本庄 弘明

J-GLOBALへ         更新日: 18/05/30 07:27
 
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研究者氏名
本庄 弘明
 
ホンジョウ ヒロアキ
eメール
hr-honjocies.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/6ec04a8d0b69152c0023466418b70160.html
所属
東北大学
部署
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 研究開発部門
職名
教授
学位
博士(工学)(東北大学), 修士(理学)(九州大学)
ORCID ID
0000-0002-5742-108X

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

受賞

 
2016年10月
Dry Process Symposium Dry Process Symposium Paper Award
受賞者: Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome,Michio Murahata, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Shoji Ikeda and Hideo Ohno
 
2011年6月
日本応用物理学会 Best Paper Award: International Symposium on Dry Process 2011
受賞者: K. Kinoshita, T. Yamamoto, H. Honjo, N. Kasai, S. Ikeda, and H. Ohno
 

論文

 
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T.Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi,M. Yasuhira, T.Tanigawa, H. Koike, H. Inoue, M. Muraguchi, M.Niwa, H. Ohno, and T. Endoh1
IEEE Transaction on Magnetics      2017年5月   [査読有り]
A 600-µW ultra-low-power associative processor for image pattern recognition employing magnetic tunnel junction-based nonvolatile memories with autonomic intelligent power-gating scheme
Yitao Ma,Sadahiko Miura,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Takahiro Hanyu,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh
Japanese Journal of Applied Physics      2017年4月   [査読有り]
Novel method of evaluating accurate thermal stability
Takashi Saito1, Kenchi Ito, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, and Tetsuo Endoh
IEEE. Transaction on Magnetics      2017年4月   [査読有り]
A spin transfer torque magnetoresistance random access memory-based high-density and ultralow-power associative memory for fully data-adaptive nearest neighbor search with current-mode similarity evaluation and time-domain minimum searching
Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno and Tetsuo Endoh
Japanease Journal of Applied Physics   56(4S) 04CF08   2017年3月   [査読有り]
Origin of variation of shift field via annealing at 400oC in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno and T. Endoh
AIP Advances      2016年11月   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
1T-1MTJ type embedded STT-MRAM with advanced low-damage and short-failure-free RIE technology down to 32 nmΦ MTJ patterning
H. Sato, T. Watanabe, H. Honjo, et. al.
International Memory Workshop   2018年5月15日   
High thermal tolerance synthetic ferrimagnetic reference layer with modified buffer layer by ion irradiation for perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions.
本庄 弘明
International magnetic Conference   2018年4月27日   
Performance advances in double CoFeB/MgO interface p-MTJs by designing cap stack structure
本庄 弘明
Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics-   2018年2月20日   
Improvement of magnetic and transport properties in perpendicular-anisotropy MTJs by engineering tungsten insertion layer sputtering conditions
S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
IEDM MRAM Special Poster Session   2017年12月5日   
Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer.
Intermag2017   2017年4月24日   

社会貢献活動

 
MRAMは本命不在、MTJ技術の裾野には広がり
【その他】  日経テクノロジーon line  2015年6月23日
VLで本庄らが発表した内容が日経テクノロジーon lineに取り上げられた。