今林弘毅 (Hiroki IMABAYASHI) - マイポータル

基本情報

所属: 福井大学工学系部門工学領域電気・電子工学講座講師

学位: 博士（工学）(2017年3月大阪大学)

研究者番号: 10906324
J-GLOBAL ID: 202101004625238144
researchmap会員ID: R000029791

研究分野

経歴

2021年1月 - 2021年2月

シャープディスプレイテクノロジー株式会社, 研究員
2017年4月 - 2020年12月

シャープ株式会社, ディスプレイデバイスカンパニー, 研究員
2010年4月 - 2017年3月

WDBエウレカ株式会社

学歴

2011年10月 - 2014年9月

大阪大学, 大学院工学研究科, 電気電子情報工学専攻

受賞

2024年7月

Featured Article in Applied Physics Letters, Local bandgap narrowing in forming state of threshold switching materials, Arerican Institure of Physics

Kenji Shiojima, Hiroki Kawai, Yuto Kawasumi, Hiroshi Takehira, Yuki Wakisaka, Hiroki Imabayashi, Takeshi Iwasaki, Katsuyoshi Komatsu, and Tadaomi Daibou
2022年10月

ADMETA 2022 plus Poster Award, Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers

論文

Local bandgap narrowing in forming state of threshold switching materials

Kenji Shiojima, Hiroki Kawai, Yuto Kawasumi, Hiroshi Takehira, Yuki Wakisaka, Hiroki Imabayashi, Takeshi Iwasaki, Katsuyoshi Komatsu, and Tadaomi Daibou

Applied Physics Letters 125(2) 023503-(7) 2024年7月10日査読有り
Photoelectrical characterization of heavily doped,p-SiC Schottky contacts

Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, and Kenji Shiojima

Japanese Journal of Applied Physics 63 04SP71-(6) 2024年4月18日査読有り
Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Structure under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy

Hiroki Imabayashi, Haruto Yoshimura, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Hajime Fujikura, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima

Phys. Status Solidi B 2400033-(7) 2024年3月19日査読有り
Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy

Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, Tetsu Kachi

Materials Science in Semiconductor Processing 162 107536-(8) 2023年4月26日査読有り
Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning,internal photoemission microscopy

Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima

Japanese Journal of Applied Physics 62(SA) SA1012-(7) 2022年11月14日査読有り
へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響

塩島謙次、今林弘毅、三島友義

材料 71(10) 819-823 2022年10月15日査読有り
Naフラックス法における撹拌を用いた核発生制御技術の新展開,～高品質窒化ガリウム多結晶体作製への応用～

今林弘毅,村上航介,松尾大輔,本城正智,今西正幸,丸山美帆子,今出完,吉村政志,森勇介

日本結晶成長学会誌 43(4) 239-243 2017年8月23日査読有り
Effects of Al additives on growth of GaN polycrystals by the Na flux method

H. Imabayashi, K. Murakami, D. Matsuo, M. Honjo, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori

Optical Materials 65 42-45 2017年3月1日査読有り
Crack-free GaN substrates grown by the Na-flux method with a sapphire dissolution technique

Takumi Yamada, M. Imanishi, Kosuke Nakamura, Kosuke Murakami, 今林弘毅, Daisuke Matsuo, Masatomo Honjo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura …

Applied Physics Express 9(071002) 2016年7月
Fabrication of low-curvature 2 in. GaN wafers by Na-flux coalescence growth technique

Mamoru Imade, M. Imanishi, Yuma Todoroki, 今林弘毅, Daisuke Matsuo, Kosuke Murakami, Hideo Takazawa, A. Kitamoto, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura …

Applied Physics Express 7(035503) 2014年3月
Growth and Evaluation of Bulk GaN Crystals Grown on a Point Seed Crystal by Ba-Added Na Flux Method

H. Imabayashi, K. Murakami, D. Matsuo, Y. Todoroki, H. Takazawa, A. Kitamoto, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori

Sensors and Materials 25(3) 165-176 2013年3月28日査読有り
High-temperature growth of GaN single crystals using Li-added Na-flux method

Masatomo Honjo, 今林弘毅, Hideo Takazawa, Yuma Todoroki, Daisuke Matsuo, Kosuke Murakami, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Takatomo Sasaki …

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 51(121002) 2012年12月
Growth of prismatic GaN single crystals with high transparency on small GaN seed crystals by Ca-Li-added Na flux method

Yusuke Konishi, Keiko Masumoto, Kosuke Murakami, 今林弘毅, Hideo Takazawa, Yuma Todoroki, Daisuke Matsuo, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura …

Applied Physics Express 5(025503) 2012年2月

講演・口頭発表等

界面顕微光応答法によるAu/Ni/n型β-Ga2O3ショットキー接触の電圧印加下における劣化耐性の二次元評価

今林弘毅, 澤崎仁施, 佐々木公平, 塩島謙次

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
界面顕微光応答法による微細トレンチ構造 GaN JBS ダイオードの二次元評価

今林弘毅, 吉村遥翔, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
界面顕微光応答法による GaN JBS 構造の二次元解析

今林弘毅、吉村遥翔、太田博、三島友義、塩島謙次

電子デバイス研究会 2024年11月29日
界面顕微光応答法によるAu/Ni/n 型β-Ga2O3 ショットキー接触の面内均一性評価

今林弘毅, 澤崎仁施, 佐々木公平, 塩島謙次

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
界面顕微光応答法を用いたGaN JBS 構造の二次元評価

今林弘毅, 吉村遥翔, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
界面顕微光応答法による Au/Ni/n型β-Ga2O3 ショットキー接触の二次元評価

今林弘毅, 澤崎仁施, 佐々木公平, 塩島謙次

日本材料学会 2024年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第２回研究会 2024年11月16日日本材料学会
Ni/n-GaNショットキー接触のI-V特性における変位電流の評価

今林弘毅, 川西健太郎, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

第43回電子材料シンポジウム 2024年10月3日
界面顕微光応答法によるJBS構造の二次元評価

今林弘毅, 吉村遥翔, 太田博,三島友義, 塩島謙次

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日応用物理学会
Face-to-Face高温高圧アニールによる均一性の向上,～Au/Ni/n-GaNショットキー接触を用いた界面顕微光応答法による二次元評価～

今林弘毅, 松本泰歩, 塩島謙次, 加地徹

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月18日応用物理学会
Improvement of Uniformity by Face-to-Face Ultra-High-Pressure Annealing Observed by Scanning Internal Photoemission Microscopy Using Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts

Kenji Shiojima, Yasuho Matsumoto, Hiroki Imabayashi and Tetsu Kachi

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024年9月3日
Precise Measurements of Small Reverse-Biased-Currents for Large-Barrier Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts

Kenji Shiojima, Hiroki Imabayashi, Kentaro Kawanishi, Hiroshi Ohta and Tomoyoshi Mishima

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024年9月3日
界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の電流輸送機構の二次元解析

吉村遥翔, 今林弘毅, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

2024年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 2024年7月20日日本材料学会
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mg ドープp-/n-GaN ショットキー接触,の二次元評価

今林弘毅, 吉村遥翔, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価

吉村遥翔、今林弘毅、堀切文正、成田好伸、藤倉序章、太田博、三島友義、塩島謙次

電子デバイス研究会 2023年11月30日
Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Schottky Contacts under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy

H. Imabayashi, H. Yoshimura, F. Horikiri, Y. Narita, H. Fujikura, H. Ohta, T. Mishima, K. Shiojima

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月16日
低温MBE成長GaAsBi層の光電評価

今林弘毅, 梅田皆友,塩島謙次, 梅西達哉, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 上田修

第42回電子材料シンポジウム 2023年10月13日
Ni/n-GaNショットキー接触のI-V特性における変位電流の評価

今林弘毅, 川西健太郎, 太田博, 三島友義, 塩島謙次

第43回電子材料シンポジウム 2023年10月3日
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN,ショットキー接触の二次元評価

吉村遥翔, 今林弘毅, 堀切文正, 成田好伸, 藤倉序章, 太田博,三島友義, 塩島謙次

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日応用物理学会
Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts

Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年9月7日
Ni/n-GaN ショットキー接触のI-V 特性における変位電流の評価

今林弘毅、川西健太郎、太田博、三島友義、塩島謙次

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月22日

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所属学協会

2022年1月

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

高電圧印加界面顕微光応答法によるパワー素子用電極エッジの電界集中の2次元的解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

塩島謙次, 今林弘毅
高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2023年4月 - 2026年3月