
108
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

内蔵SRAMの読出しマージンと書込みマージンを改善する細粒度アシストバイアス制御技術について報告する。本提案では、メモリセルアレイを細分化し、個々に独立した最適アシストバイアスを与えることで下限動作電圧(V_<min>)の改善を図る。90nmテクノロジを用いて1Mb SRAMの設計試作を行い評価した結果、0.64V動作を確認し、従来よりもV_<min>が21%改善されることを実証した。

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110008801201
CiNii Resolver ID
http://ci.nii.ac.jp/nrid/9000018788184