論文

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2018年

Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs

2018 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-NIIGATA 2018 -ECCE ASIA)
  • Takafumi Okuda
  • ,
  • Takashi Hikihara

開始ページ
3654
終了ページ
3657
記述言語
英語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.23919/IPEC.2018.8507449
出版者・発行元
IEEE

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DOI
https://doi.org/10.23919/IPEC.2018.8507449
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ID情報
  • DOI : 10.23919/IPEC.2018.8507449
  • ISSN : 2150-6078
  • ISBN : 9784886864055
  • SCOPUS ID : 85057311084

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