花房宏明 (Hanafusa Hiroaki) - マイポータル

基本情報

所属: 広島大学大学院先進理工系科学研究科准教授

J-GLOBAL ID: 201401070800833260
researchmap会員ID: B000239205

外部リンク: http://kaken.nii.ac.jp/d/r/70630763.ja.html

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2021年4月 - 現在

広島大学大学院先進理工系科学研究科准教授
2013年

広島大学大学院・先端物質科学研究科助教

論文

Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect

Hiroaki Hanafusa, Ryosuke Nakashima, Wataru Nakano, Seiichiro Higashi

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日査読有り
Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films

Ryosuke Nakashima, Ryota Shin, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(6) 2017年6月査読有り
High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet

Hiroaki Hanafusa, Ryosuke Ishimaru, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
High efficiency activation of phosphorus atoms in 4H–SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet annealing

Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Ryosuke Ishimaru, Seiichiro Higashi

Materials Science Forum 858 535-539 2016年査読有り
High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer

Keisuke Maruyama, Hiroaki Hanafusa, Ryuhei Ashihara, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 2015年6月査読有り
Estimation of phosphorus-implanted 4H-SiC layer recrystallization by electron-back-scattering diffraction pattern analysis

Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyam, Shohei Hayashi, Seiichiro Higashi

Materials Science Forum 821-823 391-394 2015年査読有り
Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer

Hiroaki Hanafusa, Akio Ohta, Ryuuhei Ashihara, Keisuke Maruyama, Tsubasa Mizuno, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780(Pt.2) 649-652 2014年査読有り
Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)

Hideki Murakami, Shinya Hamada, Takahiro Ono, Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64(6) 423-429 2014年査読有り
Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation

Shohei Hayashi, Yuji Fujita, Takahiro Kamikura, Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Mitsuhisa Ikeda, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi

APPLIED PHYSICS LETTERS 101(17) 172111-172111-4 2012年10月査読有り
Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy

Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(5) 55502-055502-4 2012年5月査読有り
SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices

Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa, Manabu Kanazawa

IUMRS INTERNATIONAL CONFERENCE IN ASIA 2011 36 396-403 2012年査読有り
Crystallization of Amorphous Silicon Films by High-Frequency Tapping of Molten Silicon Using Piezo Actuator

Muneki Akazawa, Yuan Zhou, Kohei Sakaike, Shohei Hayashi, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi

2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS 215-218 2012年査読有り
Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy

Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, Yoshiyuki Suda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4(2) 25701-025701-3 2011年2月査読有り
Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers

Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, Yoshiyuki Suda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4(2) 24102-024102-3 2011年2月査読有り
Crystalline Ge Layer Growth on Si(001) by Sputter Epitaxy Method

Book of 1st Int. Workshop on Si based Nano-electronics and –photonics eds by S. Chiussi, P. Alpuim, J. Murota, P. González, J. Serra, and B. León 137-138 2009年査読有り
Strain-relaxed Si1-xGex and strained Si grown by sputter epitaxy

Hiroaki Hanafusa, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(4) 3020-3023 2008年4月査読有り

MISC

シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化

亀田朝輝, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.21a‐233‐4 2018年9月5日
シリコンキャップアニールを行ったn型4H‐SiCのコンタクト特性に関する調査

東堂大地, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐221C‐3 2018年9月5日
大気圧熱プラズマジェット照射による溶融シリコン内温度分布の可視化

水川友里, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20a‐233‐1 2018年9月5日
窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H‐SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール

河崎星輝, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐221C‐2 2018年9月5日
中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のためのリソグラフィプロセスの構築

平野友貴, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19a‐233‐8 2018年9月5日
大気圧熱プラズマジェット照射によるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化

花房宏明, 東清一郎, 塩崎宏司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐CE‐13 2018年9月5日
ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作

長澤聡, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.21a‐432‐6 2018年9月5日
大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製

原田大夢, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17a‐C101‐3 2018年3月5日
シリコンキャップアニールを用いたn型4H‐SiCのオーミックコンタクト特性に対する昇温レートの影響

東堂大地, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐D103‐2 2018年3月5日
大気圧熱プラズマジェット照射と高速度カメラ組み込み型回転ステージによる結晶成長のリアルタイム観察

水川友里, 中野航, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17a‐C101‐2 2018年3月5日
大気圧熱プラズマジェット照射によるGaN中のMgの活性化

花房宏明, 東清一郎, 塩崎宏司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18a‐C302‐12 2018年3月5日
円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット照射による高速結晶化

中野航, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7a‐C21‐10 2017年8月25日
SiCデバイス作製プロセスに向けた大気圧熱プラズマジェットによる大面積熱処理

寺本憲司, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐A201‐11 2017年8月25日
窒素ブーストによる大気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化

花房宏明, 中島涼介, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐A413‐9 2017年8月25日
フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化における残留熱応力解析

稗田竜己, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7a‐C21‐9 2017年8月25日
円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の窒素ブースト大気圧プラズマジェット照射による連続結晶成長

中野航, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.5a‐A204‐3 2017年8月25日
ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの加熱特性評価とシリコン薄膜の結晶成長制御

中島涼介, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.14a‐304‐6 2017年3月1日
大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製

原田大夢, 新良太, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.14a‐304‐9 2017年3月1日
シリコンキャップアニールによるn型4H‐SiCのオーミック電極形成

谷口太一, 花房宏明, 東清一郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15p‐F204‐8 2017年3月1日
円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット結晶化および連続結晶成長

中野航, 花房宏明, 東清一郎

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2017 61 2017年

もっとみる

産業財産権

特開2008-021674 半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置

須田良幸, 花房宏明

花房宏明

基本情報

研究分野

経歴

論文

MISC

産業財産権

メニュー

共著者の一覧