SiC上に熱酸化膜を成長させるとき,界面のごく近傍ではSiCの影響を受けてSiO_2の構造や化学状態の変化を生じたものが成長することが予想される。赤外分光測定は,これらのSiO_2の微視的構造変化に敏感なツールである。本研究では熱酸化膜をフッ酸溶液中でエッチングを繰り返し行って段階的に薄膜化しながら赤外分光測定を行うことで膜厚依存性を評価した。その結果,SiCとの界面近傍の〜数nm程度の領域では圧縮応力で変形した構造または化学的変化に起因すると思われるピークシフトが明確に観察された。さらにこのピークシフトをSi面とC面で比較したところ,C面の方がシフトが大きく観察されるという明確な違いが見出された。