渡部平司 (Heiji Watanabe) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻教授 (Distinguished Professor)

研究者番号: 90379115
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-7916-3093
J-GLOBAL ID: 202001001837401898
researchmap会員ID: R000006074

外部リンク: http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html

経歴

2022年7月 - 現在

日本学術振興会学術システム研究センター主任研究員
2020年4月 - 現在

大阪大学工学研究科物理学系専攻教授
2019年8月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科副研究科長
2017年4月 - 現在

大阪大学・栄誉教授
2014年4月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科執行部（総務室長）
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻教授
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻教授
2016年8月 - 2018年8月

大阪大学副理事
2007年7月 - 2013年3月

大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長（兼任）
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻助教授
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻助教授
2001年6月 - 2004年4月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任研究員
2000年7月 - 2001年6月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任
1998年2月 - 2000年7月

日本電気株式会社基礎研究所主任
1994年2月 - 1998年2月

技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構（JRCAT）
1990年4月 - 1994年2月

日本電気株式会社基礎研究所

学歴

- 1990年3月

大阪大学工学研究科精密工学専攻
- 1988年3月

大阪大学工学部精密工学科

受賞

2022年7月

第16回（2022年度）応用物理学会フェロー表彰半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発公益社団法人応用物理学会

渡部平司
2021年8月

第43回（2021年度）応用物理学会解説論文賞公益社団法人応用物理学会

木本恒暢, 渡部平司
2019年4月

文部科学大臣表彰（科学技術賞・研究部門）文部科学省

渡部平司
2015年7月

第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰（研究部門) 大阪大学

渡部平司
2014年7月

第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門) 大阪大学

渡部平司
2011年7月

平成23年度大阪大学功績賞（研究部門）大阪大学

渡部平司
2011年3月

平成22年度矢崎学術賞（功績賞）矢崎科学技術振興記念財団

渡部平司
2011年3月

第7回日本学士院学術奨励賞日本学士院

渡部平司
2011年3月

第7回日本学術振興会賞日本学術振興会

渡部平司
2008年11月

2008 IWDTF Best Poster Award The Japan Society of Applied Physics, Japan

T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe
2007年7月

第29回応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」応用物理学会

渡部平司
2002年12月

第62回半導体・集積回路技術シンポジウムアワード電気化学会

渡部平司
1998年11月

平成9年度JRCAT賞特賞アトムテクノロジー研究体

渡部平司, 藤田忍
1998年9月

第20回（1998年度）応用物理学会賞（学会賞B：奨励賞）応用物理学会

渡部平司
1997年3月

第1回（1996年秋季）応用物理学会講演奨励賞応用物理学会

渡部平司
1996年2月

平成７年度JRCAT賞アトムテクノロジー研究体

藤田忍, 丸野茂光, 渡部平司

論文

932

局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

志村考功, 細井卓治, 小林拓真, 渡部平司

レーザー研究 50(10) 565-569 2022年10月査読有り最終著者
Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 15(10) 104004-104004 2022年10月1日査読有り
Electrical properties and energy band alignment of SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 0001¯) substrates

Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 121(6) 062104-1-062104-6 2022年8月8日査読有り最終著者
Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 69(6) 061003-1-061003-5 2022年5月査読有り責任著者
Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO₂/4H-SiC(112̄0) interfaces

Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1065-1-SC1065-8 2022年5月1日査読有り責任著者
Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1034-SC1034 2022年5月1日査読有り最終著者
Toward Super Temporal Resolution by Suppression of Mixing Effects of Electrons

Nguyen Hoai Ngo, Takeharu Goji Etoh, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Yoshiyuki Matsunaga, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Hideki Mutoh, Yoshinari Kamakura, Edoardo Charbon

IEEE Transactions on Electron Devices 69(6) 2879-2885 2022年4月査読有り
Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(112̄0) MOS devices

Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 15(4) 041002-1-041002-4 2022年4月1日査読有り責任著者
Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices

Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 3B.2-1-3B.2-5 2022年3月査読有り最終著者責任著者
Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of m-plane SiC MOS Capacitors

Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) P66-1-P66-4 2022年3月査読有り最終著者責任著者
Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing

Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 120(8) 082103-082103 2022年2月21日査読有り責任著者
High-temperature CO2 treatment for improving electrical characteristics of 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices

Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 14(10) 101001-1-101001-6 2021年10月1日査読有り責任著者
Probing the surface potential of SiO2/4H-SiC(0001) by terahertz emission spectroscopy

Hidetoshi Nakanishi, Tatsuhiko Nishimura, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 130(11) 115305-1-115305-7 2021年9月21日査読有り最終著者
Demonstration of 4H-SiC CMOS circuits consisting of well-balanced n- and p-channel MOSFETs fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation

Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 14(9) 091006-091006 2021年9月1日査読有り責任著者
Backscattering X-ray imaging using Fresnel zone aperture

Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 14(7) 072002-072002 2021年7月1日査読有り最終著者
Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway

Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 14(7) 071001-071001 2021年7月1日査読有り最終著者
A Pixel Design of a Branching Ultra-Highspeed Image Sensor

Nguyen Hoai Ngo, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kohsei Takehara, Anh Quang Nguyen, Edoardo Charbon, Takeharu Goji Etoh

Sensors 21(7) 2506-2506 2021年4月3日査読有り
水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源

溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

195-199 2021年1月査読有り最終著者
4H-SiC CMOS inverters fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation and forming gas annealing

Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2020年12月9日査読有り最終著者
水素ガスアニールに起因したSiO2/GaN界面での異常な固定電荷生成とその物理的起源

溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

2020年12月9日査読有り最終著者

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MISC

10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

白川裕規, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 69(2) 674-674 2014年8月22日
AIONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

細井卓治, 東雲秀司, 柏木勇作, 保坂重敏, 中村亮太, 箕谷周平, 中野佑紀, 浅原浩和, 中村孝, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(421) 19-22 2013年1月30日
High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)

渡部平司, 細井卓治

電子情報通信学会誌 : The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11) 960-964 2012年11月
X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価

川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2006 I04 2006年3月1日
熱処理に伴うHfSiO_x/SiO₂/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定

三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2005 J45-820 2005年9月1日
高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極との界面反応の評価

喜多祐起, 吉田慎一, 渡辺康匡, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2005 J44 2005年9月1日
相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005(22) 31-35 2005年6月3日
組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(577) 21-24 2005年1月14日
シリコン酸化膜の原子スケール評価とAtomic Layer Depositionによる高誘電体薄膜形成

渡部平司

表面科学 21(9) 597-597 2000年9月10日
23pZN-8 Siの層状酸化

渡部平司, 宮田典幸, 市川昌和

日本物理学会講演概要集 55(1) 774-774 2000年3月10日
27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法

落合幸徳, 望月康則, 市橋鋭也, 渡部平司, 大久保紀雄, 小野晴彦, 木村滋, 馬場雅和, 松井真二

秋の分科会講演予稿集 1992(2) 187-188 1992年9月14日

書籍等出版物

Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)

H. Watanabe, N. Miyata, M. Ichikawa (担当:分担執筆)

Springer 2001年2月

講演・口頭発表等

スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長

田中信敬, 國吉望月, 安部和弥, 星原雅生, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会） 2023年2月4日
酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御

中沼貴澄, 田原康佐, 木村大至, 朽木克博, 志村考功, 渡部平司, 小林拓真

先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月20日
NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響

藤本博貴, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 志村考功, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月20日
NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構

鈴木亜沙人, 中沼貴澄, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月20日
酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上

大西健太郎, 小林拓真, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月20日
Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization

T. Shimura, H. Oka, T. Hosoi, Y. Imai, S. Kimura, H. Watanabe

The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2022年11月7日
Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces

Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Kosuke Tahara, Taishi Kimura, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月14日
Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月14日
Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2

Mizuki Kuniyoshi, Kidist Moges, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Keita Tachiki, Tsunenobu Kimoto, Heiji Watanabe

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月14日
Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices

Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月13日
CO2 post-nitridation annealing for improving immunity to change trapping in SiC MOS devices

Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月13日
Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface

Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022) 2022年9月13日招待有り
Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices

Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 2022年9月7日招待有り
Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films

T. Shimura, S. Tanaka, H. Watanabe, T. Hosoi

The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19) 2022年8月30日
Interface science and engineering for GaN-based MOS devices

H. Watanabe, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM 2022) 2022年8月30日招待有り
電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ

志村考功, ゴグエンホアイ, 渡部平司, 下ノ村和弘, 武藤秀樹, 江藤剛治

映像情報メディア学会情報センシング研究会（IST） 2022年6月29日
Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors

Yutaka Terao, Takuji Hosoi, Shinya Takashima, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022) 2022年3月30日
Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices

Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022) 2022年3月29日
NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性

中沼貴澄, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

（一社）電気学会電子デバイス研究会 2022年3月9日招待有り
高速イメージセンサの現状と展望－ピコ秒を目指して－

江藤剛治, 志村考功, 下ノ村和弘, 渡部平司

（独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会第 174回研究会 2022年1月31日招待有り