特許権 垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体 国立研究開発法人物質・材料研究機構 介川 裕章, 温 振超, 三谷 誠司, 猪俣 浩一郎, 古林 孝夫, ハドーン, ジェイソン ポール, 大久保 忠勝, 宝野 和博, グ ジョンウ 出願番号 JP2015058306 出願日 2015年3月19日 公開番号 WO2015-141794 公開日 2015年9月24日 公表番号 WO2015-141794 公表日 2015年9月24日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201703005323915580URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201703005323915580 ID情報 J-Global ID : 201703005323915580
