平井悠久 (Hirohisa Hirai) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 202001000315272552
researchmap会員ID: R000011052

論文

TCAD and experimental study of geometric components in charge pumping current for accurate characterization of interface trap density in SiC pMOSFETs

Kazuma Shimura, Dai Okamoto, Yuta Taguchi, Kenta Kimata, Mitsuru SOMETANI, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo HATAKEYAMA

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月7日
Vertical Conduction of AlGaN-on-SiC Diodes with Buffer-Layer-Free Heterointerfaces

Yoshinao Miura, Hisashi Yamada, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 222(23) 2025年12月
TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 1-4 2025年9月24日
Comprehensive research on nitrided SiO₂/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes

Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru SOMETANI

Japanese Journal of Applied Physics 2024年12月17日
Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs

Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 125(25) 2024年12月16日
3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls

Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

IEEE Electron Device Letters 2024年4月査読有り
Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda

APL Materials 2023年11月1日査読有り
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Journal of Applied Physics 131(14) 145701-145701 2022年4月14日
Crystal-orientation-dependent flatband voltage of non-polar GaN MOS interfaces investigated using trench sidewall capacitors

Hirohisa Hirai, Yoshinao Miura, Akira Nakajima, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 119(7) 2021年8月
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method

Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 060901-060901 2021年6月1日
Free carrier density enhancement of 4H-SiC Si-face MOSFET by Ba diffusion process and NO passivation

Shogo Sekine, Masakazu Okada, Teruaki Kumazawa, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Naoya Serizawa, Ryu Hasunuma, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Japanese Journal of Applied Physics 60({SB}) 2021年5月1日査読有り
Difference in electron mobility at 4H–SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Hiroshi Yamaguchi

Applied Physics Letters 117(4) 2020年7月27日査読有り
Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces

E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda

Applied Physics Letters 2020年4月27日査読有り
Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations

Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura

Applied Physics Letters 115(13) 132102-132102 2019年9月23日査読有り
Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on 1 1 ¯ 00 m-face and 11 2 ¯ 0 a-face characterized by Hall effect measurements

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura

Applied Physics Letters 115(13) 132106-132106 2019年9月23日査読有り
Design of SiO2/4H-SiC formation process with H2O annealing to improve MOSFET performance

Koji Kita, Hirohisa Hirai, Mizuki Nishida, Ryota Sakuta

ECS Transactions 92(4) 195-200 2019年
Low temperature wet-O2 annealing process for enhancement of inversion channel mobility and suppression of Vfb instability on 4H-SiC (0001) Si-face

Hirohisa Hirai, Koji Kita

Applied Physics Letters 113(17) 172103-172103 2018年10月22日査読有り
Retraction: “Effects of high-temperature diluted-H

Hirai Hirohisa, Kita Koji

Jpn. J. Appl. Phys. 56(7) 79201-79201 2017年6月19日
Investigation of origins of the critically different MOS interface characteristics between dry-oxidized and wet-oxidized silicon carbide

Kita, Koji, Hirai, Hirohisa, Kajifusa, Hiroyuki, Kuroyama, Kohei, Ishinoda, Kei

Microelectronic Engineering 178 186-189 2017年査読有り
Effects of high-temperature diluted-H-2 annealing on effective mobility of SiC MOSFETs estimated by split capacitance-voltage technique

Hirai, Hirohisa, Kita, Koji

Japanese Journal of Applied Physics 56(11) 2017年査読有り

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MISC

TMAH処理を施したGaN UMOSにおけるチャネル特性の面方位依存性

平井悠久, 三浦喜直, 中島昭, 原田信介, 山口浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
p型層へのほう素注入を用いた伝導率制御による垂直GaNパワーデバイスのための新しいJTE技術【JST・京大機械翻訳】

Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke

IEEE Conference Proceedings 2021(ISPSD) 2021年
Effects of high-temperature diluted-H-2 annealing on effective mobility of 4H-SiC MOSFETs with thermally-grown SiO2 (Retraction of Vol 55, 10.7567/JJAP.55.04ER16, 2016)

Hirohisa Hirai, Koji Kita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(7) 2017年7月
4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 (シリコン材料・デバイス)

平井悠久, 喜多浩之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 97-100 2014年6月19日
FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 (シリコン材料・デバイス)

喜多浩之, 平井悠久

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 97-100 2013年6月18日

共同研究・競争的資金等の研究課題

超低抵抗GaNパワーデバイスを目指した微傾斜結晶面トレンチMOSチャネルの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2022年4月 - 2025年3月

平井悠久
SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月

染谷満, 平井悠久, 升本恵子
４Ｈ－ＳｉＣ熱酸化界面構造の理解に基づくＭＯＳＦＥＴ高性能化のための材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2015年4月 - 2018年3月

平井悠久