2014年8月22日
10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
日本物理学会講演概要集
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- 巻
- 69
- 号
- 2
- 開始ページ
- 674
- 終了ページ
- 674
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人日本物理学会
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110009874291
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11439205
- ID情報
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- ISSN : 1342-8349
- CiNii Articles ID : 110009874291
- CiNii Books ID : AA11439205