2000年9月
Process of Formation of Nitrided Oxides for Asymmetric Tunnel Barriers in Electron Tunneling Devices
Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures
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- 開始ページ
- 144
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- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究発表ペーパー・要旨（国際会議）