渡部平司 (Heiji Watanabe) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻教授 (Distinguished Professor)

研究者番号: 90379115
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-7916-3093
J-GLOBAL ID: 202001001837401898
researchmap会員ID: R000006074

外部リンク: http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html

経歴

2020年4月 - 現在

大阪大学工学研究科物理学系専攻, 教授
2019年8月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科副研究科長
2017年4月 - 現在

大阪大学・栄誉教授
2014年4月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科執行部（総務室長）
2022年7月 - 2025年3月

日本学術振興会学術システム研究センター主任研究員
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻, 教授
2006年11月 - 2020年3月

大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻教授
2016年8月 - 2018年8月

大阪大学副理事
2007年7月 - 2013年3月

大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長（兼任）
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻, 助教授
2004年5月 - 2006年10月

大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻助教授
2001年6月 - 2004年4月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任研究員
2000年7月 - 2001年6月

日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任
1998年2月 - 2000年7月

日本電気株式会社基礎研究所主任
1994年2月 - 1998年2月

技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構（JRCAT）
1990年4月 - 1994年2月

日本電気株式会社基礎研究所

学歴

- 1990年3月

大阪大学, 工学研究科, 精密工学専攻
- 1988年3月

大阪大学, 工学部, 精密工学科

受賞

2022年7月

第16回（2022年度）応用物理学会フェロー表彰, 半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発, 公益社団法人応用物理学会

渡部平司
2021年8月

第43回（2021年度）応用物理学会解説論文賞, 公益社団法人応用物理学会

木本恒暢, 渡部平司
2019年4月

文部科学大臣表彰（科学技術賞・研究部門）, 文部科学省

渡部平司
2015年7月

第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰（研究部門), 大阪大学

渡部平司
2014年7月

第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門), 大阪大学

渡部平司
2011年7月

平成23年度大阪大学功績賞（研究部門）, 大阪大学

渡部平司
2011年3月

平成22年度矢崎学術賞（功績賞）, 矢崎科学技術振興記念財団

渡部平司
2011年3月

第7回日本学士院学術奨励賞, 日本学士院

渡部平司
2011年3月

第7回日本学術振興会賞, 日本学術振興会

渡部平司
2008年11月

2008 IWDTF Best Poster Award, The Japan Society of Applied Physics, Japan

T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe
2007年7月

第29回応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」, 応用物理学会

渡部平司
2002年12月

第62回半導体・集積回路技術シンポジウムアワード, 電気化学会

渡部平司
1998年11月

平成9年度JRCAT賞特賞, アトムテクノロジー研究体

渡部平司, 藤田忍
1998年9月

第20回（1998年度）応用物理学会賞（学会賞B：奨励賞）, 応用物理学会

渡部平司
1997年3月

第1回（1996年秋季）応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会

渡部平司
1996年2月

平成７年度JRCAT賞, アトムテクノロジー研究体

藤田忍, 丸野茂光, 渡部平司

論文

933

Optical and electrical properties of nearly intrinsic GeSn wires on quartz fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization

Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

Materials Science in Semiconductor Processing 214 110862-110862 2026年11月査読有り最終著者
Modulation of barrier height in n-type GaN Schottky structure with ultrathin oxide interlayer mediated by dipole formation

Masahiro Hara, Ryo Sakai, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

APL Electronic Devices 2(3) 036101-1-036101-8 2026年7月2日査読有り最終著者
Evaluation of body-diode degradation in 4H-SiC VMOSFETs under high-current-density stress

Takeyoshi Masuda, Tomoki Ikeda, Yoshinori Hara, Yu Saito, Taro Nishiguchi, Shin Harada, Masaki Furumai, Takao Kiyama, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 65(11) 116502-116502 2026年6月16日査読有り最終著者
Deep-level-transient-spectroscopy study on electron traps near GaN surface generated by sputter deposition of SiO ₂

Masahiro Hara, Masanari Takaoka, Qiang Chen, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 65(7) 070905-070905 2026年4月16日査読有り最終著者
Optical mode competition in tensile-strained Ge microdisks fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization

Tianping Li, Liji Zhan, Yuta Hayakawa, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura

Japanese Journal of Applied Physics 65(2) 02SP12-1-02SP12-7 2026年1月27日査読有り
Backscattering X-ray imaging using a caustic network aperture

Takayoshi Shimura, Naruki Tsuji, Kentaro Kajiwara, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 64(12) 126506-1-126506-5 2025年12月15日査読有り最終著者
Strain-Relaxed Growth of GeSn Thin Films via Nanochannel Sputter Epitaxy

Kensho Ishimaru, Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

ECS Meeting Abstracts 2025年11月24日
(Invited) Characterization and Reduction of Hole Traps in GaN MOS Structures

Masahiro Hara, Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Kenji Hirahara, Yuichi Sakagami, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

ECS Meeting Abstracts 2025年11月24日
Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing

Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

ECS Meeting Abstracts 2025年11月24日
Reduction of hole traps in GaN MOS structures by high-pressure oxygen annealing

Masahiro Hara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 127(16) 162105 2025年10月24日査読有り最終著者
Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures

Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 127(11) 112107-1-112107-5 2025年9月17日査読有り最終著者
Key technologies Supporting High Performance and Reliability of SiC VMOSFET

Takeyoshi Masuda, Yoshinori Hara, Tomoki Ikeda, Kosuke Uchida, Yu Saito, Shin Harada, Tomoaki Hatayama, Jun Wada, Toru Hiyoshi, Hirofumi Yamamoto …

IEEE Journal of the Electron Devices Society 1-9 2025年9月査読有り最終著者
Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H₂/Ar gas mixtures

Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 18(8) 081002-1-081002-4 2025年8月26日査読有り最終著者
Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures

Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 138(5) 055705-1-055705-6 2025年8月5日査読有り最終著者
Effect of Post‐Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO₂/GaN Interface

Mutsunori Uenuma, Ryota Atsumi, Kentaro Onishi, Hiroto Tomita, Shougo Yamada, Yuya Yamada, Momoko Yoshida, Zexu Sun, Yusuke Hashimoto, Mami N. Fujii …

physica status solidi (b) 2500025-1-2500025-6 2025年6月23日査読有り
Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces

Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Journal of Applied Physics 137(20) 205702-1-205702-7 2025年5月22日査読有り
Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

APL Materials 13(2) 021119-1-021119-8 2025年2月1日査読有り
GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition

Masahiro Hara, Takuma Kobayashi, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(2) 022113-1-022113-6 2025年1月13日査読有り最終著者
Comprehensive research on nitrided SiO₂/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes

Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru SOMETANI

Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 010801-1-010801-9 2025年1月13日査読有り筆頭著者責任著者
Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(1) 012108-1-012108-4 2025年1月6日査読有り最終著者

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MISC

219

局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

岩本蒼典, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性—Optical Characteristics of Single-Crystal GeSn Thin Wires Fabricated by Local Liquid Phase Crystallization—「14族元素をベースとした光機能半導体の最新研究」特集号

志村考功, 細井卓治, 小林拓真, 渡部平司

レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 / レーザー学会編 50(10) 565-569 2022年10月
CO₂熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上

細井卓治, 志村考功, 渡部平司

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(215(SDM2022 54-63)) 2022年
窒化後CO₂熱処理による4H-SiC(0001)CMOSデバイスの性能向上

國吉望月, 國吉望月, MOGES Kidist, 小林拓真, 細井卓治, 志村考功, 立木馨大, 木本恒暢, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響

溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 小林拓真, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響

藤本博貴, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性

中沼貴澄, 小林拓真, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆

電気学会研究会資料(Web) (EDD-22-017-025) 2022年
符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング

志村考功, 小林拓真, 細井卓治, 渡部平司

Optics & Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM) 2021 2021年
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価

和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
NO窒化処理を施した4H-SiC(1120)MOSデバイスの信頼性評価

中沼貴澄, 岩片悠, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討

田淵直人, 國吉望月, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
SiO₂/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価

中沼貴澄, 岩片悠, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
SiO₂/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討

溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
NO窒化処理を施したSiO₂/4H-SiC(1120)界面のX線光電子分光分析

中沼貴澄, 細井卓治, 染谷満, 岡本光央, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化

國吉望月, 國吉望月, 田淵直人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
コースティックネットワーク開口を用いた後方散乱X線イメージング

志村考功, 宗森美琴, 細井卓治, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
GaN(0001)面上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

冨ヶ原一樹, 和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
液相成長法により形成したGeSn細線の結晶欠陥が発光効率に与える影響

志村考功, 和田祐希, 細井卓治, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
フレネルゾーン開口を用いた後方散乱X線イメージングの検討

志村考功, 細井卓治, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

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書籍等出版物

Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)

H. Watanabe, N. Miyata, M. Ichikawa (担当:分担執筆)

Springer 2001年2月

講演・口頭発表等

175

Identification of a donor-type charge transition level of color centers at SiO2/SiC interfaces

Yu Kaneko, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Defects in Solids for Quantum Technologies (DSQT2026) 2026年6月11日
Split-type defects in β-Ga2O3 for quantum applications: An ab initio study

Ryota Yamada, Sosuke Iwamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Defects in Solids for Quantum Technologies (DSQT2026) 2026年6月9日
Theoretical study of radiative and non-radiative processes in 4H-SiC defect complexes

Sosuke Iwamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Defects in Solids for Quantum Technologies (DSQT2026) 2026年6月9日
Evaluation of the single-electron energy levels of color centers at SiO2/SiC interfaces by photo-assisted C–V measurements

Kentaro Onishi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Defects in Solids for Quantum Technologies (DSQT2026) 2026年6月9日
Interface Engineering of GaN-based Metal-Oxide-Semiconductor Devices

Heiji Watanabe, Masahiro Hara, Takuma Kobayashi

49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Intergrated Circuits held in Europe(WOCSDICE) / 20th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC) 2026年5月26日招待有り
第一原理計算によるβ-Ga2O3中スプリット型不純物-空孔ペアの特性評価

山田亮太, 岩本蒼典, 原征大, 渡部平司, 小林拓真

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日
n型GaNショットキー接合へのGaOx界面層挿入による双極子形成

坂居瞭, 原征大, 野﨑幹人, 小林拓真, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日
理論と実験の両手法によるSiC半導体色中心の探索と解明

小林拓真, 岩本蒼典, 大西健太郎, 中沼貴澄, 兼子悠, 遠山晴子, 田原康佐, 朽木克博, 原征大, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日招待有り
SiO₂スパッタ成膜に起因するGaN表面近傍欠陥の評価

高岡真成, 原征大, 陳強, 野﨑幹人, 小林拓真, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日
ドライ酸化とウェット酸化4H-SiC(0001) MOSFETの界面欠陥の電流検出ESR分光による比較

島袋聞多, 安達慧悟, 染谷満, 平井悠久, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証

染谷満, 平井悠久, 熊谷直樹, 矢野裕司, 磯部高範, 細井卓治, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
光支援C-V測定によるSiO2/SiC界面発光中心の深い準位評価

大西健太郎, 朽木克博, 原征大, 渡部平司, 小林拓真

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
SiO2/SiC 構造に対する絶縁膜堆積前水素熱処理および犠牲酸化の効果

澤田翔斗, 小林拓真, 藤本博貴, 原征大, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
p 型 SiC エピ層上 SiO2/SiC 界面発光中心の光学及び電気特性評価

兼子悠, 朽木克博, 原征大, 渡部平司, 小林拓真

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
4H-SiC VMOSFET の高電流密度ストレスによるボディダイオード通電劣化評価

増田健良, 池田智紀, 原吉典, 斎藤雄, 西口太郎, 原田真, 古米正樹, 渡部平司, 木山貴雄

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
2 段階水素熱処理による SiC MOS デバイスの性能および信頼性向上

藤本博貴, 小林拓真, 神畠真治, 八軒慶慈, 原征大, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
SiO2/p 型 GaN MOS 構造の正孔トラップに対する高圧酸素熱処理の効果

原征大, 冨ケ原一樹, 野﨑幹人, 小林拓真, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
SiC MOS デバイスにおける移動度支配要因の理解

八軒慶慈, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 原征大, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日招待有り
異なる伝導型の SiC 基板における SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程の調査

兼子悠, 中沼貴澄, 遠山晴子, 田原康佐, 朽木克博, 原征大, 渡部平司, 小林拓真

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月19日
SiO2のスパッタ成膜により GaN 表面近傍に生成する電子トラップの評価

高岡真成, 原征大, 陳強, 野崎幹人, 小林拓真, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月19日