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2013年6月18日

FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 (シリコン材料・デバイス)

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
  • 喜多 浩之
  • ,
  • 平井 悠久

113
87
開始ページ
97
終了ページ
100
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

SiC上に熱酸化膜を成長させるとき,界面のごく近傍ではSiCの影響を受けてSiO_2の構造や化学状態の変化を生じたものが成長することが予想される。赤外分光測定は,これらのSiO_2の微視的構造変化に敏感なツールである。本研究では熱酸化膜をフッ酸溶液中でエッチングを繰り返し行って段階的に薄膜化しながら赤外分光測定を行うことで膜厚依存性を評価した。その結果,SiCとの界面近傍の〜数nm程度の領域では圧縮応力で変形した構造または化学的変化に起因すると思われるピークシフトが明確に観察された。さらにこのピークシフトをSi面とC面で比較したところ,C面の方がシフトが大きく観察されるという明確な違いが見出された。

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009779111
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
URL
http://id.ndl.go.jp/bib/024683345
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • CiNii Articles ID : 110009779111
  • CiNii Books ID : AN10013254

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