2018年
Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs
2018 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-NIIGATA 2018 -ECCE ASIA)
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- 開始ページ
- 3654
- 終了ページ
- 3657
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.23919/IPEC.2018.8507449
- 出版者・発行元
- IEEE
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.23919/IPEC.2018.8507449
- ISSN : 2150-6078
- ISBN : 9784886864055
- SCOPUS ID : 85057311084