高強度テラヘルツ電場によって誘起される固体内の電子の極限的な加速や極端に非平衡な電子系の生成を目指して、高強度テラヘルツ光源の開発をおこなった。グラフェンや半導体量子井戸においては、極端に高いエネルギー状態まで電子が加速され、衝突イオン化過程によってキャリア増幅がおきることを明らかにした。また、高強度テラヘルツ電場下での固体電子系で期待される極端な非線形光学過程を記述可能な理論を構築し、高次高調波発生のテラヘルツ強度依存性を明らかにした。