大塚信之 (NOBUYUKI OTSUKA) - マイポータル

基本情報

所属: 蛍東洋医学研究所代表
: パナソニック株式会社

学位: 博士(1997年2月東北大学)

連絡先: hariotsuka.holding.jp
研究者番号: 00620642
J-GLOBAL ID: 202101010703969797

外部リンク: http://otsuka.holding.jp/HARI/index.html

J-GLOBAL IDは、下記の様になっております。文献検索などにお役立てください。

ＩＤ　　　　　　　　　所属

200901100345449801　東北大学
200901100345409192　松下電器　パナソニック
201650000322718667　通信・放送機構
202050000607677240　蛍東洋医学研究所

研究キーワード

研究分野

経歴

2008年10月 - 現在

パナソニック株式会社
1999年2月 - 現在

蛍東洋医学研究所
1999年2月 - 2008年9月

松下電器産業（株）
1997年2月 - 1999年1月

通信・放送機構仙台リサーチセンター
1987年4月 - 1997年1月

松下電器産業（株）

学歴

委員歴

2012年 - 2016年

次世代パワーエレクトロニクス・システム研究コンソーシアム運営委員
2010年 - 2016年

先進パワーデバイス信頼性研究会委員
2010年 - 2015年

電気学会家電・民生技術委員会 1号委員
2008年 - 2012年

学術振興会議テラヘルツ波科学技術と産業開拓第182委員会委員

受賞

2013年

IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Best Paper Award A compact isolated gate driver using GaN HFETs on sapphire substrate integrated with a 5.8GHz electro-magnetic resonant coupler

Yasufumi Kawai, Shuichi Nagai, Takeshi Fukuda, Nobuyuki Otsuka, Daisuke Ueda, Noboru Negoro, Tetsuzo Ueda

主要な論文

灸頭鍼から輻射される光の点火位置依存性と皮膚吸収特性

大塚信之, 半田由美子

全日本鍼灸学会雑誌 70(1) 38 - 46 2020年2月
スポーツ傷害への鍼灸の適用

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 2(2) 1 - 13 2015年12月
鍼灸治療による疼痛緩和効果

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 2(1) 1 - 12 2015年12月
下部尿路機能障害に対する鍼灸治療の効果

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 1(3) 1 - 10 2014年12月
認知症疾患に及ぼす鍼治療の緩和効果

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 1(2) 1 - 5 2014年11月
鍼灸による月経痛の緩和効果

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 1(1) 4 - 6 2014年9月
西洋医学に基づいた女性の痛みと治療方針

大塚信之

蛍東洋医学論文誌 1(1) 1 - 3 2014年9月
Low-pressure direct-liquid-cooling technology for GaN power transistors

Nobuyuki Otsuka, Shuichi Nagai, Manabu Yanagihara, Yasuhiro Uemoto, Daisuke Ueda

Japanese Journal of Applied Physics 50(4 PART 2) 2011年4月
GaN power electron devices

N. Otsuka, S. Nagai, H. Ishida, Y. Uemoto, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda

ECS Transactions 41(8) 51 - 70 2011年
Expanded self-limiting growth condition of InP using alternate trimethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultrahigh vacuum

Nobuyuki Otsuka, Jun Ichi Nishizawa, Hideyuki Kikuchi, Yutaka Oyama

Journal of Crystal Growth 209(2-3) 252 - 257 2000年2月
Room temperature 339 nm emission from Al<inf>0.13</inf>Ga<inf>0.87</inf>N/Al<inf>0.10</inf>Ga<inf>0.90</inf>N double heterostructure light-emitting diode on sapphire substrate

Nobuyuki Otsuka, Ayumu Tsujimura, Yoshiaki Hasegawa, Gaku Sugahara, Masahiro Kume, Yuzaburoh Ban

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 39(5 B) L445 - L448 2000年
Self-limiting growth of InP by alternate trimethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultrahigh vacuum

Nobuyuki Otsuka, Jun Ichi Nishizawa, Hideyuki Kikuchi, Yutaka Oyama

Journal of Crystal Growth 205(3) 253 - 263 1999年9月
Self-limiting submonolayer growth of InP by alternative triethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultra high vacuum.

Otsuka N, Nishizawa J, Kikuchi H, Oyama Y

Institute of Physics Conference Series 162 529 - 534 1999年
Digital Etching of InP by Intermittent Injection of Trisdimethylaminophosphorus in Ultrahigh Vacuum

Nobuyuki Otsuka, Jun Ichi Nishizawa, Yutaka Oyama, Hideyuki Kikuchi, Ken Suto

Journal of the Electrochemical Society 146(2) 547 - 550 1999年
Self-Iimiting growth conditions on (001) InP by alternate triethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultrahigh vacuum

Nobuyuki Otsuka, Jun Ichi Nishizawa, Hideyuki Kikuchi, Yutaka Oyama

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 17(5) 3008 - 3018 1999年
Self-Limiting Growth of Specular InP Layer by Alternate Injection of Triethylindium and Tertiarybutylphosphine in Ultrahigh Vacuum

Otsuka Nobuyuki, Nishizawa Jun-ichi, Kikuchi Hideyuki, OYAMA Yutaka

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 38(1) 20 - 23 1999年1月1日
Digital etching of InP by intermittent injection of phosphorous precursors in ultra-high vacuum

Nobuyuki Otsuka, Jun Ichi Nlshizawa, Yutaka Oyama, Hideyuki Kikuchi, Ken Suto

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 38(4 B) 2529 - 2537 1999年
Digital etching of (001) InP substrate by intermittent injection of tertiarybutylphosphine in ultrahigh vacuum

Nobuyuki Otsuka, Yutaka Oyama, Hideyuki Kikuchi, Jun Ichi Nishizawa, Ken Suto

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37(12 SUPPL. B) L1509 - L1512 1998年12月15日
Control of double diffusion front unintentionally penetrated from a Zn doped InP layer during metalorganic vapor phase epitaxy

N. Otsuka, M. Kito, M. Ishino, Y. Matsui, F. Toujou

Journal of Applied Physics 84(8) 4239 - 4247 1998年10月15日
Anomalous temperature dependence of PL characteristics in ordered InGaAsP strained layer multi-quantum well structure

Nobuyuki Otsuka, Masahiro Kito, Yasufumi Yabuuchi, Masato Ishino, Yasushi Matsui

Journal of Crystal Growth 170(1-4) 626 - 633 1997年1月
Stability of Zn doping profile in modulation-doped multiple quantum well structure

Nobuyuki Otsuka, Masato Ishino, Yasushi Matsui

Journal of Applied Physics 80(3) 1405 - 1413 1996年8月1日
1.5-μm strained-layer MQW-DFB lasers with high relaxation-oscillation frequency and low-chirp characteristics

Nobuyuki Otsuka, Masahiro Kito, Masato Ishino, Yasushi Matsui

IEEE Journal of Quantum Electronics 32(7) 1230 - 1236 1996年7月
Degradation of PL characteristics in strained layer multi-quantum well structure with atomic ordering structure

Nobuyuki Otsuka, Masahiro Kito, Yasufumi Yabuuchi, Masato Ishino, Yasushi Matsui

Journal of Electronic Materials 25(5) 701 - 708 1996年4月
New structure by selective regrowth in multi-quantum well laser diodes performed by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Nobuyuki Otsuka, Masahiro Kito, Yoshihiro Mori, Masato Ishino, Yasushi Matsui

Journal of Crystal Growth 145(1-4) 866 - 874 1994年12月2日

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主要なMISC

知熱灸の燃焼特性と加熱効果の艾しゅ形状依存性

大塚信之

全日本鍼灸学会雑誌 70(3) 156 - 156 2020年8月
灸頭鍼から輻射される光の皮膚吸収特性

大塚信之, 半田由美子

全日本鍼灸学会学術大会抄録集 68回 236 - 236 2019年5月
Recent Progress in GaN Device Technology

Nobuyuki Otsuka, Yuji Kudoh, Hiroaki Ueno, Asamira Suzuki

2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2018 - Proceedings 662 - 665 2018年12月5日
鼠径ヘルニアに対し鍼灸治療が有効であった1症例

大塚信之

全日本鍼灸学会学術大会抄録集 67回 224 - 224 2018年5月
Recent progress in GaN devices for power and integrated circuit

Nobuyuki Otsuka, Yasufumi Kawai, Shuichi Nagai

Proceedings of International Conference on ASIC 2017-October 928 - 931 2017年7月1日
Recent Progress in GaN Power Devices

Nobuyuki Otsuka

Abstruct of The 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2014年
Recent Progress on GaN-based Power Devices

Nobuyuki Otsuka

Abstruct of International Workshop on Wide-Band-Gap Power Electronics 2013 2013年
GaN Power Electron Devices

Nobuyuki Otsuka

Proceedings of International SiC Power Electronics Applications Workshop, ISiCPEAW2012 2012年
GaN Power Electron Devices

N. Otsuka, S. Nagai, H. Ishida, Y. Uemoto, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda

Extended Abstracts of the 220th ECS Meeting, Electrochemical Society 2170 2011年
Direct Liquid Cooling Technology for Power Semiconductor Devices

N. Otsuka, S. Nagai, M. Yanagihara, U. Uemoto, D. Ueda

Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials 1229 - 1230 2010年
Self-limiting etching prior to self-limiting growth in ultra-high vacuum for obtaining clean interface

Otsuka N, Nishizawa J, Oyama Y, Kikuchi H, Suto K

Proceedings of the 25th International Conference on the physics of semiconductors 351 - 352 2001年
339 nm Deep-UV Emission from Al0.13Ga0.87N/Al0.10Ga0.90N Double Heterostructure Light-Emitting Diode on Sapphire Substrate

N. Otsuka, A. Tsujimura, Y. Hasegawa, G. Sugahara, M. Kume, Y. Ban

Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf.. Series 1 837 - 840 2000年
Extended self-limiting growth condition of InP using alternate trimethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultrahigh vacuum

N. Otsuka, J. Nishizawa, H. Kikuchi, Y. Oyama

Tech Digest of 7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques We3-8 1999年
Digital Etching of InP Using Tris-Dimethylaminophosphorus in Ultra-High Vacuum

OTSUKA Nobuyuki, NISHIZAWA Jun-ichi, OYAMA Yutaka, KIKUCHI Hideyuki, SUTO Ken

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 238 - 239 1998年9月7日
Self-limiting submonolayer growth of InP by alternative triethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ultra high vacuum

N. Otsuka, J. Nishizawa, H. Kikuchi, Y. Oyama

Tech Digest of 25th International Symposium on Compound Semiconductors TuP-2 1998年
Anomalous temperature dependence of PL characteristics in ordered InGaAsP strained layer multi-quantum well structure

N. Otsuka, M. Kito, Y. Yabuucni, M. Ishino, Y. Matsui

Proceedings of 8th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy OSSP.6 1996年
1.5 um strained-layer MQW-DFB lasers with low chirp and low distortion characteristics

N. Otsuka, M. Kito, M. Ishino, Y. Matsui

Tech Digest of 10th International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication '95 50 - 51 1995年
Atomic ordering in strained layer multi-quantum well structure

Nobuyuki Otsuka, Masahiro Kito, Yasufumi Yabuuchi, Masato Ishino, Yasushi Matsui

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 701 - 704 1995年
New structure by selective regrowth in MQW laser diodes performed by low pressure MOVPE

N. Otsuka, M. Kito, Y. Mori, M. Ishino, Y. Matsui

Proceedings of 7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 268 - 269 1994年
Low-chirp characteristics over wide-band modulation of multiple-quantum-well distributed-feedback lasers.

Otsuka N, Ishino M, Fujihara K, Kito M, Mori Y, Sato H, Matsui Y

Proceedings of Optical Fiber Communication Conference and the International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communications ’93 127 - 128 1993年
Low distortion over wide-band modulation of 1.55-μm MQW distributed-feedback lasers.

Otsuka N, Ishino M, Kito M, Hoshino K, Fujihara K, Fujito K, Matsui Y

Proceedings of Optical Fiber Communication Conference 15 275 1992年
InGaAs/InP monolithic array photoreceiver consisting of 10PIN/FET’s.

Otsuka N, Matsuda K, Shibata J

Technical Digest of the International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication '89 501 - 502 1989年

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書籍等出版物

GaNパワーデバイスの技術展開

大塚信之, 永井秀一, 上田大助(担当:共著, 範囲:第４章パワーデバイスパッケージング技術 pp.239-262)

サイエンス&テクノロジー 2012年4月 (ISBN: 9784864280440)

担当経験のある科目(授業)

2013年 - 2014年

パワーエレクトロニクス (名古屋大学招聘教員)

所属学協会

2019年4月 - 現在

経絡治療学会
2017年4月 - 現在

東洋はり医学会
2014年4月 - 現在

全日本鍼灸学会
1987年4月 - 2018年3月

応用物理学会