MISC

2013年1月30日

ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
  • 周藤 悠介
  • ,
  • 山本 修一郎
  • ,
  • 介川 裕章
  • ,
  • Wen ZhenChao
  • ,
  • 中根 了昌
  • ,
  • 三谷 誠司
  • ,
  • 田中 雅明
  • ,
  • 猪俣 浩一郎
  • ,
  • 菅原 聡

112
421
開始ページ
43
終了ページ
46
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

本論文では,ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETの性能評価と設計法の確立を行った また,ヘンダーMOSFETと我々が開発したスピン注入磁化反転MTJをハイブリッド集積化することによって擬似スピンMOSFETを作製し,擬似スピンMOSFETの動作検証・機能実証を行った さらに,擬似スピンMOSFETを応用した不揮発性SRAMおよび不揮発性ディレイフリップフロップを検討し,これらを用いた不揮発性パワーゲーティングのアーキテクチャを開発した.

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009728061

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