赤外分光法(IR)を用いると4H-SiC Si面とC面に成長するdry酸化膜の界面構造の違いを高感度に検出可能である。さらに酸化雰囲気を変えて評価を行ったところ、4H-SiC熱酸化界面構造は酸化雰囲気に強く影響されていることが分かった。まずdry酸化については、温度・酸素分圧による影響は小さいことが明らかになった。その一方、特にC面のdry酸化で顕著に見られる界面近傍における構造歪が、H_2Oを酸化種とするwet酸化では抑制された。また、2120cm^<-1>の吸収に特徴付けられる界面近傍に局在する帰属不明な構造がdry酸化のみで観察され、wet酸化ではその形成が抑制された。