渡部平司 (Heiji Watanabe) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻教授 (Distinguished Professor)

研究者番号: 90379115
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-7916-3093
J-GLOBAL ID: 202001001837401898
researchmap会員ID: R000006074

外部リンク: http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html

経歴

2022年7月 - 現在

日本学術振興会学術システム研究センター主任研究員
2020年4月 - 現在

大阪大学工学研究科物理学系専攻, 教授
2019年8月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科副研究科長
2017年4月 - 現在

大阪大学・栄誉教授
2014年4月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科執行部（総務室長）
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻, 教授
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻教授
2016年8月 - 2018年8月

大阪大学副理事
2007年7月 - 2013年3月

大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長（兼任）
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻, 助教授
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻助教授
2001年6月 - 2004年4月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任研究員
2000年7月 - 2001年6月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任
1998年2月 - 2000年7月

日本電気株式会社基礎研究所主任
1994年2月 - 1998年2月

技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構（JRCAT）
1990年4月 - 1994年2月

日本電気株式会社基礎研究所

学歴

- 1990年3月

大阪大学, 工学研究科, 精密工学専攻
- 1988年3月

大阪大学, 工学部, 精密工学科

受賞

2022年7月

第16回（2022年度）応用物理学会フェロー表彰, 半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発, 公益社団法人応用物理学会

渡部平司
2021年8月

第43回（2021年度）応用物理学会解説論文賞, 公益社団法人応用物理学会

木本恒暢, 渡部平司
2019年4月

文部科学大臣表彰（科学技術賞・研究部門）, 文部科学省

渡部平司
2015年7月

第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰（研究部門), 大阪大学

渡部平司
2014年7月

第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門), 大阪大学

渡部平司
2011年7月

平成23年度大阪大学功績賞（研究部門）, 大阪大学

渡部平司
2011年3月

平成22年度矢崎学術賞（功績賞）, 矢崎科学技術振興記念財団

渡部平司
2011年3月

第7回日本学士院学術奨励賞, 日本学士院

渡部平司
2011年3月

第7回日本学術振興会賞, 日本学術振興会

渡部平司
2008年11月

2008 IWDTF Best Poster Award, The Japan Society of Applied Physics, Japan

T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe
2007年7月

第29回応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」, 応用物理学会

渡部平司
2002年12月

第62回半導体・集積回路技術シンポジウムアワード, 電気化学会

渡部平司
1998年11月

平成9年度JRCAT賞特賞, アトムテクノロジー研究体

渡部平司, 藤田忍
1998年9月

第20回（1998年度）応用物理学会賞（学会賞B：奨励賞）, 応用物理学会

渡部平司
1997年3月

第1回（1996年秋季）応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会

渡部平司
1996年2月

平成７年度JRCAT賞, アトムテクノロジー研究体

藤田忍, 丸野茂光, 渡部平司

論文

917

Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

APL Materials 13(2) 021119-1-021119-8 2025年2月1日査読有り
GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(2) 022113-1-022113-6 2025年1月13日査読有り最終著者
Comprehensive research on nitrided SiO₂/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes

Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru SOMETANI

Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 010801-1-010801-9 2025年1月13日査読有り筆頭著者責任著者
Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(1) 012108-1-012108-4 2025年1月6日査読有り最終著者
Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 125(25) 252101-1-252101-5 2024年12月16日査読有り最終著者
Impact of post-deposition annealing on SiO₂/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO₂ deposition

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji WATANABE

Applied Physics Express 17(11) 116503-1-116503-4 2024年11月12日査読有り最終著者
Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO₂/p-type GaN MOS interfaces

Kazuki Tomigahara, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 17(8) 081002-1-081002-4 2024年8月5日査読有り最終著者
Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Materials Science in Semiconductor Processing 175 108251-108251 2024年6月査読有り最終著者
Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles

Sosuke Iwamoto, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi

Applied Physics Express 17(5) 051008-1-051008-5 2024年5月24日査読有り
Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Applied Physics Express 17(5) 051004-1-051004-5 2024年5月1日査読有り
Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 17(1) 011003-011003 2023年12月29日査読有り最終著者
Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

AIP Advances 13(11) 115304-1-115304-5 2023年11月1日査読有り最終著者
Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study

Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 134(14) 145701-1-145701-9 2023年10月11日査読有り最終著者
Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(10) 105501-1-105501-4 2023年10月1日査読有り
Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn

Nobuyuki Tanaka, Mizuki Kuniyoshi, Kazuya Abe, Masaki Hoshihara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(9) 095502-095502 2023年9月12日査読有り最終著者
Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Applied Physics Letters 123(10) 102102-1-102102-5 2023年9月6日査読有り
Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 134(9) 095704-1-095704-7 2023年9月5日査読有り最終著者
Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films

Takayoshi Shimura, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

Journal of Electronic Materials 52(8) 5053-5058 2023年8月1日査読有り最終著者
Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO₂ deposition and CO₂ annealing

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(7) 074004-1-074004-4 2023年7月28日査読有り最終著者
Formation of high-quality SiO₂/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO₂

Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 62 050903-1-050903-4 2023年5月16日査読有り最終著者

もっとみる

MISC

10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

白川裕規, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 69(2) 674-674 2014年8月22日
AIONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

細井卓治, 東雲秀司, 柏木勇作, 保坂重敏, 中村亮太, 箕谷周平, 中野佑紀, 浅原浩和, 中村孝, 木本恒暢 …

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(421) 19-22 2013年1月30日
High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)

渡部平司, 細井卓治

電子情報通信学会誌 : The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11) 960-964 2012年11月
X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価

川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2006 I04 2006年3月1日
熱処理に伴うHfSiO_x/SiO₂/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定

三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2005 J45-820 2005年9月1日
高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極との界面反応の評価

喜多祐起, 吉田慎一, 渡辺康匡, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2005 J44 2005年9月1日
相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005(22) 31-35 2005年6月3日
組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(577) 21-24 2005年1月14日
シリコン酸化膜の原子スケール評価とAtomic Layer Depositionによる高誘電体薄膜形成

渡部平司

表面科学 21(9) 597-597 2000年9月10日
23pZN-8 Siの層状酸化

渡部平司, 宮田典幸, 市川昌和

日本物理学会講演概要集 55(1) 774-774 2000年3月10日
27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法

落合幸徳, 望月康則, 市橋鋭也, 渡部平司, 大久保紀雄, 小野晴彦, 木村滋, 馬場雅和, 松井真二

秋の分科会講演予稿集 1992(2) 187-188 1992年9月14日

書籍等出版物

Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)

H. Watanabe, N. Miyata, M. Ichikawa (担当:分担執筆)

Springer 2001年2月

講演・口頭発表等

116

熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

原征大, 平原賢治, 野崎幹人, 小林拓真, 渡部平司

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用

横山義希, 矢野裕司, 染谷満, 平井悠久, 渡部平司, 梅田享英, 堀内颯介, 福永博生, 島袋聞多

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月16日
絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の形成

前田兼成, 小林拓真, 原征大, 野崎幹人, 渡部平司

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月16日
表面界面反応制御に基づく高品質 SiC MOS 界面の形成

藤本博貴, 小林拓真, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日招待有り
低温 PECVD により作製した SiO2/p 型 GaN MOS 構造における正孔トラップの評価

原征大, 小林拓真, 溝端秀聡, 野崎幹人, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
熱処理に対する高 Mg 濃度 p 型 GaN MOS 構造の安定性評価

阪上優一, 小林拓真, 冨ケ原一樹, 野崎幹人, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
酸素および窒素熱処理による SiO2/β-Ga2O3 MOS 構造の高品質化

前田兼成, 小林拓真, 原征大, 野崎幹人, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構

八軒慶慈, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
超高温酸化プロセスによる SiC MOSFET の高温高電界ストレス耐性の向上

陳強, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
熱酸化及び水素エッチングによる SiC(0001)表面構造の変化

神畠真治, 小林拓真, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer

Hidetoshi Mizobata, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024) 2024年11月4日
Investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC from ab initio calculations

Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月3日
Control over the density of single photon emitters at SiO_2/SiC interfaces: CO_2 vs. Ar annealing

Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Haruko Toyama, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月3日
Suppression of luminescent spots at SiO_2/SiC interfaces by thermal oxidation at low oxygen partial pressure

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月2日
Insight into the mobility-limiting factors of SiC MOSFETs: the impact of gate bias stress

Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月2日
Impurity-vacancy complexes in 4H-SiC: stability and properties

Takuma Kobayashi, Sosuke Iwamoto, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月2日
Carbon-related interface defects in p-channel 4H-SiC MOSFETs

Bunta Shimabukuro, Sosuke Horiuchi, Hongyu Zeng, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Heiji Watanabe, Yusuke Nishiya, Yuichiro Matsushita, Takahide Umeda

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月2日
Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)

Shinji Kamihata, Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024). 2024年10月1日
Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs

Sosuke Horiuchi, Hiroki Fukunaga, Bunta Shimabukuro, Hiroshi Yano, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Heiji Watanabe, Takahide Umeda

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年10月1日
Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

the 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024年9月30日