本庄 弘明

J-GLOBALへ         更新日: 18/09/17 22:15
 
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研究者氏名
本庄 弘明
 
ホンジョウ ヒロアキ
eメール
hr-honjocies.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/6ec04a8d0b69152c0023466418b70160.html
所属
東北大学
部署
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 研究開発部門
職名
教授
学位
博士(工学)(東北大学), 修士(理学)(九州大学)
ORCID ID
0000-0002-5742-108X

プロフィール

In 1992, I joined NEC Corporation, where I engaged in development of magnetic head of hard disk drive. Since 2002, I have been working on research and development for fabrication process of MRAMs. Since 2014, I am being sent to Tohoku University. I received PhD in literature of "A study on dry etching process for three terminal spintronics devices". My current interests are process integration and material development of high-speed embedded MRAMs.

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
2017年8月
 - 
現在
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター 教授
 

受賞

 
2016年10月
Dry Process Symposium Dry Process Symposium Paper Award
受賞者: Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome,Michio Murahata, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Shoji Ikeda and Hideo Ohno
 
2011年6月
日本応用物理学会 Best Paper Award: International Symposium on Dry Process 2011
受賞者: K. Kinoshita, T. Yamamoto, H. Honjo, N. Kasai, S. Ikeda, and H. Ohno
 

論文

 
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T.Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi,M. Yasuhira, T.Tanigawa, H. Koike, H. Inoue, M. Muraguchi, M.Niwa, H. Ohno, and T. Endoh1
IEEE Transaction on Magnetics      2017年5月   [査読有り]
A 600-µW ultra-low-power associative processor for image pattern recognition employing magnetic tunnel junction-based nonvolatile memories with autonomic intelligent power-gating scheme
Yitao Ma,Sadahiko Miura,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Takahiro Hanyu,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh
Japanese Journal of Applied Physics      2017年4月   [査読有り]
Novel method of evaluating accurate thermal stability
Takashi Saito, Kenchi Ito, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, and Tetsuo Endoh
IEEE. Transaction on Magnetics      2017年4月   [査読有り]
A spin transfer torque magnetoresistance random access memory-based high-density and ultralow-power associative memory for fully data-adaptive nearest neighbor search with current-mode similarity evaluation and time-domain minimum searching
Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno and Tetsuo Endoh
Japanease Journal of Applied Physics   56(4S) 04CF08   2017年3月   [査読有り]
Origin of variation of shift field via annealing at 400oC in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno and T. Endoh
AIP Advances      2016年11月   [査読有り]
Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy
Soshi Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
Japanese Journal of Applied Physics   55(4S) 04EE05   2016年4月   [査読有り]
Improvement of thermal tolerance of CoFeB-MgO perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions by controlling boron composition
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe,S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi,M.Yasuhira,T.Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno and T. Endoh
IEEE Transaction on Magnetics      2016年4月   [査読有り]
Hiroki Koike; Sadahiko Miura; Hiroaki Honjo; Toshinari Watanabe; Hideo Sato; Soshi Sato; Takashi Nasuno; Yasuo Noguchi; Mitsuo Yasuhira; Takaho Tanigawa; Masakazu Muraguchi; Masaaki Niwa; Kenchi Ito; Shoji Ikeda; Hideo Ohno; Tetsuo Endoh
Proceedings of 2016 IEEE 8th International Memory Workshop (IMW)      2016年3月   [査読有り]
磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析
佐藤創志、本庄弘明、池田正二、大野英男、遠藤哲郎、丹羽正昭
電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第21回研究会)      2016年1月   [査読有り]
Optimization of CoFeB capping layer thickness for characterization of leakage spots in MgO tunneling barrier of magnetic tunnel junction
S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, and M. Niwa
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials   O-5-4   2015年9月   [査読有り]
10 nm perpendicular anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400oC high thermal tolerance by boron diffusion control
H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh
2015 Symposia on VLSI technology      2015年6月   [査読有り]
Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure
D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno and T. Hanyu
2015 Diguest of Technical Papers, Symp. VLSI Circuit   172-173   2015年6月   [査読有り]
S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, M. Niwa, T. Endoh
IEEE. Transactions on Magnetics   PP(99) 1   2015年5月   [査読有り]
1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance
H. Koike, S. Miura, H. Honjo, T. Watanabe, H. Sato, S. Sato, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, S. Ikeda, H. Ohno and T. Endoh.
2015 IEEE International Memory Workshop   1-4   2015年5月   [査読有り]
S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh and M. Niwa.
2015 IEEE Magnetic Conference (INTERMAG2015)   GP-01   2015年5月   [査読有り]
Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom
S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, H. Koike,S. Ikeda, T. Endoh, and H. Ohno
Japanese Journal of Applied Physics   54 04DM06-1-04DM06-4   2015年3月   [査読有り]
M. Natui, D. Suzuki, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu
Journal of Solid State Circuit   50(2) 476-189   2015年1月   [査読有り]
Power-gated 32 bit microprocessor with a power controller circuit activated by deep-sleep-mode instruction achieving ultra-low power operation
Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno,and Tetsuo Endoh
Japanese Journal of Appllied Physics      2015年   [査読有り]
Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing
Soshi Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Hideo Ohno, Tetsuo Endoh,and Masaaki Niwa1
Applied Physics Letter      2015年   [査読有り]
A study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscope
Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
Japanease Journal of Applied Physice      2015年   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
High-performance (Co)FeB/MgO-based magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis down to single-digit nanometer scale
H. Sato, K. Watanabe, B. Jinnai, S. Fukami, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, and T. Endoh
Spintronics Workshop on LSI   2018年6月   
1T-1MTJ type embedded STT-MRAM with advanced low-damage and short-failure-free RIE technology down to 32 nmΦ MTJ patterning
H. Sato, T. Watanabe, H. Honjo, et. al.
International Memory Workshop   2018年5月15日   
High thermal tolerance synthetic ferrimagnetic reference layer with modified buffer layer by ion irradiation for perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions.
H. Honjo
International magnetic Conference   2018年4月27日   
Performance advances in double CoFeB/MgO interface p-MTJs by designing cap stack structure
H. Honjo
Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics-   2018年2月20日   
Improvement of magnetic and transport properties in perpendicular-anisotropy MTJs by engineering tungsten insertion layer sputtering conditions
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
IEDM MRAM Special Poster Session   2017年12月5日   
Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer.
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
Intermag2017   2017年4月24日   
Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno Y. Noguchi
IEEE. International Magnetic Conference   2017年4月23日   
Material development in advanced STT-MRAM
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
3rd CIES Technology Forum   2017年3月21日   
High thermal tolerance reference layer with surface modification seed layer for perpendicular anisotropy MTJs
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
IEDM   2016年12月   
Performance advances in double CoFeB/MgO interface p-MTJs with high thermal tolerance cap designed for CMOS BEOL compatibility
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
IEDM   2016年12月   
High thermal tolerance synthetic ferrimagnetic reference layer with developed buffer layer for perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, and T. Endoh
IEDM2016 MRAM Special Poster Session   2016年12月   
Thermally robust double CoFeB-MgO interface magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, and T. Endoh
IEDM2016 MRAM special poster session   2016年12月   
Origin of variation of shift field via annealing at 400oC in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno,Y. Noguchi,
Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials   2016年10月31日   
Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip
Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo,Tetsuo Endoh
International Memory Workshop   2016年5月   
磁気トンネル接合素子のMgO 膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM 法による評価手法解析
佐藤創志、本庄弘明、池田正二、大野英男、遠藤哲郎、丹羽正昭
電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第21回)   2016年1月22日   
Optimum boron concentration difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular MTJs with high thermal tolerance and its mechanism
H. Honjo, H.Sato, S.Ikeda, S.Sato, T.Watanebe, S.Miura, T.NasunoY.Noguchi,M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno and T.Endoh
Joint MMM & Intermag Conference   2016年1月11日   
Optimization of CoFeB Capping Layer Thickness for Characterization of Leakage Spot in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunnel Junction
International Conference on Solid State Devices and Materials   2015年9月28日   
A 600-μW Ultra-LowPower Associative Processor for Image Pattern Recognition Employing Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Based Nonvolatile Memories with Novel Intelligent Power-Gating (IPG) Scheme
Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Shibata and T. Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials   2015年9月28日   
A 600-μW Ultra-LowPower Associative Processor for Image Pattern Recognition Employing Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Based Nonvolatile Memories with Novel Intelligent Power-Gating (IPG) Schem
Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Shibata and T. Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials   2015年9月   
Optimization of CoFeB Capping Layer Thickness for Characterization of Leakage Spot in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunnel Junction
S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh and M. Niwa
International Conference on Solid State Devices and Materials   2015年9月   

特許

 
佐藤 英夫, 池田 正二, マティアス ベルスワイラー, 本庄 弘明, 渡部 杏太, 深見 俊輔, 松倉 文▲礼▼, 伊藤 顕知, 丹羽 正昭, 遠藤 哲郎, 大野 英男
本庄 弘明, 深見 俊輔, 木下 啓蔵, 大野 英男
根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 本庄 弘明, 大野 英男
本庄 弘明, 木下 啓藏, 大野 英男
根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 本庄 弘明, 大野 英男
本庄 弘明, 木下 啓藏, 大野 英男
根橋 竜介, 崎村 昇, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 杉林 直彦, 本庄 弘明, 大野 英男
加藤 有光, 鈴木 哲広, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦, 石綿 延行
加藤 有光, 森 馨, 鈴木 哲広, 石綿 延行, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦
加藤 有光, 森 馨, 鈴木 哲広, 石綿 延行, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦
根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 本庄 弘明
根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 本庄 弘明

社会貢献活動

 
MRAMは本命不在、MTJ技術の裾野には広がり
【その他】  日経テクノロジーon line  2015年6月23日
VLで本庄らが発表した内容が日経テクノロジーon lineに取り上げられた。