単結晶ゲルマニウムを絶縁膜上に形成したGOI構造は、次世代の電子デバイス用基板材料として注目されている。そのため、良好な結晶性を持つゲルマニウム層を形成できるGOI構造の作製技術が望まれている。本研究では、非晶質ゲルマニウムを短時間の熱処理で単結晶化する方法を提案し、この手法の優位性を検証した。このGOI構造を用いてトランジスタを作製しその電気特性を評価したところ良好な結果を得た。これらの結果は、この手法の有用性を示しており、次世代電子デバイスへの適用が期待できる。