論文

査読有り 最終著者 責任著者
2022年3月

Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices

2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
  • Takato Nakanuma
  • ,
  • Asato Suzuki
  • ,
  • Yu Iwakata
  • ,
  • Takuma Kobayashi
  • ,
  • Mitsuru Sometani
  • ,
  • Mitsuo Okamoto
  • ,
  • Takuji Hosoi
  • ,
  • Takayoshi Shimura
  • ,
  • Heiji Watanabe

開始ページ
3B.2-1
終了ページ
3B.2-5
記述言語
英語
掲載種別
研究論文(国際会議プロシーディングス)
DOI
10.1109/irps48227.2022.9764595
出版者・発行元
IEEE

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764595
URL
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9764406/9764408/09764595.pdf?arnumber=9764595
ID情報
  • DOI : 10.1109/irps48227.2022.9764595

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