2022年3月
Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of m-plane SiC MOS Capacitors
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
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- 開始ページ
- P66-1
- 終了ページ
- P66-4
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(国際会議プロシーディングス)
- DOI
- 10.1109/irps48227.2022.9764433
- 出版者・発行元
- IEEE
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1109/irps48227.2022.9764433