今村裕志 (Hiroshi Imamura) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター　デバイス理論チーム研究チーム長

学位: 博士（理学）(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901001242152837
researchmap会員ID: 5000102166

外部リンク: http://www.aist.go.jp/

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スピントロニクス量子情報電気伝導

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論文

192

High-frequency characteristics of ultra-short gate MoS₂ transistors

Akiko Ueda, Hiroshi Imamura, Hirokazu Fukidome

Applied Physics Express 18(3) 034005-034005 2025年3月1日
Macrospin study on magnetization reversal in synthetic antiferromagnetically coupled composite of perpendicularly magnetized nanomagnets

Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura

Applied Physics Letters 125(11) 2024年9月9日
<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>/</mml:mo><mml:mi>f</mml:mi></mml:math> noise of a nanopillar tunnel-magnetoresistance sensor originating from a wide distribution of bath correlation times

Hiroshi Imamura, Hiroko Arai, Rie Matsumoto, Toshiki Yamaji

Physical Review Applied 22(1) 2024年7月12日
Tuning the electronic and magnetic properties of MoS2 bilayers by transition-metal intercalation

Yukie Kitaoka, Akiko Ueda, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 602 172168-172168 2024年7月
Gate-controlled spin injection polarity in 2D transistors with Schottky barrier

Akiko Ueda, Yukie Kitaoka, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 600 172099-172099 2024年6月
Synthetic exchange coupled composite for widening an in-plane ballistic switching region

Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura

Applied Physics Letters 124(12) 2024年3月18日
Magnetism of MoS2 bilayers with intercalated and surface adsorbed Fe

Yukie Kitaoka, Akiko Ueda, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 594 171895-171895 2024年3月
Substantial reduction of write-error rate for voltage-controlled magnetoresistive random access memory by in-plane demagnetizing field and voltage-induced negative out-of-plane anisotropy field

Rie Matsumoto, Shiniji Yuasa, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2023年8月
Material Parameters for Faster Ballistic Switching of an In-Plane Magnetized Nanomagnet

Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura

Journal of the Physical Society of Japan 2023年6月15日
Characteristic time of transition from write error to retention error in voltage-controlled magnetoresistive random-access memory

Hiroko Arai, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2023年4月
First-principles study of enhancement of perpendicular magnetic anisotropy obtained by inserting an ultrathin LiF layer at an Fe/MgO interface

Yukie Kitaoka, Hiroshi Imamura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2023年4月
Corrigendum to “Distribution of write error rate of spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory caused by a distribution of junction parameters” [J. Magn. Magn. Mater. 563 (2022) 170012] (Journal of Magnetism and Magnetic Materials (2022) 563, (S0304885322008976), (10.1016/j.jmmm.2022.170012))

Imamura, H., Arai, H., Matsumoto, R.

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 565 2023年
Distribution of write error rate of spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory caused by a distribution of junction parameters

Hiroshi Imamura, Hiroko Arai, Rie Matsumoto

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 563 2022年12月
Precession dynamics of a small magnet with non-Markovian damping: Theoretical proposal for an experiment to determine the correlation time

Hiroshi Imamura, Hiroko Arai, Rie Matsumoto, Toshiki Yamaji, Hiroshi Tsukahara

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 553 169209-169209 2022年7月
Macrospin Analysis of Equal Probability of Voltage-Driven Magnetization Switching of Nano-Magnet for Random Number Generator

Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura

Journal of the Physical Society of Japan 91(5) 2022年5月15日
Role of magnetostriction on power losses in nanocrystalline soft magnets

Tsukahara, H., Imamura, H., Mitsumata, C., Suzuki, K., Ono, K.

NPG Asia Materials 14(1) 2022年
Developments in voltage-controlled subnanosecond magnetization switching

Yamamoto, T., Matsumoto, R., Nozaki, T., Imamura, H., Yuasa, S.

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 560 2022年
Heavily Damped Precessional Switching with Very Low Write-Error Rate in Elliptical-Cylinder Magnetic Tunnel Junctions

Matsumoto, R., Yuasa, S., Imamura, H.

Physical Review Applied 18(5) 2022年
Write Error Rate in Bias-Magnetic-Field-Free Voltage-Induced Switching in a Conically Magnetized Free Layer

Matsumoto, R., Imamura, H.

Physical Review Applied 17(3) 2022年
Electric-field-induced modulation of giant perpendicular magnetic anisotropy obtained by insertion of an Ir layer at the Fe/MgO interface: A first-principles study

Kitaoka, Y., Imamura, H.

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 2022年

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