橋詰保 (Tamotsu Hashizume) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授

学位: 工学博士(北海道大学)

研究者番号: 80149898
J-GLOBAL ID: 200901056044977480
researchmap会員ID: 1000181562

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年8月 - 現在

名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任教授
2016年4月 - 2022年3月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授（クロスアポイントメント制度）
2004年4月 - 2022年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
2014年4月 - 2020年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, センター長
2014年 - 2020年

Director, RCIQE, Hokkaido Univ.
2001年 - 2004年

北海道大学助教授（量子集積エレクトロニクス研究センター・組織換）助教授
1998年 - 2004年

Associate Professor, Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ.
1998年 - 2001年

北海道大学助教授（量子界面エレクトロニクス研究センター・配置換）助教授
1994年 - 1998年

北海道大学助教授（工学部電気工学科) 助教授
1994年 - 1998年

Associate Professor, Faculty of Eng., Hokkaido Univ.
1987年 - 1994年

北海道職業訓練短期大学校講師（電気科）講師
1987年 - 1994年

Lecturer, Hokkaido Polytechnic College
1981年 - 1987年

釧路工業高等専門学校助手（電子工学科）助手
1981年 - 1987年

Research Associate, Kushiro National College of Technology

委員歴

2012年4月 - 2014年3月

応用物理学会, 北海道支部長
2012年4月 - 2014年3月

応用物理学会, 理事
2009年4月 - 2011年3月

電子情報通信学会電子デバイス専門委員会, 委員長
2007年

電子情報通信学会, 電子デバイス研究会副委員長

受賞

2018年9月

フェロー, 応用物理学会

橋詰保
2016年9月

2016 Paper Award, The Japan Society of Applied Physics

橋詰保
2016年9月

優秀論文賞, 応用物理学会

橋詰保
2014年5月

2013 Paper Awards (He Bong Kim Award), CS-MANTECH

橋詰保
2014年4月

APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

橋詰保
2007年4月

JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

論文

207

Influence of HfO<inf>2</inf> and SiO<inf>2</inf> interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi …

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 39(6) 2021年12月1日
Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi …

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 39(6) 2021年12月
(Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya …

ECS Transactions 104(4) 113-120 2021年10月1日
Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation

Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume

Journal of Applied Physics 129(12) 121102-121102 2021年3月28日査読有り招待有り最終著者
HfSiO<inf>x</inf>-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor

Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11686 2021年
Interface characterization of Al2O3/m-plane GaN structure

Shota Kaneki, Tamotsu Hashizume

AIP Advances 11(1) 015301-015301 2021年1月1日査読有り責任著者
Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor

Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume

AIP Advances 10(6) 065215-065215 2020年6月1日査読有り
Improved DC performance and current stability of ultrathin-Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMTs with post-metallization-annealing process

S Ozaki, K Makiyama, T Ohki, N Okamoto, Y Kumazaki, J Kotani, S Kaneki, K Nishiguchi, N Nakamura, N Hara …

Semiconductor Science and Technology 35(3) 035027-035027 2020年3月1日査読有り
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN

M. Matys, B. Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume

Journal of Physics D: Applied Physics 54(5) 2020年
Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching

Shinji Yamada, Masato Omori, Hideki Sakurai, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Tamotsu Hashizume, Jun Suda, Tetsu Kachi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 13(1) 2020年1月
InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region

D. Gregušová, L. Tóth, O. Pohorelec, S. Hasenöhrl, Š. Haščík, I. Cora, Z. Fogarassy, R. Stoklas, A. Seifertová, M. Blaho …

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SCCD21-1-5 2019年5月査読有り
A time-dependent Verilog-A compact model for MOS capacitors with interface traps

K. Fukuda, H. Asai, J. Hattori, M. Shimizu, T. Hashizume

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD06-1-6 2019年2月査読有り
Effects of post-deposition annealing in O2 on threshold voltage of Al2O3/AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors

S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, T. Kimoto, T. Hashizume

Jpn. J. Appl. Phys. 58 030902-1-4 2019年2月査読有り
Improved operation stability of Al2O3/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistors grown on GaN substrates

Y. Ando, S. Kaneki, T. Hashizume

Appl. Phys. Express 12(2) 024002 2019年2月査読有り
Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures

M. Ťapajna, J. Drobný, F. Gucmann, K. Hušeková, D. Gregušová, T. Hashizume, J. Kuzmík

Mat. Sci. Semicond. Process. 91 356-361 2019年1月査読有り
Simulation of deep level transient spectroscopy using circuit simulator with deep level trap model implemented by Verilog-A language

Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Mitsuaki Shimizu, Tamotsu Hashizume

2019 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2019) 133-136 2019年
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs

Joel Tacla Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume

PISIKA 1(1) 11-1-6 2018年12月査読有り
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors

M. Matys, K. Nishiguchi, B. Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume

J. Appl. Phys. 124 224502 2018年12月査読有り
Effects of postmetallization annealing on interface properties of Al2O3/GaN structures

T. Hashizume, S. Kaneki, T. Oyobiki, Y. Ando, S. Sasaki, K. Nishiguchi

Appl. Phys. Express 11(12) 124102-124102 2018年12月査読有り
GaN-based Metal-Insulator-Semiconductor Transistors on Si for Power Switching Applications

Satoshi Nakazawa, Hong-An Shih, Naohiro Tsurumi, Yoshiharu Anda, Tsuguyasu Hatsuda, Tetsuzo Ueda, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura …

2018年6月査読有り招待有り

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MISC

267

Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs

Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume

Proceedings of the 34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress 34 INV-1B-01-1-4 2016年8月招待有り
依頼講演 Al₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 (シリコン材料・デバイス)

谷田部然治, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(108) 1-4 2015年6月19日
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 (レーザ・量子エレクトロニクス)

西口賢弥, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(338) 91-95 2014年11月27日
GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御

橋詰保, 谷田部然治, 佐藤威友

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 EDD-14(39-49) 13-16 2014年3月招待有り
F161003 GaN系パワー電子デバイスのための異種接合制御とプロセス技術(【F16100】次世代窒化物半導体デバイスとその精密加工技術の展望,情報・知能・精密機器部門企画,先端技術フォーラム)

橋詰保

年次大会 : Mechanical Engineering Congress, Japan 2013 "F161003-1"-"F161003-4" 2013年9月8日
ノーマリオン形GaN HEMT用共振形ゲートドライブ回路の実験的検証

石橋卓治, 平木英治, 田中俊彦, 岡本昌幸, 岡本昌幸, 橋詰保, 橋詰保, 加地徹, 加地徹

電気学会全国大会講演論文集 2013(4) 2013年
ノーマリオンGaN HEMT用共振形ゲートドライブ回路

石橋卓治, 平木英治, 田中俊彦, 岡本昌幸, 橋詰保, 岡本昌幸, 橋詰保

電気学会産業応用部門大会(CD-ROM) 2013 2013年
プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響

堀祐臣, 谷田部然治, 馬万程, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 37-40 2012年11月22日
GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御

橋詰保

應用物理 81(6) 479-484 2012年6月10日
ドライエッチ面を含むAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面評価

谷田部然治, 堀祐臣, 金聖植, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(32) 49-52 2012年5月
GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 (マイクロ波)

堀祐臣, 金聖植, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(374) 97-100 2012年1月11日
新開発GaN HEMTを用いたインバータ回路

豊田玄紀, 岡本昌幸, 平木英治, 田中俊彦, 橋詰保, 橋詰保, 加地徹, 加地徹

電気学会全国大会講演論文集 2012(4) 2012年
新開発GaN HEMTのスイッチング特性

石橋卓治, 岡本昌幸, 平木英治, 田中俊彦, 橋詰保, 橋詰保, 加地徹, 加地徹

電気学会全国大会講演論文集 2012(4) 2012年
高速スイッチング動作を実現するノーマリオン形GaN HEMT

石橋卓治, 豊田玄紀, 平木英治, 田中俊彦, 岡本昌幸, 岡本昌幸, 橋詰保, 橋詰保, 加地徹, 加地徹

電気学会半導体電力変換研究会資料 SPC-12(79-81.83-95) 2012年
ノーマリオン形GaN HEMT用共振形ゲートドライブ回路

石橋卓治, 豊田玄紀, 平木英治, 田中俊彦, 岡本昌幸, 岡本昌幸, 橋詰保, 橋詰保, 加地徹, 加地徹

電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集(CD-ROM) 63rd 2012年
ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価

金聖植, 堀祐臣, 谷田部然治, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111(290) 25-28 2011年11月
AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価

橋詰保, 水江千帆子, 掘祐臣, 田島正文, 大井幸多

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111(167) 17-20 2011年7月22日
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure

Marcin Miczek, Piotr Bidzinski, Boguslawa Adamowicz, Chihoko Mizue, Tamotsu Hashizume

SOLID STATE COMMUNICATIONS 151(11) 830-833 2011年6月
Impact of Gate and Passivation Structures on Current Collapse of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors under Off-State-Bias Stress

Masafumi Tajima, Tamotsu Hashizume

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(6) 061001-1-061001-7 2011年6月
Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for Ultraviolet Light Detection

Piotr Bidzinski, Marcin Miczek, Boguslawa Adamowicz, Chihoko Mizue, Tamotsu Hashizume

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(4) 04DF08-1-04DF08-5 2011年4月

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書籍等出版物

高周波半導体材料・デバイスの新展開

シーエムシー出版 2006年

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

岡田浩, 橋詰保
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

佐藤威友, 三好実人, 橋詰保
窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

末光哲也, 橋詰保
総括班

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 酒井朗, 川上養一, 小出康夫, 三宅秀人, 橋詰保
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

佐藤威友, 本久順一, 橋詰保
特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開

科学研究費補助金：新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年4月 - 2020年3月

橋詰保
高い安定性を有するGaN-MOSトランジスタスイッチ

JST 戦略的国際共同研究プログラム（SICORP） 2015年9月 - 2019年3月

橋詰保
GaN縦型パワーデバイスの基盤技術開発

NEDO SIP（戦略的イノベーション創造プログラム） 2014年 - 2019年3月

橋詰保
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2018年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一, 谷田部然治
異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開

科学技術研究機構（JST）戦略的創造研究推進事業（CREST） 2009年10月 - 2015年3月

橋詰保
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化

科学研究費補助金基盤研究(A) 2009年4月 - 2013年4月

橋詰保
窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2009年 - 2010年

橋詰保, 佐藤威友, 古賀裕明
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2009年 - 2010年

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一, 古賀裕明
半導体ナノワイヤによる量子集積ハードウェアの構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2007年 - 2009年

本久順一, 池辺将之, 橋詰保
III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2007年 - 2008年

橋詰保, 佐藤威友, 金子昌充
欠陥制御・界面制御に基づく窒化ガリウム系デバイス構造の高信頼化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2005年 - 2006年

橋詰保, 葛西誠也, 佐藤威人友, 金子昌充
有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス

日本学術振興会科学研究費助成事業学術創成研究費 2001年 - 2005年

福井孝志, 長谷川英機, 雨宮好仁, 本久順一, 橋詰保, 葛西誠也
窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2002年 - 2004年

橋詰保, 本久順一, 葛西誠也, 赤澤正道
ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2001年 - 2003年

長谷川英機, 赤澤正道, 橋詰保, 雨宮好仁, 葛西誠也

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委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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